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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies eticaret_dosya_464237_4505928.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 136
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies eticaret_dosya_464237_4505928.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies eticaret_dosya_464237_4505928.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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108+1.46 EUR
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1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 108
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies eticaret_dosya_464237_4505928.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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161+0.98 EUR
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500+ 0.56 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 161
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
76+ 0.95 EUR
130+ 0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
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59+1.22 EUR
76+ 0.95 EUR
130+ 0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 59
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB8314_DS_v02_00_EN-1732079.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
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Mindestbestellmenge: 2
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
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11+1.65 EUR
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1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
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156+1 EUR
188+ 0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 156
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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125+1.26 EUR
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500+ 0.56 EUR
1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON INFN-S-A0002837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 130 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4517 Stücke:
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
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134+1.17 EUR
155+ 0.97 EUR
187+ 0.78 EUR
500+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 134
IRLB8721PBF IRLB8721PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8721pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
86+ 0.84 EUR
93+ 0.78 EUR
122+ 0.59 EUR
129+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRLB8721PBF IRLB8721PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8721pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
86+ 0.84 EUR
93+ 0.78 EUR
122+ 0.59 EUR
129+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB8721_DataSheet_v01_01_EN-3363432.pdf description MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg
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2+1.72 EUR
10+ 1.27 EUR
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1000+ 0.73 EUR
2000+ 0.7 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591 description Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
auf Bestellung 16944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
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1000+ 0.76 EUR
2000+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
10000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.25 EUR
156+ 0.97 EUR
184+ 0.79 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 125
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies irlb8721pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.88 EUR
193+ 0.78 EUR
200+ 0.73 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 177
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1 EUR
185+ 0.82 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.58 EUR
2000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 156
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.59 EUR
133+ 1.14 EUR
164+ 0.89 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 99
IRLB8721PBF IRLB8721PBF INFINEON INFN-S-A0012905377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLB8721PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.18 EUR
164+ 0.92 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 133
IRLB8743 International Rectifier N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8743pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8743pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.34 EUR
54+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB8743_DataSheet_v01_01_EN-3363390.pdf MOSFET MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg
auf Bestellung 17255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.67 EUR
10+ 1.2 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies irlb8743pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356605d6b2593 Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
50+ 1.96 EUR
100+ 1.55 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.94 EUR
183+ 0.83 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 167
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.1 EUR
167+ 0.9 EUR
183+ 0.8 EUR
500+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 143
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.15 EUR
154+ 0.98 EUR
176+ 0.83 EUR
200+ 0.76 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.63 EUR
2000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 137
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON INFN-S-A0012905687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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115+1.36 EUR
146+ 1.04 EUR
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1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 115
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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146+1.07 EUR
165+ 0.91 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 146
IRLB8748 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 92A; 75W; -55°C ~ 175°C; IRLB8748 TIRLB8748
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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30+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRLB8748PBF IRLB8748PBF Infineon Technologies irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595 Description: MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2139 pF @ 15 V
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11+1.72 EUR
50+ 1.39 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.76 EUR
2000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLB8748PBF IRLB8748PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB8748_DataSheet_v01_01_EN-3363391.pdf MOSFET MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg
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2+1.72 EUR
10+ 1.05 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.74 EUR
2000+ 0.7 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB8748PBF IRLB8748PBF Infineon Technologies infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON 436506.pdf Description: INFINEON - IRLB8748PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1013 Stücke:
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IRLB8748PBF IRLB8748PBF Infineon Technologies infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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221+0.71 EUR
222+ 0.68 EUR
229+ 0.63 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 221
IRLB8748PBF IRLB8748PBF Infineon Technologies infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15760 Stücke:
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240+0.65 EUR
258+ 0.59 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.48 EUR
2000+ 0.45 EUR
5000+ 0.42 EUR
10000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 240
IRLB8748PBF IRLB8748PBF Infineon Technologies infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15768 Stücke:
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199+0.79 EUR
239+ 0.63 EUR
257+ 0.57 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.47 EUR
2000+ 0.43 EUR
5000+ 0.4 EUR
10000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 199
IRLB3034PBF International Rectifier Corporation irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585 MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 30 Stücke:
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IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
auf Bestellung 44 Stücke:
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IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
auf Bestellung 100 Stücke:
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IRLB4132PBF; 100A; 30V; 140W; 3,5mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRLB8314PBF Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3
auf Bestellung 75 Stücke:
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IRLB8743 Infineon N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRLBA3803 irlba3803.pdf
auf Bestellung 3300 Stücke:
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IRLBD59N04E IRLBD59N04E Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB3034PBF 195A 40V N-ch TO-220
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB3813PBF 260A 30V N-ch TO-220
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB4030PBF 180A 100V N-ch ТО-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB8743PBF 150A 30V N-ch ТО-220
auf Bestellung 8 Stücke:
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2608011024000 2608011024000 Würth Elektronik 2608011024000.pdf Description: RF TXRX MODULE BT CHIP SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Module
Sensitivity: -96dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 3dBm
Data Rate: 1Mbps
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 5.4mA
Current - Transmitting: 5.3mA
Antenna Type: Integrated, Chip
Utilized IC / Part: nRF52832
Modulation: DSSS
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+27.03 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2608011024000 2608011024000 Würth Elektronik 2608011024000.pdf Description: RF TXRX MODULE BT CHIP SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Module
Sensitivity: -96dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 3dBm
Data Rate: 1Mbps
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 5.4mA
Current - Transmitting: 5.3mA
Antenna Type: Integrated, Chip
Utilized IC / Part: nRF52832
Modulation: DSSS
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.03 EUR
10+ 24.14 EUR
2608011124000 2608011124000 Würth Elektronik 2608011124000.pdf Description: RF TXRX MODULE BT CAST SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Module
Sensitivity: -96dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 3dBm
Data Rate: 1Mbps
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 5.4mA
Current - Transmitting: 5.3mA
Antenna Type: Antenna Not Included, Castellation
Utilized IC / Part: nRF52832
Modulation: DSSS
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+18.19 EUR
Mindestbestellmenge: 500
IRLB4132PBF eticaret_dosya_464237_4505928.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
136+1.15 EUR
160+ 0.95 EUR
193+ 0.75 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 136
IRLB4132PBF 2915227.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB4132PBF eticaret_dosya_464237_4505928.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB4132PBF eticaret_dosya_464237_4505928.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
108+1.46 EUR
134+ 1.13 EUR
171+ 0.85 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 108
IRLB4132PBF eticaret_dosya_464237_4505928.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
161+0.98 EUR
194+ 0.78 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 161
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.22 EUR
76+ 0.95 EUR
130+ 0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.22 EUR
76+ 0.95 EUR
130+ 0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRLB8314PBF Infineon_IRLB8314_DS_v02_00_EN-1732079.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.64 EUR
10+ 1.32 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.72 EUR
5000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.65 EUR
50+ 1.33 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLB8314PBF 116714363039863irlb8314pbf.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
156+1 EUR
188+ 0.8 EUR
500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 156
IRLB8314PBF 116714363039863irlb8314pbf.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
125+1.26 EUR
178+ 0.85 EUR
195+ 0.75 EUR
200+ 0.71 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125
IRLB8314PBF 116714363039863irlb8314pbf.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8314PBF INFN-S-A0002837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 130 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8314PBF 116714363039863irlb8314pbf.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
134+1.17 EUR
155+ 0.97 EUR
187+ 0.78 EUR
500+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 134
IRLB8721PBF description irlb8721pbf.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
64+1.13 EUR
86+ 0.84 EUR
93+ 0.78 EUR
122+ 0.59 EUR
129+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRLB8721PBF description irlb8721pbf.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
64+1.13 EUR
86+ 0.84 EUR
93+ 0.78 EUR
122+ 0.59 EUR
129+ 0.56 EUR
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IRLB8721PBF description Infineon_IRLB8721_DataSheet_v01_01_EN-3363432.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg
auf Bestellung 7359 Stücke:
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2+1.72 EUR
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IRLB8721PBF description irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
auf Bestellung 16944 Stücke:
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11+1.72 EUR
50+ 1.39 EUR
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2000+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
10000+ 0.65 EUR
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IRLB8721PBF description infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
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125+1.25 EUR
156+ 0.97 EUR
184+ 0.79 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 125
IRLB8721PBF description irlb8721pbf.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
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IRLB8721PBF description infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3460 Stücke:
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177+0.88 EUR
193+ 0.78 EUR
200+ 0.73 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.62 EUR
2000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 177
IRLB8721PBF description infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4845 Stücke:
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156+1 EUR
185+ 0.82 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.58 EUR
2000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 156
IRLB8721PBF description infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
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99+1.59 EUR
133+ 1.14 EUR
164+ 0.89 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 99
IRLB8721PBF description INFN-S-A0012905377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB8721PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8721PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3273 Stücke:
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IRLB8721PBF description infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8721PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
133+1.18 EUR
164+ 0.92 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 133
IRLB8743
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.28 EUR
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IRLB8743PBF irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRLB8743PBF irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+1.34 EUR
54+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRLB8743PBF Infineon_IRLB8743_DataSheet_v01_01_EN-3363390.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg
auf Bestellung 17255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.67 EUR
10+ 1.2 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB8743PBF irlb8743pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356605d6b2593
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.45 EUR
50+ 1.96 EUR
100+ 1.55 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRLB8743PBF infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
167+0.94 EUR
183+ 0.83 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 167
IRLB8743PBF infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
143+1.1 EUR
167+ 0.9 EUR
183+ 0.8 EUR
500+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 143
IRLB8743PBF infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
137+1.15 EUR
154+ 0.98 EUR
176+ 0.83 EUR
200+ 0.76 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.63 EUR
2000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 137
IRLB8743PBF INFN-S-A0012905687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB8743PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8743PBF infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8743PBF infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
115+1.36 EUR
146+ 1.04 EUR
165+ 0.88 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 115
IRLB8743PBF infineon-irlb8743-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
146+1.07 EUR
165+ 0.91 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 146
IRLB8748
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 92A; 75W; -55°C ~ 175°C; IRLB8748 TIRLB8748
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRLB8748PBF irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595
IRLB8748PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2139 pF @ 15 V
auf Bestellung 4188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.72 EUR
50+ 1.39 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.76 EUR
2000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLB8748PBF Infineon_IRLB8748_DataSheet_v01_01_EN-3363391.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg
auf Bestellung 5246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.72 EUR
10+ 1.05 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.83 EUR
1000+ 0.74 EUR
2000+ 0.7 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB8748PBF infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8748PBF 436506.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8748PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8748PBF infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
221+0.71 EUR
222+ 0.68 EUR
229+ 0.63 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.54 EUR
2000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 221
IRLB8748PBF infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
240+0.65 EUR
258+ 0.59 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.48 EUR
2000+ 0.45 EUR
5000+ 0.42 EUR
10000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 240
IRLB8748PBF infineon-irlb8748-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
199+0.79 EUR
239+ 0.63 EUR
257+ 0.57 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.47 EUR
2000+ 0.43 EUR
5000+ 0.4 EUR
10000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 199
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB4132
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRLB4132PBF; 100A; 30V; 140W; 3,5mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Hersteller: Infineon Technologies
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8743
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRLBA3803 irlba3803.pdf
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLBD59N04E
IRLBD59N04E Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB3034PBF 195A 40V N-ch TO-220
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB3813PBF 260A 30V N-ch TO-220
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB4030PBF 180A 100V N-ch ТО-220
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Транзистор польовий IRLB8743PBF 150A 30V N-ch ТО-220
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2608011024000 2608011024000.pdf
2608011024000
Hersteller: Würth Elektronik
Description: RF TXRX MODULE BT CHIP SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Module
Sensitivity: -96dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 3dBm
Data Rate: 1Mbps
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 5.4mA
Current - Transmitting: 5.3mA
Antenna Type: Integrated, Chip
Utilized IC / Part: nRF52832
Modulation: DSSS
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 500 Stücke:
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2608011024000
Hersteller: Würth Elektronik
Description: RF TXRX MODULE BT CHIP SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Module
Sensitivity: -96dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 3dBm
Data Rate: 1Mbps
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 5.4mA
Current - Transmitting: 5.3mA
Antenna Type: Integrated, Chip
Utilized IC / Part: nRF52832
Modulation: DSSS
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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2608011124000
Hersteller: Würth Elektronik
Description: RF TXRX MODULE BT CAST SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Module
Sensitivity: -96dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 3dBm
Data Rate: 1Mbps
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 5.4mA
Current - Transmitting: 5.3mA
Antenna Type: Antenna Not Included, Castellation
Utilized IC / Part: nRF52832
Modulation: DSSS
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
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