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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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IR irfz46npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 32 Stück
6 Stück - stock Köln
26 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.80 EUR
10+0.72 EUR
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IRFZ46N International Rectifier description Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.57 EUR
50+1.44 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
50+1.44 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
534+1.13 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 534
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
534+1.13 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 534
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies irfz46npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b734b2220 description Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
auf Bestellung 23417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.50 EUR
12+1.58 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ46N_DataSheet_v01_01_EN-3363263.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.47 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON INFN-S-A0012837608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
639+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 639
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.39 EUR
161+0.97 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.00 EUR
118+1.32 EUR
164+0.92 EUR
500+0.70 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
639+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 639
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.18 EUR
156+1.00 EUR
200+0.92 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF INFINEON 140142.pdf Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF INFINEON 140142.pdf Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFZ46ZSPBF International Rectifier irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
422+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 422
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF IRFZ46ZSPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
467+1.30 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 467
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF IRFZ46ZSPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
467+1.30 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 467
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF International Rectifier IRSDS11306-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 62152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
394+1.54 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz46z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF International Rectifier Corporation irfz46npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b734b2220 description (TO-220AB)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFZ46NPBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFZ46NS IR irfz46ns.pdf 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS IR irfz46ns.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46PBF IR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46S IR 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBF IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF IR irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 to252 10+
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46 IRFZ46
Produktcode: 24066
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IR irfz46n.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.64 EUR
10+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produktcode: 76266
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Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46 IRFZ46 Vishay / Siliconix MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NL IRFZ46NL Infineon Technologies irfz46ns.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF Infineon Technologies irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223 description Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS IRFZ46NS Infineon Technologies irfz46ns.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSPBF IRFZ46NSPBF Infineon Technologies irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223 Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRL IRFZ46NSTRL Infineon Technologies irfz46ns.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF Infineon Technologies irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223 Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF IRFZ46NSTRLPBF Infineon Technologies irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223 Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRRPBF IRFZ46NSTRRPBF Infineon Technologies irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223 Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46Z IRFZ46Z Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZL IRFZ46ZL Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBF IRFZ46ZPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS IRFZ46ZS Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226 Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ46NL AUIRFZ46NL Infineon Technologies AUIRFZ46NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 39A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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description irfz46npbf-datasheet.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 32 Stück
6 Stück - stock Köln
26 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.80 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46N description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
50+1.44 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
50+1.44 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description infineon-irfz46ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
534+1.13 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 534
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description infineon-irfz46ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
534+1.13 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 534
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IRFZ46NPBF description irfz46npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b734b2220
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
auf Bestellung 23417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.50 EUR
12+1.58 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description Infineon_IRFZ46N_DataSheet_v01_01_EN-3363263.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.16 EUR
10+1.47 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description INFN-S-A0012837608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
639+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 639
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.39 EUR
161+0.97 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+2.00 EUR
118+1.32 EUR
164+0.92 EUR
500+0.70 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
639+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 639
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
137+1.18 EUR
156+1.00 EUR
200+0.92 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF 140142.pdf
IRFZ46NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF 140142.pdf
IRFZ46NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
422+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 422
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
467+1.30 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 467
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf
IRFZ46ZSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
467+1.30 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 467
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
356+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF IRSDS11306-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 62152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
356+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF infineon-irfz46z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF infineon-irfz46z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
394+1.54 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF infineon-irfz46z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description irfz46npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b734b2220
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS irfz46ns.pdf
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS irfz46ns.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46PBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46S
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
Hersteller: IR
to252 10+
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFZ46N 53A 55V N-ch TO-220
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46
Produktcode: 24066
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irfz46n.pdf
IRFZ46
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/65
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.64 EUR
10+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produktcode: 76266
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Einstellbarer Stabilisator auf IRFZ46 (+3..27V, bis 20 А)
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+4.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46
IRFZ46
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NL irfz46ns.pdf
IRFZ46NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NLPBF description irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223
IRFZ46NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF description infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NS irfz46ns.pdf
IRFZ46NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSPBF irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223
IRFZ46NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRL irfz46ns.pdf
IRFZ46NSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223
IRFZ46NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBF irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223
IRFZ46NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRRPBF irfz46nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e91ca2223
IRFZ46NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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IRFZ46Z irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46Z
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZL irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZS irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBF irfz46zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e9b002226
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRFZ46NL AUIRFZ46NS%2CNL.pdf
AUIRFZ46NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 39A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH