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IRFP064NPBF

IRFP064NPBF

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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
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Analogon IRFP064NPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP064N IRFP064N
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IR IRFP064N.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT
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IRFP064N
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IRFP064N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineon_irfp064n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON INFN-S-A0012813963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF Infineon Technologies infineonirfp064ndatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP064NPBF International Rectifier HiRel Products infineon-irfp064n-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ec0b92233 Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 83253 Stücke:
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500+2.44 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
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IRFP064NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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IRFP064NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 547 Stücke:
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IRFP064NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 11 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Chemie > Wärmeleitende Materialien
Beschreibung: Siliciumorganische Wärmeleitpaste. Verpackung: Tube.
Verwendungszweck: Wärmeleitpaste
Verpackung / Größe: 17 g
Typ: Wärmeleitpaste
Wärmeleitfähigkeit: 0,65 W/(m·K)
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BTA41-800B
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description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
Imax, A: 40 A
UKTZED: 8541 10 00 90
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Batterien
Material: Lithium (Li-SOCl2)
Größe: CR2032
Spannung, V: 3 V
Form: Knopfzelle
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Produktcode: 29478
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AOS218/247 Keramik-Pad 3mm 25x21 TO218/247
Hersteller: Fisher
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Wärmeleitpad Keramik, 3mm 25x21mm, für TO-218, TO-247, 25W/mK, 10kV/mm
Größe: 21x25x3mm + Bohrung4,0mm, für Gehäuse TO-218, TO-247
Material: Keramik
Farbe: Weiß
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IRFB3206PBF
Produktcode: 34412
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IRFB3206PBF
Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT
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