
IRFP064NPBF

Produktcode: 52519
Hersteller: IRGehäuse: TO-247
Uds,V: 55
Idd,A: 110
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
JHGF: THT
auf Bestellung 157 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.68 EUR |
10+ | 1.40 EUR |
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Analogon IRFP064NPBF IR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP064N Produktcode: 23063
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 55 Idd,A: 110 Rds(on), Ohm: 01.08.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170 JHGF: THT |
verfügbar: 6 Stück
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 7164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 98A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 98A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 84797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 7164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 31649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 91811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP064NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 6181 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 729 Stück
25 Stück - stock Köln
704 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
704 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1163 Stück
43 Stück - stock Köln
1120 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1120 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
30 Stück
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.88 EUR |
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1N4007 Produktcode: 176822
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 6987 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 60000 Stück:
60000 Stück - erwartet 07.04.2025Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N4148 Produktcode: 176824
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Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 13263 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH