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LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
94+0.76 EUR
110+0.65 EUR
112+0.64 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
94+0.76 EUR
110+0.65 EUR
112+0.64 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 8889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
25+0.67 EUR
100+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 12182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
28+0.64 EUR
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.65 EUR
226+0.62 EUR
249+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 222
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.68 EUR
216+0.65 EUR
220+0.61 EUR
223+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.59 EUR
12000+0.55 EUR
15000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.67 EUR
220+0.64 EUR
223+0.6 EUR
250+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 5284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
25+0.82 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
25+0.79 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.9 EUR
161+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.07 EUR
250+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
3000+0.72 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
25+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
25+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.86 EUR
170+0.82 EUR
173+0.78 EUR
250+0.74 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.92 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.88 EUR
168+0.83 EUR
170+0.79 EUR
173+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.36 EUR
114+1.22 EUR
200+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
25+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 17632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
25+1 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 6402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
25+1.03 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.01 EUR
145+0.97 EUR
146+0.92 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.02 EUR
143+0.98 EUR
145+0.93 EUR
146+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 142
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LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.99 EUR
4000+0.95 EUR
8000+0.92 EUR
16000+0.88 EUR
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LND150
auf Bestellung 800 Stücke:
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LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
auf Bestellung 5 Stücke:
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LND150N3 Supertex inc. (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
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LND150N8 SUPER
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LND150N8 SUPERTEX
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LND150N3(Transistor)
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LND150N3-G LND150N3-G
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P002
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P014
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
94+0.76 EUR
110+0.65 EUR
112+0.64 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 57
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
94+0.76 EUR
110+0.65 EUR
112+0.64 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 57
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LND150K1-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 8889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.79 EUR
25+0.67 EUR
100+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 12182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.76 EUR
28+0.64 EUR
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
222+0.65 EUR
226+0.62 EUR
249+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 222
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
213+0.68 EUR
216+0.65 EUR
220+0.61 EUR
223+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.65 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.59 EUR
12000+0.55 EUR
15000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
171+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
216+0.67 EUR
220+0.64 EUR
223+0.6 EUR
250+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 5284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.95 EUR
25+0.82 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.92 EUR
25+0.79 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.9 EUR
161+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
135+1.07 EUR
250+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
3000+0.72 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
25+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
25+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.86 EUR
170+0.82 EUR
173+0.78 EUR
250+0.74 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.92 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
165+0.88 EUR
168+0.83 EUR
170+0.79 EUR
173+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
106+1.36 EUR
114+1.22 EUR
200+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P013
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.08 EUR
25+0.87 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
25+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 17632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.2 EUR
25+1 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 6402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.25 EUR
25+1.03 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+1.01 EUR
145+0.97 EUR
146+0.92 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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LND150N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1615 Stücke:
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
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Anzahl Preis
142+1.02 EUR
143+0.98 EUR
145+0.93 EUR
146+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 142
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+0.99 EUR
4000+0.95 EUR
8000+0.92 EUR
16000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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LND150
auf Bestellung 800 Stücke:
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Hersteller: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
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LND150N3
Hersteller: Supertex inc.
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
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LND150N8
Hersteller: SUPER
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LND150N8
Hersteller: SUPERTEX
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LND150N3(Transistor)
Produktcode: 51777
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LND150N3-G
Produktcode: 60544
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LND150N3-G
Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P002
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Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P014
Produktcode: 188412
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Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
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