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LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
84+0.85 EUR
95+0.76 EUR
98+0.73 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
84+0.85 EUR
95+0.76 EUR
98+0.73 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 18069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
25+0.70 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 15103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
25+0.71 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.75 EUR
220+0.71 EUR
223+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.60 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
6000+0.66 EUR
9000+0.63 EUR
12000+0.60 EUR
15000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.76 EUR
216+0.72 EUR
220+0.68 EUR
223+0.65 EUR
250+0.61 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.61 EUR
303+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 266
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
77+0.94 EUR
89+0.80 EUR
93+0.78 EUR
94+0.76 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
77+0.94 EUR
89+0.80 EUR
93+0.78 EUR
94+0.76 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 5559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.00 EUR
25+0.87 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.00 EUR
25+0.88 EUR
100+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.01 EUR
161+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.02 EUR
250+0.82 EUR
1000+0.78 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
25+0.93 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
25+0.93 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.96 EUR
170+0.92 EUR
173+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.87 EUR
4000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.85 EUR
201+0.78 EUR
215+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.98 EUR
168+0.93 EUR
170+0.88 EUR
173+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
25+0.93 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
71+1.01 EUR
75+0.96 EUR
83+0.87 EUR
87+0.82 EUR
100+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
71+1.01 EUR
75+0.96 EUR
83+0.87 EUR
87+0.82 EUR
100+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 25454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
25+1.10 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 8285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
25+1.09 EUR
100+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.22 EUR
134+1.16 EUR
137+1.10 EUR
250+1.04 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.22 EUR
148+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 133
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.27 EUR
132+1.18 EUR
134+1.12 EUR
137+1.06 EUR
250+1.00 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.11 EUR
4000+1.06 EUR
6000+1.00 EUR
8000+0.95 EUR
10000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N3 Supertex inc. (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
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LND150N8 SUPER
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LND150N8 SUPERTEX
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LND150N3(Transistor)
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LND150N3-G LND150N3-G
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P002
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P014
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
84+0.85 EUR
95+0.76 EUR
98+0.73 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
84+0.85 EUR
95+0.76 EUR
98+0.73 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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LND150K1-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 18069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.84 EUR
25+0.70 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 15103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.84 EUR
25+0.71 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
216+0.75 EUR
220+0.71 EUR
223+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.60 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.68 EUR
6000+0.66 EUR
9000+0.63 EUR
12000+0.60 EUR
15000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
213+0.76 EUR
216+0.72 EUR
220+0.68 EUR
223+0.65 EUR
250+0.61 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
266+0.61 EUR
303+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 266
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
171+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
77+0.94 EUR
89+0.80 EUR
93+0.78 EUR
94+0.76 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
77+0.94 EUR
89+0.80 EUR
93+0.78 EUR
94+0.76 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 5559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.00 EUR
25+0.87 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.00 EUR
25+0.88 EUR
100+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
160+1.01 EUR
161+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
159+1.02 EUR
250+0.82 EUR
1000+0.78 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
25+0.93 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
25+0.93 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.96 EUR
170+0.92 EUR
173+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.87 EUR
4000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
190+0.85 EUR
201+0.78 EUR
215+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.98 EUR
168+0.93 EUR
170+0.88 EUR
173+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P013
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
25+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
25+0.93 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
71+1.01 EUR
75+0.96 EUR
83+0.87 EUR
87+0.82 EUR
100+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
71+1.01 EUR
75+0.96 EUR
83+0.87 EUR
87+0.82 EUR
100+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 25454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.34 EUR
25+1.10 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 8285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.32 EUR
25+1.09 EUR
100+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+1.22 EUR
134+1.16 EUR
137+1.10 EUR
250+1.04 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
133+1.22 EUR
148+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 133
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.27 EUR
132+1.18 EUR
134+1.12 EUR
137+1.06 EUR
250+1.00 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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LND150N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+1.11 EUR
4000+1.06 EUR
6000+1.00 EUR
8000+0.95 EUR
10000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
auf Bestellung 5 Stücke:
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LND150N3
Hersteller: Supertex inc.
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
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LND150N8
Hersteller: SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LND150N8
Hersteller: SUPERTEX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LND150N3(Transistor)
Produktcode: 51777
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LND150N3-G
Produktcode: 60544
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LND150N3-G
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LND150N3-G-P002
Produktcode: 177449
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LND150N3-G-P014
Produktcode: 188412
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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