Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (2840) > Seite 32 nach 48
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| P26B10SL-5071 | SHINDENGEN | P26B10SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2172 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P26F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P26F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W Mounting: SMD Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 8A Drain current: 2A Gate charge: 6.8nC Power dissipation: 35W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P2FE60VX5K-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 8A Drain current: 2A Gate charge: 12nC Power dissipation: 27W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: FE (TO252AB similar) Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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| P30B10EL-5071 | SHINDENGEN | P30B10EL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 3282 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Case: FE (TO252AB similar) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 90A Application: automotive industry |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30FE6SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30FE7R5SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 30A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 142W Case: LA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30W60HP2V-5100 | SHINDENGEN | P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN | P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | SHINDENGEN | P34F6EL-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F25HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P36F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 35nC On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 62W Drain current: 39A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 117A Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P3F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P40B10SL-5071 | SHINDENGEN | P40B10SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P40B10SN-5071 | SHINDENGEN | P40B10SN-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P40B6SL-5071 | SHINDENGEN | P40B6SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P42F6EN-5600 | SHINDENGEN | P42F6EN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 1.9Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P4F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P4F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN | P4F90VX3-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P50B4EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 62.5W Pulsed drain current: 200A Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P50B6EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P55F6EN-5600 | SHINDENGEN | P55F6EN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P5F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P5F50HP2F-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P26B10SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P26B10SL-5071 SMD N channel transistors
P26B10SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 121+ | 0.59 EUR |
| 155+ | 0.46 EUR |
| 164+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.42 EUR |
| P26F28HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.77 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| P26FE10SLK-5061 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P2B60HP2F-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W
Mounting: SMD
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 6.8nC
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W
Mounting: SMD
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 6.8nC
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P2FE60VX5K-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 12nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FE (TO252AB similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 12nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FE (TO252AB similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30B10EL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 88+ | 0.82 EUR |
| 129+ | 0.56 EUR |
| 136+ | 0.53 EUR |
| P30FE4SLK-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30FE6SLK-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Stück im Wert von UAH
| P30FE7R5SLK-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P30LA10SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30W60HP2V-5100 |
Hersteller: SHINDENGEN
P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.77 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 11+ | 6.76 EUR |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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Stück im Wert von UAH
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P32FG15SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 1.42 EUR |
| 73+ | 0.99 EUR |
| 77+ | 0.93 EUR |
| P32LF10SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P34F6EL-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 58+ | 1.24 EUR |
| 99+ | 0.73 EUR |
| 105+ | 0.69 EUR |
| P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 49+ | 1.49 EUR |
| 68+ | 1.06 EUR |
| 72+ | 1 EUR |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P36F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.73 EUR |
| 38+ | 1.93 EUR |
| 40+ | 1.82 EUR |
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 2500+ | 1.44 EUR |
| 5000+ | 1.43 EUR |
| P3F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 68+ | 1.06 EUR |
| 83+ | 0.86 EUR |
| 2500+ | 0.52 EUR |
| P40B10SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40B10SL-5071 SMD N channel transistors
P40B10SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 87+ | 0.82 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| P40B10SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40B10SN-5071 SMD N channel transistors
P40B10SN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 66+ | 1.1 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| P40B6SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40B6SL-5071 SMD N channel transistors
P40B6SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.58 EUR |
| 158+ | 0.45 EUR |
| 167+ | 0.43 EUR |
| 3000+ | 0.41 EUR |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.44 EUR |
| 55+ | 1.3 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.44 EUR |
| 55+ | 1.3 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| P40LF12SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.14 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 85+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| P40LF12SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.14 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 85+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P42F6EN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 1.03 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 1.03 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| P4F90VX3-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 1 EUR |
| 84+ | 0.86 EUR |
| 88+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| P50B4EA-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
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Stück im Wert von UAH
| P50B6EA-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Stück im Wert von UAH
| P50F10SN-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.59 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 57+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| P50F10SN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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| P50F10SN-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.59 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 57+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| P55F6EN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
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Stück im Wert von UAH
| P55F6EN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| P5B52HP2-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
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Stück im Wert von UAH
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.87 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| 2500+ | 1.45 EUR |
| 5000+ | 1.44 EUR |
| P5F50HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 56+ | 1.28 EUR |
| 80+ | 0.89 EUR |
| 2500+ | 0.64 EUR |
| P5F50HP2F-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.56 EUR |
| 95+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
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Stück im Wert von UAH
| P5F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.74 EUR |
| 70+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| P60B10SB-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH






