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IRLB3034PBF IRLB3034PBF
Produktcode: 36195 		IR irlb3034pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
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JHGF: THT
auf Bestellung 107 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.8 EUR
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Produktcode: 113437 		IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
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JHGF: THT
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4 Stück:
4 Stück - erwartet
IRLB4132 IRLB4132
Produktcode: 86447 		IR Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
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JHGF: THT
auf Bestellung 217 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLB8721PBF
Produktcode: 182469 		irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591 description Transistoren > MOSFET N-CH
erwartet: 10 Stück
IRLB8743PBF IRLB8743PBF
Produktcode: 124979 		IR irlb8743pbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
erwartet: 10 Stück
IRLB8743PBF IRLB8743PBF
Produktcode: 190955 		JSMICRO IRLB8743PBF_ds.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
JHGF: THT
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLB8748PBF IRLB8748PBF
Produktcode: 100095 		IR irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
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JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLB3034 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3034pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.75 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
50+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3034pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.75 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
50+ 2.87 EUR
100+ 2.85 EUR
250+ 2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.04 EUR
50+ 4.78 EUR
100+ 4.09 EUR
500+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3034_DataSheet_v01_01_EN-3363397.pdf MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+ 4.72 EUR
25+ 4.12 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.61 EUR
500+ 3.29 EUR
1000+ 3.15 EUR
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.31 EUR
49+ 3.1 EUR
53+ 2.79 EUR
100+ 2.51 EUR
250+ 2.32 EUR
500+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 48
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.03 EUR
53+ 2.86 EUR
56+ 2.61 EUR
100+ 2.37 EUR
250+ 2.21 EUR
500+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 52
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.03 EUR
53+ 2.86 EUR
56+ 2.49 EUR
100+ 2.26 EUR
250+ 2.11 EUR
500+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON INFN-S-A0012838563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.33 EUR
49+ 3.13 EUR
52+ 2.69 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.23 EUR
500+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.77 EUR
96+ 1.57 EUR
100+ 1.47 EUR
200+ 1.4 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.2 EUR
2000+ 1.13 EUR
4000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 89
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.95 EUR
21+ 3.5 EUR
22+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.95 EUR
21+ 3.5 EUR
22+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN-3363371.pdf MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 3191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+ 6.67 EUR
25+ 5.09 EUR
100+ 4.33 EUR
500+ 3.89 EUR
1000+ 3.4 EUR
2000+ 3.29 EUR
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
auf Bestellung 20230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.83 EUR
50+ 5.41 EUR
100+ 4.64 EUR
500+ 4.12 EUR
1000+ 3.53 EUR
2000+ 3.32 EUR
5000+ 3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.4 EUR
30+ 5.05 EUR
37+ 3.98 EUR
100+ 3.24 EUR
250+ 3.08 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.36 EUR
31+ 5 EUR
37+ 3.97 EUR
100+ 3.24 EUR
250+ 3.08 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.32 EUR
26+ 5.89 EUR
34+ 4.38 EUR
100+ 3.43 EUR
250+ 3.26 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.34 EUR
31+ 4.93 EUR
50+ 4.56 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 3.95 EUR
500+ 3.68 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.83 EUR
50+ 3.28 EUR
100+ 3.05 EUR
200+ 2.91 EUR
500+ 2.61 EUR
1000+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.32 EUR
26+ 5.86 EUR
33+ 4.41 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.29 EUR
500+ 2.92 EUR
1000+ 2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLB3813 International Rectifier N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.46 EUR
32+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.76 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.4 EUR
2000+ 1.33 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
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6+2.97 EUR
50+ 2.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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122+ 1.19 EUR
500+ 1.09 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies 125378770676729.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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105+1.5 EUR
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1000+ 1 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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65+2.43 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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79+1.98 EUR
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2000+ 0.93 EUR
5000+ 0.86 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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109+1.44 EUR
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500+ 1.13 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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65+2.43 EUR
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500+ 1.92 EUR
1000+ 1.78 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 714 Stücke:
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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79+1.99 EUR
92+ 1.65 EUR
109+ 1.34 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.99 EUR
2000+ 0.94 EUR
5000+ 0.86 EUR
10000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRLB4030 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
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3+9.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
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5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.85 EUR
17+ 4.29 EUR
20+ 3.72 EUR
21+ 3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
17+ 4.29 EUR
20+ 3.72 EUR
21+ 3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN-3363471.pdf MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+ 5.76 EUR
25+ 5.49 EUR
100+ 4.58 EUR
250+ 4.56 EUR
500+ 4.1 EUR
1000+ 3.63 EUR
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 13564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
10+ 6.01 EUR
100+ 4.87 EUR
500+ 4.33 EUR
1000+ 3.7 EUR
2000+ 3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.67 EUR
50+ 3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
78+ 0.93 EUR
122+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 62
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
78+ 0.93 EUR
122+ 0.59 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 62
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN-3363431.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+ 1.25 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.67 EUR
2000+ 0.64 EUR
5000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB3034PBF
Produktcode: 36195		 irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 107 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.8 EUR
IRLB3813PBF
Produktcode: 113437		 irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4 Stück:
4 Stück - erwartet
IRLB4132
Produktcode: 86447
IRLB4132
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 217 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLB8721PBF
Produktcode: 182469		 description irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591
Transistoren > MOSFET N-CH
erwartet: 10 Stück
IRLB8743PBF
Produktcode: 124979		 irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
erwartet: 10 Stück
IRLB8743PBF
Produktcode: 190955		 IRLB8743PBF_ds.pdf
IRLB8743PBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
JHGF: THT
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLB8748PBF
Produktcode: 100095		 irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595
IRLB8748PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLB3034
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+3.75 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
50+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+3.75 EUR
24+ 3.05 EUR
25+ 2.89 EUR
50+ 2.87 EUR
100+ 2.85 EUR
250+ 2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.04 EUR
50+ 4.78 EUR
100+ 4.09 EUR
500+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLB3034PBF Infineon_IRLB3034_DataSheet_v01_01_EN-3363397.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.95 EUR
10+ 4.72 EUR
25+ 4.12 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.61 EUR
500+ 3.29 EUR
1000+ 3.15 EUR
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+3.31 EUR
49+ 3.1 EUR
53+ 2.79 EUR
100+ 2.51 EUR
250+ 2.32 EUR
500+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 48
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+3.03 EUR
53+ 2.86 EUR
56+ 2.61 EUR
100+ 2.37 EUR
250+ 2.21 EUR
500+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 52
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+3.03 EUR
53+ 2.86 EUR
56+ 2.49 EUR
100+ 2.26 EUR
250+ 2.11 EUR
500+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52
IRLB3034PBF INFN-S-A0012838563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3034PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+3.33 EUR
49+ 3.13 EUR
52+ 2.69 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.23 EUR
500+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
89+1.77 EUR
96+ 1.57 EUR
100+ 1.47 EUR
200+ 1.4 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.2 EUR
2000+ 1.13 EUR
4000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 89
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+4.95 EUR
21+ 3.5 EUR
22+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+4.95 EUR
21+ 3.5 EUR
22+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB3036PBF Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN-3363371.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 3191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.76 EUR
10+ 6.67 EUR
25+ 5.09 EUR
100+ 4.33 EUR
500+ 3.89 EUR
1000+ 3.4 EUR
2000+ 3.29 EUR
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
auf Bestellung 20230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.83 EUR
50+ 5.41 EUR
100+ 4.64 EUR
500+ 4.12 EUR
1000+ 3.53 EUR
2000+ 3.32 EUR
5000+ 3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+5.4 EUR
30+ 5.05 EUR
37+ 3.98 EUR
100+ 3.24 EUR
250+ 3.08 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+5.36 EUR
31+ 5 EUR
37+ 3.97 EUR
100+ 3.24 EUR
250+ 3.08 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+6.32 EUR
26+ 5.89 EUR
34+ 4.38 EUR
100+ 3.43 EUR
250+ 3.26 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+5.34 EUR
31+ 4.93 EUR
50+ 4.56 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 3.95 EUR
500+ 3.68 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+3.83 EUR
50+ 3.28 EUR
100+ 3.05 EUR
200+ 2.91 EUR
500+ 2.61 EUR
1000+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 41
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+6.32 EUR
26+ 5.86 EUR
33+ 4.41 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.29 EUR
500+ 2.92 EUR
1000+ 2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLB3813
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+2.46 EUR
32+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRLB3813PBF Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.62 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.76 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.4 EUR
2000+ 1.33 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
auf Bestellung 5271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+2.97 EUR
50+ 2.39 EUR
100+ 1.96 EUR
500+ 1.66 EUR
1000+ 1.41 EUR
2000+ 1.34 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
99+1.59 EUR
109+ 1.39 EUR
122+ 1.19 EUR
500+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 99
IRLB3813PBF 125378770676729.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
105+1.5 EUR
108+ 1.4 EUR
118+ 1.24 EUR
200+ 1.16 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 105
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+2.43 EUR
100+ 2.24 EUR
250+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 65
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
79+1.98 EUR
92+ 1.64 EUR
109+ 1.34 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.99 EUR
2000+ 0.93 EUR
5000+ 0.86 EUR
10000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
109+1.44 EUR
122+ 1.24 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 109
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+2.43 EUR
100+ 2.24 EUR
250+ 2.07 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 65
IRLB3813PBF INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
79+1.99 EUR
92+ 1.65 EUR
109+ 1.34 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.99 EUR
2000+ 0.94 EUR
5000+ 0.86 EUR
10000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRLB4030
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+9.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLB4030
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRLB4030
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+4.85 EUR
17+ 4.29 EUR
20+ 3.72 EUR
21+ 3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
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15+4.85 EUR
17+ 4.29 EUR
20+ 3.72 EUR
21+ 3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRLB4030PBF Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN-3363471.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 224 Stücke:
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1+6.76 EUR
10+ 5.76 EUR
25+ 5.49 EUR
100+ 4.58 EUR
250+ 4.56 EUR
500+ 4.1 EUR
1000+ 3.63 EUR
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 13564 Stücke:
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3+7.16 EUR
10+ 6.01 EUR
100+ 4.87 EUR
500+ 4.33 EUR
1000+ 3.7 EUR
2000+ 3.49 EUR
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IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 57 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
43+3.67 EUR
50+ 3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB4132
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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25+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
62+1.16 EUR
78+ 0.93 EUR
122+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 62
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
62+1.16 EUR
78+ 0.93 EUR
122+ 0.59 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 62
IRLB4132PBF Infineon_IRLB4132_DataSheet_v01_00_EN-3363431.pdf
IRLB4132PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
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2+1.57 EUR
10+ 1.25 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.67 EUR
2000+ 0.64 EUR
5000+ 0.63 EUR
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