Suchergebnisse für "SPP20N60C3" : 22
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 650 Idd,A: 20.07.2015 Rds(on), Ohm: 3 Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400 JHGF: THT |
auf Bestellung 147 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SPP20N60C3 | Infineon |
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3 |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 45837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 80400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 45837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| INF-SPP20N60C3 |
auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| Транзистор SPP20N60C3/INFIN, TO-220AB |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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STP22NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh |
auf Bestellung 631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPP20N60C3HKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 147 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPP20N60C3 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.2 EUR |
| SPP20N60C3 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.2 EUR |
| SPP20N60C3 |
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.21 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.2 EUR |
| 50+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.88 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.2 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.29 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 45837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 4.77 EUR |
| 54+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 2.28 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 80400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 207+ | 2.62 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 308+ | 1.94 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 45837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 2.86 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 207+ | 2.62 EUR |
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 207+ | 2.62 EUR |
| INF-SPP20N60C3 |
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Транзистор SPP20N60C3/INFIN, TO-220AB |
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| STP22NM60N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
MOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 3.54 EUR |
| 100+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| SPP20N60C3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SPP20N60C3HKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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