Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT

Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; IRFP064N TIRFP064n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 70 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7400/190
Montage: THT

Транзистори

Hersteller: International Rectifier
Транзистори

Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 59 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

TO-247AC, Power MOSFET, 60V, 5,5 mOhm, 130A Транзистори

Hersteller: IR
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm   Транзистори польові

Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 160A TO-247-3 Транзистори

Hersteller: STM
(Близкий к IRFP064, замена IRFP064N, IRFP064V) Транзистори