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LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
95+0.76 EUR
110+0.65 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
95+0.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 8939 Stücke:
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25+0.67 EUR
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.67 EUR
216+0.64 EUR
220+0.6 EUR
223+0.57 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1362 Stücke:
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222+0.64 EUR
226+0.61 EUR
249+0.53 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 222
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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171+0.84 EUR
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.66 EUR
220+0.63 EUR
223+0.6 EUR
250+0.56 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+0.93 EUR
86+0.83 EUR
101+0.71 EUR
104+0.69 EUR
106+0.67 EUR
111+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.93 EUR
86+0.83 EUR
101+0.71 EUR
104+0.69 EUR
106+0.67 EUR
111+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 5372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
25+0.82 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.89 EUR
161+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.91 EUR
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.87 EUR
168+0.82 EUR
170+0.78 EUR
173+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.35 EUR
114+1.21 EUR
200+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.85 EUR
170+0.81 EUR
173+0.77 EUR
250+0.73 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
25+1.03 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.01 EUR
143+0.96 EUR
145+0.92 EUR
146+0.88 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.98 EUR
4000+0.94 EUR
8000+0.9 EUR
16000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1 EUR
145+0.95 EUR
146+0.91 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150
auf Bestellung 800 Stücke:
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LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N3-G-P013 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P013 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N3-G-P014 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P014 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
95+0.76 EUR
110+0.65 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
95+0.76 EUR
110+0.65 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
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LND150K1-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 8939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.79 EUR
25+0.67 EUR
100+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
213+0.67 EUR
216+0.64 EUR
220+0.6 EUR
223+0.57 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 213
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
222+0.64 EUR
226+0.61 EUR
249+0.53 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 222
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
171+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 171
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
216+0.66 EUR
220+0.63 EUR
223+0.6 EUR
250+0.56 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 216
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.93 EUR
86+0.83 EUR
101+0.71 EUR
104+0.69 EUR
106+0.67 EUR
111+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.93 EUR
86+0.83 EUR
101+0.71 EUR
104+0.69 EUR
106+0.67 EUR
111+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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LND150N3-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 5372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.95 EUR
25+0.82 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.89 EUR
161+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 160
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LND150N3-G-P002 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N3-G-P003 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.91 EUR
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.87 EUR
168+0.82 EUR
170+0.78 EUR
173+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.62 EUR
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LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
106+1.35 EUR
114+1.21 EUR
200+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 106
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LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.85 EUR
170+0.81 EUR
173+0.77 EUR
250+0.73 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.85 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P013
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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LND150N8-g LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.25 EUR
25+1.03 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
142+1.01 EUR
143+0.96 EUR
145+0.92 EUR
146+0.88 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 142
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LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1775 Stücke:
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.98 EUR
4000+0.94 EUR
8000+0.9 EUR
16000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+1 EUR
145+0.95 EUR
146+0.91 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.78 EUR
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LND150
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
Hersteller: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
auf Bestellung 5 Stücke:
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LND150N3
Hersteller: Supertex inc.
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N8
Hersteller: SUPER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8
Hersteller: SUPERTEX
auf Bestellung 3000 Stücke:
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LND150N3(Transistor)
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LND150N3-G
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LND150N3-G
Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P002
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Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P014
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Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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