Suchergebnisse für "STGW35HF60WD" : 4
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGWA30H65DFB | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||
STGW35HF60WD Transistor Produktcode: 40488
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
ST |
![]() Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 60 A Ic 100: 35 A Pd 25: 200 W ZCODE: 8541 29 00 10 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
![]() |
STGW35HF60WD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 35A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 35A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
![]() |
STGW35HF60WD | STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
STGWA30H65DFB |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.3 EUR |
STGW35HF60WD Transistor Produktcode: 40488
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 35 A
Pd 25: 200 W
ZCODE: 8541 29 00 10
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 35 A
Pd 25: 200 W
ZCODE: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW35HF60WD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 35A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 35A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 35A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 35A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STGW35HF60WD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 35 A 600 V Ultra fast IGBT
IGBTs 35 A 600 V Ultra fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH