IRFP064NPBF


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Produktcode: 52519
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT
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Analogon IRFP064NPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP064N IRFP064N
Produktcode: 23063
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IR IRFP064N.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT
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IRFP064N
Produktcode: 23063
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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22+4.01 EUR
29+3.03 EUR
35+2.5 EUR
38+2.25 EUR
44+1.95 EUR
51+1.69 EUR
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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33+5.34 EUR
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon-irfp064n-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ec0b92233 Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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4+6.33 EUR
25+3.52 EUR
100+2.86 EUR
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFP064N-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
auf Bestellung 11594 Stücke:
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1200+2.37 EUR
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON INFN-S-A0012813963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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32+8 EUR
53+4.45 EUR
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP064NPBF International Rectifier HiRel Products infineon-irfp064n-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ec0b92233 Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 30616 Stücke:
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206+3.18 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 10800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2310 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
206+3.18 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 118 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
54+3.27 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 118 Stücke:
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 723 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
22+4.01 EUR
29+3.03 EUR
35+2.5 EUR
38+2.25 EUR
44+1.95 EUR
51+1.69 EUR
100+1.51 EUR
125+1.46 EUR
250+1.38 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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AnzahlPrivatkunde
33+5.34 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 21514 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
auf Bestellung 11594 Stücke:
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10+4.32 EUR
100+3.03 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Wärmeleitpaste КПТ-8 (Tube 17г)
Produktcode: 57265
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Chemie > Wärmeleitende Materialien
Beschreibung: Siliciumorganische Wärmeleitpaste. Verpackung: Tube.
Verwendungszweck: Wärmeleitpaste
Verpackung / Größe: 17 g
Typ: Wärmeleitpaste
Wärmeleitfähigkeit: 0,65 W/(m·K)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA41-800B
Produktcode: 25107
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description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
Imax, A: 40 A
UKTZED: 8541 10 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Batterie CR2032 Lithium 3V 1St. GP Batteries
Produktcode: 25721
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Hersteller: GP Batteries
Batterien
Material: Lithium (Li-SOCl2)
Größe: CR2032
Spannung, V: 3 V
Form: Knopfzelle
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOS218/247 Keramik-Pad 3mm 25x21 TO218/247
Produktcode: 29478
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aos247.pdf
Hersteller: Fisher
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Wärmeleitpad Keramik, 3mm 25x21mm, für TO-218, TO-247, 25W/mK, 10kV/mm
Größe: 21x25x3mm + Bohrung4,0mm, für Gehäuse TO-218, TO-247
Material: Keramik
Farbe: Weiß
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470uF 50V EHR 10x21mm (EHR471M50BA-Hitano)
Produktcode: 54941
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EHR_081225.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 2000 St.
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