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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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LND150K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW Mounting: SMD Drain-source voltage: 500V Drain current: 13mA On-state resistance: 1kΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.03A Case: SOT23-3 |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW Mounting: SMD Drain-source voltage: 500V Drain current: 13mA On-state resistance: 1kΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.03A Case: SOT23-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 18069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 2857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 2857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LND150N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depletion Drain current: 30mA |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depletion Drain current: 30mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LND150N3-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 5559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G | MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LND150N3-G-P002 | Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G-P002 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 2241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G-P003 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N3-G-P013 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 1527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G-P014 | Microchip Technology |
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auf Bestellung 1531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N3-G-P014 | Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N8-g | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Drain current: 30mA |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N8-g | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Drain current: 30mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LND150N8-g | Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 25454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N8-g | Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N8-g | Microchip Technology |
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auf Bestellung 8285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150N8-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N8-G | MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LND150N8-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N8-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150N8-G | MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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LND150N8-G | Microchip Technology |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
LND150K1-G | Microchip |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
LND150N3 | Supertex inc. | (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! |
auf Bestellung 509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
LND150N8 | SUPER |
auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
LND150N8 | SUPERTEX |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
LND150N3(Transistor) Produktcode: 51777
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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LND150N3-G Produktcode: 60544
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
LND150N3-G-P002 Produktcode: 177449
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LND150N3-G-P014 Produktcode: 188412
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LND150K1-G | Microchip Technology |
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LND150N3-G | Microchip Technology |
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LND150N3-G | Microchip Technology |
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LND150N3-G-P002 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: tape Kind of channel: depletion |
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LND150N3-G-P002 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: tape Kind of channel: depletion Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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LND150N3-G-P002 | Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
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LND150K1-G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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51+ | 1.42 EUR |
84+ | 0.85 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
LND150K1-G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
84+ | 0.85 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
LND150K1-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 18069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 0.84 EUR |
25+ | 0.70 EUR |
100+ | 0.62 EUR |
LND150K1-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.62 EUR |
LND150K1-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 15103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 0.84 EUR |
25+ | 0.71 EUR |
100+ | 0.62 EUR |
LND150K1-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
216+ | 0.75 EUR |
220+ | 0.71 EUR |
223+ | 0.67 EUR |
250+ | 0.64 EUR |
500+ | 0.60 EUR |
1000+ | 0.57 EUR |
LND150K1-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150K1-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.68 EUR |
6000+ | 0.66 EUR |
9000+ | 0.63 EUR |
12000+ | 0.60 EUR |
15000+ | 0.58 EUR |
LND150K1-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
213+ | 0.76 EUR |
216+ | 0.72 EUR |
220+ | 0.68 EUR |
223+ | 0.65 EUR |
250+ | 0.61 EUR |
500+ | 0.58 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
LND150K1-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.68 EUR |
LND150K1-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
266+ | 0.61 EUR |
303+ | 0.51 EUR |
LND150K1-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
171+ | 0.95 EUR |
LND150K1-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
77+ | 0.94 EUR |
89+ | 0.80 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.73 EUR |
LND150N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
77+ | 0.94 EUR |
89+ | 0.80 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.73 EUR |
LND150N3-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 5559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.00 EUR |
25+ | 0.87 EUR |
100+ | 0.77 EUR |
LND150N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 1.00 EUR |
25+ | 0.88 EUR |
100+ | 0.78 EUR |
LND150N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
160+ | 1.01 EUR |
161+ | 0.97 EUR |
LND150N3-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
159+ | 1.02 EUR |
250+ | 0.82 EUR |
1000+ | 0.78 EUR |
3000+ | 0.75 EUR |
LND150N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N3-G-P002 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 1.14 EUR |
25+ | 0.93 EUR |
100+ | 0.88 EUR |
LND150N3-G-P002 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.14 EUR |
25+ | 0.92 EUR |
100+ | 0.87 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.88 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.14 EUR |
25+ | 0.92 EUR |
100+ | 0.87 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 1.14 EUR |
25+ | 0.93 EUR |
100+ | 0.88 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.83 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
168+ | 0.96 EUR |
170+ | 0.92 EUR |
173+ | 0.87 EUR |
250+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
1000+ | 0.73 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.83 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.87 EUR |
4000+ | 0.82 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
190+ | 0.85 EUR |
201+ | 0.78 EUR |
215+ | 0.70 EUR |
LND150N3-G-P003 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
165+ | 0.98 EUR |
168+ | 0.93 EUR |
170+ | 0.88 EUR |
173+ | 0.83 EUR |
250+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.70 EUR |
LND150N3-G-P013 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.14 EUR |
25+ | 0.92 EUR |
100+ | 0.87 EUR |
LND150N3-G-P014 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.14 EUR |
25+ | 0.92 EUR |
100+ | 0.87 EUR |
LND150N3-G-P014 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 1.14 EUR |
25+ | 0.93 EUR |
100+ | 0.88 EUR |
LND150N8-g |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.01 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
87+ | 0.82 EUR |
100+ | 0.80 EUR |
LND150N8-g |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Drain current: 30mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.01 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
87+ | 0.82 EUR |
100+ | 0.80 EUR |
LND150N8-g |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 25454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 1.34 EUR |
25+ | 1.10 EUR |
100+ | 1.01 EUR |
LND150N8-g |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 1.01 EUR |
LND150N8-g |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 8285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.32 EUR |
25+ | 1.09 EUR |
100+ | 1.00 EUR |
LND150N8-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 1.22 EUR |
134+ | 1.16 EUR |
137+ | 1.10 EUR |
250+ | 1.04 EUR |
500+ | 0.98 EUR |
1000+ | 0.92 EUR |
LND150N8-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N8-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
133+ | 1.22 EUR |
148+ | 1.05 EUR |
LND150N8-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
128+ | 1.27 EUR |
132+ | 1.18 EUR |
134+ | 1.12 EUR |
137+ | 1.06 EUR |
250+ | 1.00 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
1000+ | 0.88 EUR |
LND150N8-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N8-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 1.11 EUR |
4000+ | 1.06 EUR |
6000+ | 1.00 EUR |
8000+ | 0.95 EUR |
10000+ | 0.90 EUR |
LND150K1-G |
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Hersteller: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N3 |
Hersteller: Supertex inc.
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
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auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N8 |
Hersteller: SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N8 |
Hersteller: SUPERTEX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LND150N3(Transistor) Produktcode: 51777
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LND150N3-G Produktcode: 60544
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LND150N3-G-P002 Produktcode: 177449
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LND150N3-G-P014 Produktcode: 188412
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Stück im Wert von UAH
LND150K1-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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Stück im Wert von UAH
LND150N3-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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Stück im Wert von UAH
LND150N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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Stück im Wert von UAH
LND150N3-G-P002 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P002 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N3-G-P002 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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