Suchergebnisse für "MJE3055T" : 34

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MJE3055T MJE3055T
Produktcode: 190953
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JSMICRO MJE3055T-ds.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
auf Bestellung 105 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T (Bipolartransistor NPN) MJE3055T (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26410
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ST MJE3055T, MJE2955T.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 70
Ic,A: 10
h21: 100
ZCODE: THT
verfügbar: 13 Stück
1+0.34 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.93 EUR
39+1.83 EUR
107+0.67 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T JSMicro Semiconductor en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Transistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T MULTICOMP PRO 2864206.pdf Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.1 EUR
143+0.95 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMICROELECTRONICS SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.25 EUR
127+1.08 EUR
141+0.93 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG onsemi MJE2955T-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.97 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG onsemi mje2955t-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 17688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
50+1.02 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ONSEMI ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.57 EUR
265+0.51 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.57 EUR
265+0.51 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TL
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Транзистор MJE3055T STM Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+4.17 EUR
100+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TMJE3055T
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955T MJE2955T STMICROELECTRONICS SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T onsemi MJE2955T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T onsemi mje2955t-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics en.CD00000929.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE3055T STMicroelectronics en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG ONSEMI mje2955t-d.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTU MJE3055TTU onsemi MJE3055T.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T
Produktcode: 190953
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MJE3055T-ds.pdf
MJE3055T
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
auf Bestellung 105 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26410
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MJE3055T, MJE2955T.pdf
MJE3055T (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 70
Ic,A: 10
h21: 100
ZCODE: THT
verfügbar: 13 Stück
Anzahl Preis
1+0.34 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
Hersteller: ST
NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.93 EUR
39+1.83 EUR
107+0.67 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
Hersteller: ST
NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T 2864206.pdf
MJE3055T
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T 4168.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
128+1.1 EUR
143+0.95 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE3055T
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+2.25 EUR
127+1.08 EUR
141+0.93 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description MJE2955T-D.PDF
MJE3055TG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.71 EUR
10+0.97 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 17688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.18 EUR
50+1.02 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE3055TG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
144+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
247+0.57 EUR
265+0.51 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
247+0.57 EUR
265+0.51 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TL
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор MJE3055T
Hersteller: STM
Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.4 EUR
10+4.17 EUR
100+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TMJE3055T
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955T SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE2955T
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T MJE2955T-D.PDF
MJE3055T
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T mje2955t-d.pdf
MJE3055T
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055T en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf
MJE3055T
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTU MJE3055T.pdf
MJE3055TTU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH