Suchergebnisse für "IXGR40N60C2D1" : 6
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Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IXGR40N60C2D1 | IXYS | 09+ |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IXGR40N60C2D1 (TO-247) Produktcode: 37829
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| IXGR40N60C2D1 | IXYS |
Description: IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns Switching Energy: 200µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 56 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 170 W |
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| IXGR40N60C2D1 | IXYS |
 IGBTs HI SPEED IGBT 600V 27 AMP |
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| IXGR40N60C2D1 |
IGBT 600V 56A Vce(sat)<=2.7V 32ns ISOPLUS247 Транзистори |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 125W Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Pulsed collector current: 230A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 187ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 26A |
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| IXGR40N60C2D1 |
Hersteller: IXYS
09+
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| IXGR40N60C2D1 (TO-247) Produktcode: 37829
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| IXGR40N60C2D1 |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 170 W
Description: IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 170 W
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| IXGR40N60C2D1 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs HI SPEED IGBT 600V 27 AMP
IGBTs HI SPEED IGBT 600V 27 AMP
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| IXGR40N60C2D1 |
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IGBT 600V 56A Vce(sat)<=2.7V 32ns ISOPLUS247 Транзистори
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| IXGR48N60C3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
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