Suchergebnisse für "SPP20N60C3" : 8

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SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
Montage: THT
auf Bestellung: 140 St.
  • 140 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+4.46 EUR
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SPP20N60C3 SPP20N60C3 Infineon info-tspp20n60c3.pdf N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+9.01 EUR
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INF-SPP20N60C3
auf Bestellung 1104 Stücke:
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Транзистор SPP20N60C3/INFIN, TO-220AB
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Транзистор польовий SPP20N60C3 20.7A 600V N-ch TO-220
auf Bestellung 16 Stücke:
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SPP20N60C3 Infineon SPP_I_A20N60C3_Rev.2.2.pdf N-CHCOOLMOS20A600V190mOhmTO220 Транзистори
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SPP20N60C3XKSA1 Infineon infineon-spp20n60c3-datasheet-en.pdf SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3 MOSFET N-CH 600V 20.7A PG-TO220-3 Транзистори
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Транзистор IGBT SPP20N60C3 Infineon Транзистор IGBT SPP20N60C3 Infineon Infineon Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; TO220; CoolMOS™-247; 600 V; 40A SPP20N60C3.pdf Транзистори IGBT
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SPP20N60C3
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SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
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SPP20N60C3
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Транзистор IGBT SPP20N60C3 Infineon
Транзистор IGBT SPP20N60C3 Infineon
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; TO220; CoolMOS™-247; 600 V; 40A SPP20N60C3.pdf Транзистори IGBT
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