Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 5,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/46.5
Montage: THT
ZCODE: 8541290010

Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 5,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,56 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/17
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010

Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STP6NK90Z TSTP6NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: STM
N-кан., 900V, 1.56 Ом, 5.8 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори

Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP6NK90Z STMicroelectronics; STP6NK90Z-CN CHIPNOBO TSTP6NK90Z CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: ST
N-MOSFET 5,8A 900V 30W STP6NK90ZFP TSTP6NK90ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2.3Ohm; 6A; 120W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP6NK90Z; 6N90 DONGHAI TDH6n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 140, Udss, В = 900, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 25, Qg, нКл = 60,5 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 2.9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

Hersteller: STM
TO220 Транзистори

Hersteller: STM
Транзистор польовий потужний MOSFET, N-Ch, TO-220; 900 В; 5,8 A; 2 Ohm; Pd=30W Транзистори польові