Suchergebnisse für "MJE3055T" : 30

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE3055T MJE3055T
Produktcode: 190953
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
JSMICRO MJE3055T-ds.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
auf Bestellung: 86 St.
  • 86 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T (NPN-Bipolartransistor) MJE3055T (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26410
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ST MJE3055T, MJE2955T.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
verfügbar: 13 St.
  • 13 St. - stock Köln
2+0.7 EUR
10+0.64 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics MJE3055T.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T JSMicro Semiconductor en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Transistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.24 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.04 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics en.CD00000929.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 6195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
50+2.32 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.43 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMICROELECTRONICS SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
98+2.39 EUR
146+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.42 EUR
135+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T MULTICOMP PRO 2864206.pdf Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.38 EUR
136+1.19 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ONSEMI mje2955t-d.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG onsemi mje2955t-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
auf Bestellung 13747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.87 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG onsemi mje2955t-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 27817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.46 EUR
5000+1.34 EUR
10000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.92 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ONSEMI ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
130+1.8 EUR
157+1.37 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TL
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TMJE3055T
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T onsemi mje2955t-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTU MJE3055TTU onsemi MJE3055T.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T STM en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf MJE3055T Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний MJE3055T STM Транзистор біполярний MJE3055T STM STM Біполярний транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А MJE3055T.pdf Транзистори біполярні
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T
Produktcode: 190953
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MJE3055T-ds.pdf
MJE3055T
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
auf Bestellung: 86 St.
  • 86 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26410
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MJE3055T, MJE2955T.pdf
MJE3055T (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
verfügbar: 13 St.
  • 13 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.64 EUR
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
Hersteller: ST
NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.42 EUR
10+2.24 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.04 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 6195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.74 EUR
50+2.32 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.43 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE3055T
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+3.97 EUR
98+2.39 EUR
146+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T 4168.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.42 EUR
135+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T 2864206.pdf
MJE3055T
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.43 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T 4168.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.38 EUR
136+1.19 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
auf Bestellung 13747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.87 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 27817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.86 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.46 EUR
5000+1.34 EUR
10000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.92 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE3055TG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
130+1.8 EUR
157+1.37 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TL
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TMJE3055T
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T mje2955t-d.pdf
MJE3055T
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T 4168.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTU MJE3055T.pdf
MJE3055TTU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
Hersteller: STM
MJE3055T Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний MJE3055T STM
Транзистор біполярний MJE3055T STM
Hersteller: STM
Біполярний транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А MJE3055T.pdf Транзистори біполярні
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH