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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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IR irfz46npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 98 Stück
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1+0.8 EUR
10+0.72 EUR
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IRFZ46N International Rectifier description Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF Infineon Technologies irll2703pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
394+1.38 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF Infineon Technologies irll2703pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
394+1.38 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 394
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
89+0.8 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
126+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
89+0.8 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
126+0.57 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFZ46N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+0.99 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
auf Bestellung 19010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
17+1.05 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON INFN-S-A0012837608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.7 EUR
236+0.59 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+0.97 EUR
208+0.67 EUR
236+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF International Rectifier irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
287+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 287
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF IRFZ46ZSPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.51 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF International Rectifier HiRel Products irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.51 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF IRFZ46ZSPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.51 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF International Rectifier infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 60552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
242+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
242+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF International Rectifier HiRel Products infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 60552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF International Rectifier Corporation infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf description (TO-220AB)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS IR irfz46ns.pdf 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS IR irfz46ns.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46PBF IR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46S IR 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBF IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 to252 10+
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46 IRFZ46
Produktcode: 24066
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IR irfz46n.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.64 EUR
10+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produktcode: 76266
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Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46 IRFZ46 Vishay / Siliconix MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NL IRFZ46NL Infineon Technologies irfz46ns.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46ns-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS IRFZ46NS Infineon Technologies irfz46ns.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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IRFZ46NSPBF IRFZ46NSPBF Infineon Technologies irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223 Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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IRFZ46NSTRL IRFZ46NSTRL Infineon Technologies irfz46ns.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRRPBF IRFZ46NSTRRPBF Infineon Technologies irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223 Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46Z IRFZ46Z Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZL IRFZ46ZL Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBF IRFZ46ZPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS IRFZ46ZS Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF IRFZ46ZSPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ46NL AUIRFZ46NL Infineon Technologies AUIRFZ46NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 39A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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description irfz46npbf-datasheet.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 98 Stück
6 Stück - stock Köln
92 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.8 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46N description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description irll2703pbf.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
394+1.38 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description irll2703pbf.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
394+1.38 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
89+0.8 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
126+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
89+0.8 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
126+0.57 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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IRFZ46NPBF description Infineon-IRFZ46N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+0.99 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
auf Bestellung 19010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.88 EUR
17+1.05 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
260+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description INFN-S-A0012837608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
207+0.7 EUR
236+0.59 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.97 EUR
208+0.67 EUR
236+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
287+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 287
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
360+1.51 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
360+1.51 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
360+1.51 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 60552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
242+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
242+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 60552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+1.79 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf
Hersteller: International Rectifier Corporation
(TO-220AB)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS irfz46ns.pdf
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS irfz46ns.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46PBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46S
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
to252 10+
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46
Produktcode: 24066
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irfz46n.pdf
IRFZ46
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.64 EUR
10+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produktcode: 76266
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+4.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46
IRFZ46
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NL irfz46ns.pdf
IRFZ46NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description infineon-irfz46ns-datasheet-en.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS irfz46ns.pdf
IRFZ46NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSPBF irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223
IRFZ46NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRL irfz46ns.pdf
IRFZ46NSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF infineon-irfz46ns-datasheet-en.pdf
IRFZ46NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF infineon-irfz46ns-datasheet-en.pdf
IRFZ46NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRRPBF irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223
IRFZ46NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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IRFZ46Z irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46Z
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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IRFZ46ZL irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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IRFZ46ZPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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IRFZ46ZS irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ46ZSTRLPBF infineon-irfz46z-datasheet-en.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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AUIRFZ46NL AUIRFZ46NS%2CNL.pdf
AUIRFZ46NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 39A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH