Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (2917) > Seite 33 nach 49
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN | P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | SHINDENGEN | P34F6EL-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F25HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P36F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 35nC On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 62W Drain current: 39A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 117A Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P3F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P42F6EN-5600 | SHINDENGEN | P42F6EN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 1.9Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P4F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P4F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN | P4F90VX3-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P50B4EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 62.5W Pulsed drain current: 200A Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P50B6EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P55F6EN-5600 | SHINDENGEN | P55F6EN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P5F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P5F50HP2F-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B4EL-5071 | SHINDENGEN | P60B4EL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | SHINDENGEN | P60B6EL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1024 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P64LF6QL-5071 | SHINDENGEN | P64LF6QL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P64LF6QN-5071 | SHINDENGEN | P64LF6QN-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P66F7R5SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 66A Pulsed drain current: 264A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P66F7R5SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 66A Pulsed drain current: 264A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P66F7R5SNK-5600 | SHINDENGEN | P66F7R5SNK-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P6B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC On-state resistance: 1.05Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | Shindengen | MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P6B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P32FG15SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 1.42 EUR |
| 73+ | 0.99 EUR |
| 77+ | 0.93 EUR |
| P32LF10SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P34F6EL-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 58+ | 1.24 EUR |
| 99+ | 0.73 EUR |
| 105+ | 0.69 EUR |
| P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 49+ | 1.49 EUR |
| 68+ | 1.06 EUR |
| 72+ | 1 EUR |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P36F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.73 EUR |
| 38+ | 1.93 EUR |
| 40+ | 1.82 EUR |
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 2500+ | 1.44 EUR |
| 5000+ | 1.43 EUR |
| P3F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 68+ | 1.06 EUR |
| 83+ | 0.86 EUR |
| 2500+ | 0.52 EUR |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 87+ | 0.83 EUR |
| 97+ | 0.74 EUR |
| 110+ | 0.65 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 87+ | 0.83 EUR |
| 97+ | 0.74 EUR |
| 110+ | 0.65 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.1 EUR |
| 102+ | 0.71 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 128+ | 0.56 EUR |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.1 EUR |
| 102+ | 0.71 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 128+ | 0.56 EUR |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.58 EUR |
| 138+ | 0.52 EUR |
| 156+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.58 EUR |
| 138+ | 0.52 EUR |
| 156+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.44 EUR |
| 55+ | 1.3 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.44 EUR |
| 55+ | 1.3 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| P40LF12SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.14 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 85+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| P40LF12SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.14 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 85+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P42F6EN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 1.03 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 1.03 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| P4F90VX3-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 1 EUR |
| 84+ | 0.86 EUR |
| 88+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| P50B4EA-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50B6EA-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.59 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 57+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.59 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 57+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| P55F6EN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P55F6EN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.87 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| 2500+ | 1.45 EUR |
| 5000+ | 1.44 EUR |
| P5F50HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 56+ | 1.28 EUR |
| 80+ | 0.89 EUR |
| 2500+ | 0.64 EUR |
| P5F50HP2F-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.56 EUR |
| 95+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| P5F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P5F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.74 EUR |
| 70+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| P60B10SB-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P60B4EL-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B4EL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P60B4EL-5071 SMD N channel transistors
P60B4EL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 0.79 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 3000+ | 0.57 EUR |
| P60B6EL-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6EL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P60B6EL-5071 SMD N channel transistors
P60B6EL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 75+ | 0.96 EUR |
| 109+ | 0.66 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| P60B6EN-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6SN-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P64LF6QL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P64LF6QL-5071 SMD N channel transistors
P64LF6QL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.7 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| P64LF6QN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P64LF6QN-5071 SMD N channel transistors
P64LF6QN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 83+ | 0.87 EUR |
| 89+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| P66F7R5SN-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 1.59 EUR |
| P66F7R5SN-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P66F7R5SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| P66F7R5SNK-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P66F7R5SNK-5600 THT N channel transistors
P66F7R5SNK-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 2.03 EUR |
| 46+ | 1.57 EUR |
| 49+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| P6B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6B40HP2-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6B52HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH











