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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLB3034PBF IRLB3034PBF
Produktcode: 36195
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IR irlb3034pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 50 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 103 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132 IRLB4132
Produktcode: 86447
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF IRLB8748PBF
Produktcode: 100095
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IR infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 International Rectifier ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 UMW ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 IRLB3034 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.38 EUR
53+2.63 EUR
59+2.28 EUR
100+2.03 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.09 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.57 EUR
10000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.09 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF International Rectifier HiRel Products irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585 Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.03 EUR
25+2.93 EUR
29+2.52 EUR
32+2.26 EUR
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.18 EUR
10+4.73 EUR
100+3.36 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.13 EUR
56+2.49 EUR
100+2.08 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.11 EUR
57+2.47 EUR
100+2.07 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.7 EUR
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.64 EUR
39+3.59 EUR
100+2.67 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.34 EUR
68+2.07 EUR
70+1.93 EUR
100+1.79 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813 IRLB3813 International Rectifier info-tirlb3813.pdf N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 57nC
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
55+1.32 EUR
74+0.97 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+1.9 EUR
100+1.69 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.35 EUR
100+2.17 EUR
250+2 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.35 EUR
100+2.17 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.62 EUR
90+1.55 EUR
100+1.36 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.78 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.64 EUR
90+1.56 EUR
100+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.79 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.58 EUR
93+1.51 EUR
101+1.34 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.76 EUR
21+3.55 EUR
27+2.67 EUR
50+1.87 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.77 EUR
10+2.83 EUR
100+2.6 EUR
500+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.93 EUR
50+3.65 EUR
100+3.4 EUR
250+3.17 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.38 EUR
54+2.6 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.49 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8208 Stücke:
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27+5.42 EUR
54+2.62 EUR
100+2.3 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.51 EUR
5000+1.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 462 Stücke:
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235+2.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1141 Stücke:
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30+4.94 EUR
55+2.55 EUR
100+2.25 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
59+1.23 EUR
67+1.08 EUR
91+0.79 EUR
103+0.7 EUR
250+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.5 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 531 Stücke:
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239+0.61 EUR
256+0.55 EUR
278+0.48 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.59 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON IRLB4132PbF.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
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669+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1000+0.59 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.91 EUR
116+1.2 EUR
169+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.56 EUR
279+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 257
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
96+0.75 EUR
116+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 3332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.08 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.72 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+0.93 EUR
157+0.89 EUR
172+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF
Produktcode: 36195
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 50 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 103 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132
Produktcode: 86447
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRLB4132
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8748PBF
Produktcode: 100095
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf
IRLB8748PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034 IRLB3034
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+3.38 EUR
53+2.63 EUR
59+2.28 EUR
100+2.03 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+3.09 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.57 EUR
10000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+3.09 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
25+2.93 EUR
29+2.52 EUR
32+2.26 EUR
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.18 EUR
10+4.73 EUR
100+3.36 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+3.13 EUR
56+2.49 EUR
100+2.08 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+3.11 EUR
57+2.47 EUR
100+2.07 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.7 EUR
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.64 EUR
39+3.59 EUR
100+2.67 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+2.34 EUR
68+2.07 EUR
70+1.93 EUR
100+1.79 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 3732235.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813 info-tirlb3813.pdf
IRLB3813
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 57nC
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
55+1.32 EUR
74+0.97 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.75 EUR
10+1.9 EUR
100+1.69 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+2.35 EUR
100+2.17 EUR
250+2 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+2.35 EUR
100+2.17 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
89+1.62 EUR
90+1.55 EUR
100+1.36 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.78 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
89+1.64 EUR
90+1.56 EUR
100+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.79 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.58 EUR
93+1.51 EUR
101+1.34 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.76 EUR
21+3.55 EUR
27+2.67 EUR
50+1.87 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.77 EUR
10+2.83 EUR
100+2.6 EUR
500+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+3.93 EUR
50+3.65 EUR
100+3.4 EUR
250+3.17 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.38 EUR
54+2.6 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.49 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.42 EUR
54+2.62 EUR
100+2.3 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.51 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
235+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+4.94 EUR
55+2.55 EUR
100+2.25 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
59+1.23 EUR
67+1.08 EUR
91+0.79 EUR
103+0.7 EUR
250+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.5 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.61 EUR
256+0.55 EUR
278+0.48 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
669+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.59 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
669+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.59 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+1.91 EUR
116+1.2 EUR
169+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
257+0.56 EUR
279+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 257
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
96+0.75 EUR
116+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 3332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.27 EUR
10+1.08 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.72 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.93 EUR
157+0.89 EUR
172+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 156
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IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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