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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
29+0.63 EUR
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 41305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
25+0.64 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.63 EUR
222+0.61 EUR
250+0.58 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 221
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LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 5 Stücke:
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4+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.66 EUR
221+0.61 EUR
222+0.58 EUR
250+0.56 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 219
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LND150N3 Supertex LND150.pdf (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.91 EUR
25+0.79 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 5256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
25+0.78 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 5354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.93 EUR
250+0.75 EUR
1000+0.72 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
25+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
25+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.93 EUR
158+0.89 EUR
160+0.84 EUR
163+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.86 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+0.92 EUR
160+0.87 EUR
163+0.83 EUR
250+0.78 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
25+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 6506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
25+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.04 EUR
140+1 EUR
141+0.92 EUR
250+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.03 EUR
141+0.95 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8 SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMZ6005E DMZ6005E ARK micro TDMZ6005e_ARK_MICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E AR
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3(Transistor)
Produktcode: 51777
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G
Produktcode: 60544
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002
Produktcode: 177449
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014
Produktcode: 188412
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LND150%20C041114.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g м/с
Produktcode: 218853
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.74 EUR
29+0.63 EUR
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150 C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
auf Bestellung 41305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.76 EUR
25+0.64 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.63 EUR
222+0.61 EUR
250+0.58 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
219+0.66 EUR
221+0.61 EUR
222+0.58 EUR
250+0.56 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3 LND150.pdf
Hersteller: Supertex
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150 C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.91 EUR
25+0.79 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 5256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.9 EUR
25+0.78 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 5354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.93 EUR
250+0.75 EUR
1000+0.72 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
25+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P002 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
25+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
155+0.93 EUR
158+0.89 EUR
160+0.84 EUR
163+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.86 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
158+0.92 EUR
160+0.87 EUR
163+0.83 EUR
250+0.78 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P013 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P013
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.03 EUR
25+0.83 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
25+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 482 Stücke:
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140+1.03 EUR
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LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150
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LND150N8
Hersteller: SUPER
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DMZ6005E TDMZ6005e_ARK_MICRO_0001.pdf
DMZ6005E
Hersteller: ARK micro
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E AR
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LND150N3(Transistor)
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LND150N3-G
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LND150N3-G
Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P002
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Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N3-G-P014
Produktcode: 188412
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Transistoren > MOSFET N-CH
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LND150N8-g м/с
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LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
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LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
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LND150N3-G-P013 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P013
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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LND150N8-g
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
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