Suchergebnisse für "MJE3055T" : 31
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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MJE3055T Produktcode: 190953
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Lieblingsprodukt
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JSMICRO |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-220AB Transitfrequenz fT: 2 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В Kollektorstrom Ic, A: 10 А Stromverstärkung h21: 100 Montage: THT |
auf Bestellung: 86 St.
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MJE3055T (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 26410
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Lieblingsprodukt
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ST |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-220AB Transitfrequenz fT: 2 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V Kollektorstrom Ic, A: 10 A Stromverstärkung h21: 100 Montage: THT |
verfügbar: 13 St.
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MJE3055T | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 10A Power dissipation: 90W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE3055T | ST |
NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055tAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJE3055T | JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSMAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJE3055T | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
auf Bestellung 2295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE3055T | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
auf Bestellung 6222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE3055T | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055TG | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Current gain: 20...100 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055TG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN |
auf Bestellung 13982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE3055TG | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
auf Bestellung 30876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJE3055TG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJE3055TL |
auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MJE2955TMJE3055T |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220 |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
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MJE3055T | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJE3055T | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MJE3055TTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJE3055T | STM |
MJE3055T Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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Транзистор біполярний MJE3055T STM | STM | Біполярний транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А MJE3055T.pdf Транзистори біполярні |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE3055T Produktcode: 190953
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
auf Bestellung: 86 St.
- 86 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.86 EUR |
| 10+ | 0.77 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| MJE3055T (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 26410
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Transitfrequenz fT: 2 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 70 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: THT
verfügbar: 13 St.
- 13 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| MJE3055T |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 2.07 EUR |
| 65+ | 1.32 EUR |
| 81+ | 1.06 EUR |
| 96+ | 0.89 EUR |
| 110+ | 0.77 EUR |
| 200+ | 0.68 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 1.54 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor NPN; 100; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.04 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.29 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 2000+ | 1.04 EUR |
| 5000+ | 1 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 6222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.74 EUR |
| 50+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.54 EUR |
| 2000+ | 1.43 EUR |
| 5000+ | 1.31 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 1.4 EUR |
| 135+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| 2000+ | 0.76 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.43 EUR |
| 112+ | 2.08 EUR |
| 168+ | 1.27 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 1.43 EUR |
| 121+ | 1.38 EUR |
| 135+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2000+ | 0.68 EUR |
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 3.97 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| MJE3055TG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 1.62 EUR |
| 65+ | 1.31 EUR |
| 96+ | 0.89 EUR |
| 116+ | 0.74 EUR |
| MJE3055TG |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
auf Bestellung 13982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
| MJE3055TG |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 30876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.86 EUR |
| 50+ | 2.38 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 2000+ | 1.46 EUR |
| 5000+ | 1.34 EUR |
| 10000+ | 1.32 EUR |
| MJE3055TG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJE3055TG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| MJE3055TG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJE3055TG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJE3055TG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 3.84 EUR |
| 130+ | 1.8 EUR |
| 157+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| MJE3055TG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJE3055TG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MJE3055TL |
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MJE2955TMJE3055T |
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Транзистор біполярний MJE3055T 10A 60V NPN TO-220 |
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MJE3055TG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MJE3055TTU |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MJE3055T |
![]() |
Hersteller: STM
MJE3055T Транзистори
MJE3055T Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний MJE3055T STM |
Hersteller: STM
Біполярний транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А MJE3055T.pdf Транзистори біполярні
Біполярний транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А MJE3055T.pdf Транзистори біполярні
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH












