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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRLB3034PBF Produktcode: 36195
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 117 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLB3813PBF Produktcode: 113437
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Uds,V: 30 V Idd,A: 190 A Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 118 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB4132 Produktcode: 86447
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 30 V Idd,A: 150 A Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 79 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB8748PBF Produktcode: 100095
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 30 Idd,A: 78 Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 49 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRLB3034 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3034 | UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3034 | UMW |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
auf Bestellung 906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3034 IRLB3034 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036 | Infineon |
N-MOSFET 195A 60V 380W 0.0024Ω IRLB3036 TIRLB3036 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 91nC Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 91nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3036PBFXKMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A On-state resistance: 1.95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 57nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A On-state resistance: 1.95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 57nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 14269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 14269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 3 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 87nC Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 87nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF Produktcode: 36195
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 117 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.80 EUR |
IRLB3813PBF Produktcode: 113437
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 118 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB4132 Produktcode: 86447
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 79 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB8748PBF Produktcode: 100095
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 49 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3034 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.54 EUR |
IRLB3034 |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.22 EUR |
IRLB3034 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 3.01 EUR |
10+ | 1.91 EUR |
100+ | 1.29 EUR |
500+ | 1.02 EUR |
IRLB3034 IRLB3034 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.54 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 7.76 EUR |
50+ | 4.01 EUR |
100+ | 3.65 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.95 EUR |
10+ | 5.70 EUR |
25+ | 3.89 EUR |
100+ | 3.48 EUR |
250+ | 3.45 EUR |
500+ | 2.97 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
71+ | 2.29 EUR |
87+ | 1.79 EUR |
100+ | 1.60 EUR |
500+ | 1.37 EUR |
1000+ | 1.23 EUR |
2000+ | 1.15 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 5.73 EUR |
30+ | 5.28 EUR |
45+ | 3.35 EUR |
100+ | 2.79 EUR |
250+ | 2.65 EUR |
500+ | 2.34 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
168+ | 3.61 EUR |
500+ | 3.32 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 5.74 EUR |
30+ | 5.29 EUR |
45+ | 3.36 EUR |
100+ | 2.80 EUR |
250+ | 2.66 EUR |
500+ | 2.34 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 3.09 EUR |
IRLB3034PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
168+ | 3.61 EUR |
IRLB3036 |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 195A 60V 380W 0.0024Ω IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 195A 60V 380W 0.0024Ω IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 6.39 EUR |
IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 91nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 91nC
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.95 EUR |
21+ | 3.50 EUR |
22+ | 3.32 EUR |
IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 91nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 91nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.95 EUR |
21+ | 3.50 EUR |
22+ | 3.32 EUR |
IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.83 EUR |
10+ | 3.59 EUR |
25+ | 2.69 EUR |
IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 4.49 EUR |
IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 3.13 EUR |
64+ | 2.44 EUR |
100+ | 2.26 EUR |
1000+ | 2.07 EUR |
IRLB3036PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3036PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.10 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.10 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.85 EUR |
10+ | 1.72 EUR |
100+ | 1.55 EUR |
250+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
1000+ | 1.25 EUR |
2000+ | 1.16 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.89 EUR |
50+ | 1.90 EUR |
100+ | 1.70 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
1000+ | 1.26 EUR |
2000+ | 1.16 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
172+ | 0.94 EUR |
174+ | 0.90 EUR |
178+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.71 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
128+ | 1.27 EUR |
129+ | 1.21 EUR |
137+ | 1.10 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
128+ | 1.27 EUR |
129+ | 1.21 EUR |
137+ | 1.10 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.94 EUR |
175+ | 0.89 EUR |
178+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.71 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
170+ | 0.95 EUR |
171+ | 0.91 EUR |
200+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.80 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 2.43 EUR |
100+ | 2.23 EUR |
250+ | 2.07 EUR |
500+ | 1.91 EUR |
1000+ | 1.78 EUR |
IRLB3813PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 2.43 EUR |
100+ | 2.23 EUR |
250+ | 2.07 EUR |
IRLB4030 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 8.28 EUR |
IRLB4030 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 10.25 EUR |
IRLB4030 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 8.28 EUR |
IRLB4030PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 87nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 87nC
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
IRLB4030PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 87nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 87nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
7+ | 10.21 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
500+ | 2.33 EUR |
IRLB4030PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 8403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 6.28 EUR |
10+ | 4.12 EUR |
100+ | 2.89 EUR |
500+ | 2.36 EUR |
1000+ | 2.19 EUR |
2000+ | 2.16 EUR |
IRLB4030PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.23 EUR |
10+ | 4.10 EUR |
100+ | 2.87 EUR |
500+ | 2.80 EUR |
2000+ | 2.24 EUR |
IRLB4030PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB4030PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 2.64 EUR |
67+ | 2.33 EUR |
100+ | 2.17 EUR |
IRLB4030PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB4030PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 4.39 EUR |
50+ | 4.07 EUR |
100+ | 3.79 EUR |
250+ | 3.53 EUR |
500+ | 3.30 EUR |
IRLB4132 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.36 EUR |
IRLB4132PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
83+ | 0.86 EUR |
129+ | 0.55 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
IRLB4132PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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54+ | 1.34 EUR |
83+ | 0.86 EUR |
129+ | 0.55 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
500+ | 0.50 EUR |
IRLB4132PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.02 EUR |
10+ | 1.21 EUR |
100+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.64 EUR |
IRLB4132PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
auf Bestellung 4289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 2.09 EUR |
14+ | 1.32 EUR |
100+ | 0.88 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1000+ | 0.63 EUR |
2000+ | 0.62 EUR |
IRLB4132PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
817+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
IRLB4132PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
246+ | 0.66 EUR |
250+ | 0.62 EUR |
262+ | 0.57 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
IRLB4132PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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817+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
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