Suchergebnisse für "SPP20N60C3" : 20
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 650 Idd,A: 20.07.2015 Rds(on), Ohm: 3 Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400 JHGF: THT |
auf Bestellung 89 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 84400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1094 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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INF-SPP20N60C3 |
auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
Транзистор SPP20N60C3/INFIN, TO-220AB |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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Транзистор польовий SPP20N60C3 20.7A 600V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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STP22NM60N | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N60C3 | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SPP20N60C3HKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 89 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP20N60C3 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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19+ | 3.86 EUR |
22+ | 3.40 EUR |
24+ | 3.06 EUR |
25+ | 2.90 EUR |
50+ | 2.86 EUR |
SPP20N60C3 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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19+ | 3.86 EUR |
22+ | 3.40 EUR |
24+ | 3.06 EUR |
25+ | 2.90 EUR |
50+ | 2.86 EUR |
100+ | 2.79 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 7.97 EUR |
50+ | 4.13 EUR |
100+ | 3.75 EUR |
500+ | 3.11 EUR |
1000+ | 2.98 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.79 EUR |
10+ | 5.30 EUR |
100+ | 4.29 EUR |
500+ | 3.82 EUR |
1000+ | 3.26 EUR |
2500+ | 3.08 EUR |
5000+ | 3.06 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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258+ | 2.52 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 4.22 EUR |
41+ | 3.82 EUR |
51+ | 2.99 EUR |
100+ | 2.71 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
164+ | 3.71 EUR |
500+ | 3.42 EUR |
1000+ | 3.13 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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39+ | 4.22 EUR |
41+ | 3.82 EUR |
51+ | 2.99 EUR |
100+ | 2.71 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 84400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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164+ | 3.71 EUR |
500+ | 3.42 EUR |
1000+ | 3.13 EUR |
SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP20N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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164+ | 3.71 EUR |
500+ | 3.42 EUR |
1000+ | 3.13 EUR |
INF-SPP20N60C3 |
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор SPP20N60C3/INFIN, TO-220AB |
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий SPP20N60C3 20.7A 600V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP22NM60N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
MOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.54 EUR |
25+ | 3.59 EUR |
100+ | 3.40 EUR |
250+ | 3.38 EUR |
500+ | 3.13 EUR |
SPP20N60C3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPP20N60C3HKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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