Suchergebnisse für "IRF9530N" : 51

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IRF9530NPBF IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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IR irf9530n.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 168 Stück
14 Stück - stock Köln
154 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.54 EUR
10+0.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N Infineon description P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N-ML MOSLEADER Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
87+0.83 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
87+0.83 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 20821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
50+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.61 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 40756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.12 EUR
100+0.94 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
5000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.46 EUR
355+0.44 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 354
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IR irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1 Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.13 EUR
145+1.09 EUR
207+0.73 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.09 EUR
206+0.74 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF International Rectifier/Infineon irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.91 EUR
10+1.64 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRL Infineon P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.99 EUR
1600+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+1.99 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf9530ns_pdf_DS_v01_01_EN-1732104.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 6179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.85 EUR
100+1.25 EUR
500+1.16 EUR
800+0.89 EUR
2400+0.84 EUR
4800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.79 EUR
2400+0.72 EUR
4800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.76 EUR
246+0.64 EUR
259+0.59 EUR
1600+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.75 EUR
215+0.71 EUR
1600+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+1.91 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NLPBF IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF 50K
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS IR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 IRF9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 222
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N IRF9530N
Produktcode: 7932
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IR description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.2
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS IRF9530NS
Produktcode: 58984
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Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF
Produktcode: 154938
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irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N IRF9530N Infineon / IR Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf description MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NL IRF9530NL Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9530NPBF IRF9530NPBF Infineon Technologies infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9530NS IRF9530NS Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NSPBF IRF9530NSPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 description Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9530NSTRR IRF9530NSTRR Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 168 Stück
14 Stück - stock Köln
154 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.54 EUR
10+0.50 EUR
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IRF9530N description
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
87+0.83 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
87+0.83 EUR
127+0.57 EUR
134+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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IRF9530NPBF irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 20821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.48 EUR
50+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.61 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 40756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.22 EUR
10+1.12 EUR
100+0.94 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
5000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
354+0.46 EUR
355+0.44 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 354
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF irf9530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611b9931dc1
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-14A; Pdmax=79W; Rds=0,2 Ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
144+1.13 EUR
145+1.09 EUR
207+0.73 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF INFN-S-A0012826407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
144+1.09 EUR
206+0.74 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 144
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IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 14 A; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+1.91 EUR
10+1.64 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRL
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.99 EUR
1600+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.12 EUR
10+1.99 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF9530NSTRLPBF Infineon_irf9530ns_pdf_DS_v01_01_EN-1732104.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
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800+0.89 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 615 Stücke:
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IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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2400+0.72 EUR
4800+0.53 EUR
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IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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214+0.76 EUR
246+0.64 EUR
259+0.59 EUR
1600+0.51 EUR
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IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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209+0.75 EUR
215+0.71 EUR
1600+0.68 EUR
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IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 615 Stücke:
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IRF9530NSTRRPBF irf9530ns.pdf
IRF9530NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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320+1.91 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
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IRF9530NLPBF
Hersteller: IR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF 50K
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Hersteller: IR
TO-263
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IRF9530 description HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9530
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
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222+2.27 EUR
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IRF9530N
Produktcode: 7932
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description
IRF9530N
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.2
/: THT
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IRF9530NS
Produktcode: 58984
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IRF9530NS
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IRF9530NSPBF
Produktcode: 154938
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description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
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IRF9530N description Infineon_IRF9530N_DataSheet_v01_01_EN-3363072.pdf
IRF9530N
Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs
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IRF9530NL Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NPBF infineon-irf9530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NS Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSPBF description irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRLPBF 652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRR Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description IRF9530.pdf
IRF9530
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH