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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLB3034PBF IRLB3034PBF
Produktcode: 36195
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IR irlb3034pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 224 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132 IRLB4132
Produktcode: 86447
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 304 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF IRLB8748PBF
Produktcode: 100095
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IR infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 46 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 UMW ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 IRLB3034 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
6+11.91 EUR
17+4.2 EUR
200+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.02 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.02 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.42 EUR
50+2.72 EUR
100+2.12 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.02 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.36 EUR
21+3.5 EUR
23+3.25 EUR
50+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
21+3.5 EUR
23+3.25 EUR
50+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.93 EUR
10+4.29 EUR
100+3.04 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.8 EUR
47+2.91 EUR
100+2.22 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.43 EUR
28+5.01 EUR
50+4.64 EUR
100+4.31 EUR
250+4.02 EUR
500+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.57 EUR
50+3.85 EUR
100+3.64 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.85 EUR
47+2.95 EUR
100+2.25 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813 International Rectifier N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB3813-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.59 EUR
100+1.48 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.06 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.28 EUR
65+2.11 EUR
100+1.96 EUR
250+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.06 EUR
132+1 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.28 EUR
65+2.11 EUR
100+1.96 EUR
250+1.83 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.07 EUR
139+0.98 EUR
140+0.94 EUR
200+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.00195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.04 EUR
133+0.99 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.96 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
500+1.79 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.84 EUR
50+3.56 EUR
100+3.32 EUR
250+3.09 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.25 EUR
50+3.29 EUR
100+3.12 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.2 EUR
43+3.19 EUR
100+2.26 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.28 EUR
43+3.24 EUR
100+2.29 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
91+0.79 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
91+0.79 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.39 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.62 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.16 EUR
108+1.27 EUR
200+1.04 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.88 EUR
189+0.72 EUR
234+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
84+0.86 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
84+0.86 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+0.99 EUR
100+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.74 EUR
195+0.7 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.41 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON 3029338.pdf Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.05 EUR
200+0.89 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF
Produktcode: 36195
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irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 224 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132
Produktcode: 86447
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IRLB4132
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 304 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF
Produktcode: 100095
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infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 46 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 IRLB3034
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739
IRLB3034PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
6+11.91 EUR
17+4.2 EUR
200+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+3.02 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+3.02 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+4.42 EUR
50+2.72 EUR
100+2.12 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+3.02 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
21+3.5 EUR
23+3.25 EUR
50+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
21+3.5 EUR
23+3.25 EUR
50+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.93 EUR
10+4.29 EUR
100+3.04 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+3.8 EUR
47+2.91 EUR
100+2.22 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
158+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.43 EUR
28+5.01 EUR
50+4.64 EUR
100+4.31 EUR
250+4.02 EUR
500+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.57 EUR
50+3.85 EUR
100+3.64 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+3.85 EUR
47+2.95 EUR
100+2.25 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF Infineon-IRLB3813-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.55 EUR
10+1.59 EUR
100+1.48 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.06 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+2.28 EUR
65+2.11 EUR
100+1.96 EUR
250+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+1.06 EUR
132+1 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+2.28 EUR
65+2.11 EUR
100+1.96 EUR
250+1.83 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+1.07 EUR
139+0.98 EUR
140+0.94 EUR
200+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.00195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
131+1.04 EUR
133+0.99 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
500+1.79 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+3.84 EUR
50+3.56 EUR
100+3.32 EUR
250+3.09 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.25 EUR
50+3.29 EUR
100+3.12 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+5.2 EUR
43+3.19 EUR
100+2.26 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.28 EUR
43+3.24 EUR
100+2.29 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
91+0.79 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
91+0.79 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.39 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.62 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
669+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 669
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+2.16 EUR
108+1.27 EUR
200+1.04 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
669+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 669
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IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.88 EUR
189+0.72 EUR
234+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 160
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IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
84+0.86 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
84+0.86 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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IRLB8314PBF Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.25 EUR
10+0.99 EUR
100+0.95 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
190+0.74 EUR
195+0.7 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.41 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 190
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IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+2.05 EUR
200+0.89 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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