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MJE3055T MJE3055T
Produktcode: 190953
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JSMICRO MJE3055T-ds.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
auf Bestellung 90 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
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MJE3055T (NPN-Bipolartransistor) MJE3055T (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26410
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ST MJE3055T, MJE2955T.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
verfügbar: 13 St.
    1+0.7 EUR
    10+0.64 EUR
    100+0.58 EUR
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    MJE3055T ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    30+1.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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    MJE3055T JSMicro Semiconductor en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Transistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 175 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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    MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description
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    MJE3055TL
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    MJE2955TMJE3055T
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    Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220
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    MJE3055T STM en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf MJE3055T Транзистори
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    Транзистор біполярний MJE3055T STM Транзистор біполярний MJE3055T STM STM Біполярний транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А MJE3055T.pdf Транзистори біполярні
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    MJE3055T
    Produktcode: 190953
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    MJE3055T
    Hersteller: JSMICRO
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-220AB
    Transitfrequenz fT: 2 МГц
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
    Kollektorstrom Ic, A: 10 А
    Stromverstärkung h21: 100
    Montage: THT
    auf Bestellung 90 St.:
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    MJE3055T (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 26410
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    MJE3055T (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: ST
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-220AB
    Transitfrequenz fT: 2 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V
    Kollektorstrom Ic, A: 10 A
    Stromverstärkung h21: 100
    Montage: THT
    verfügbar: 13 St.
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      MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
      Hersteller: ST
      NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
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      Hersteller: JSMicro Semiconductor
      Transistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
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      Hersteller: ON Semiconductor
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      Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220
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      Hersteller: STM
      MJE3055T Транзистори
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      Транзистор біполярний MJE3055T STM
      Транзистор біполярний MJE3055T STM
      Hersteller: STM
      Біполярний транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А MJE3055T.pdf Транзистори біполярні
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