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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P140LF4QN-5071 SHINDENGEN P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4827 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
93+0.77 EUR
98+0.73 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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P14FE6SBK-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 14A; Idm: 42A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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P15F50HP2-5600 P15F50HP2-5600 Shindengen shins04491_1-2282044.pdf MOSFETs High Switching Speed High Voltage
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P15F50HP2-5600 SHINDENGEN P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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P15F60HP2-5600 P15F60HP2-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5A7DB959FE0C7&compId=P15F60HP2.pdf?ci_sign=1f3cdc652afcec030773b590fa46471dbf0ea8e7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.36 EUR
34+2.13 EUR
39+1.87 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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P15F60HP2-5600 P15F60HP2-5600 Shindengen shins04492-1.pdf MOSFETs Mosfet
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P15F60HP2-5600 P15F60HP2-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5A7DB959FE0C7&compId=P15F60HP2.pdf?ci_sign=1f3cdc652afcec030773b590fa46471dbf0ea8e7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
34+2.13 EUR
39+1.87 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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P15F60HP2F-5600 P15F60HP2F-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5ABB3B065E0C7&compId=P15F60HP2F.pdf?ci_sign=01925383180d73b983641421de6a47ebc205ea96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
53+1.37 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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P15F60HP2F-5600 Shindengen shindengen_F072_13.pdf MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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P15F60HP2F-5600 P15F60HP2F-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5ABB3B065E0C7&compId=P15F60HP2F.pdf?ci_sign=01925383180d73b983641421de6a47ebc205ea96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
53+1.37 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P15LA12SL-5070 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P16B6SB-5071 P16B6SB-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A7189D92AC40C7&compId=P16B6SB.pdf?ci_sign=39748d7b0d1619707f67ec54fdffecfabaa89319 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
155+0.46 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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P16B6SB-5071 P16B6SB-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A7189D92AC40C7&compId=P16B6SB.pdf?ci_sign=39748d7b0d1619707f67ec54fdffecfabaa89319 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
155+0.46 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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P17F28HP2-5600 Shindengen shindengen_F072-13-1847360.pdf MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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P17F28HP2-5600 SHINDENGEN P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P18LA12SL-5070 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P1R5B40HP2-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P1R5B40HP2-5071 Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20F50HP2-5600 P20F50HP2-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57ECACD58A0C7&compId=P20F50HP2.pdf?ci_sign=bf8fcfb16b6df649e204e8ce6577526db087efe4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+1.72 EUR
53+1.36 EUR
100+1.24 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20F50HP2-5600 P20F50HP2-5600 Shindengen shins04493_1-2282347.pdf MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+6.83 EUR
100+5.49 EUR
500+4.89 EUR
1000+4.19 EUR
2500+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20F50HP2-5600 P20F50HP2-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57ECACD58A0C7&compId=P20F50HP2.pdf?ci_sign=bf8fcfb16b6df649e204e8ce6577526db087efe4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
53+1.36 EUR
100+1.24 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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P211FZ4QMKA-5071 SHINDENGEN P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P21F28HP2-5600 P21F28HP2-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57C46387A40C7&compId=P21F28HP2.pdf?ci_sign=067438ee7607a9dc22ddf4bc78ea6c6d77d462f6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P21F28HP2-5600 P21F28HP2-5600 Shindengen shindengen_F072_14a_pdf-2323367.pdf MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P21F28HP2-5600 P21F28HP2-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57C46387A40C7&compId=P21F28HP2.pdf?ci_sign=067438ee7607a9dc22ddf4bc78ea6c6d77d462f6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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P22F10SN-5600 P22F10SN-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P22F10SN-5600 P22F10SN-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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P24B4SB-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 24A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
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Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
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Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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P26B10SL-5071 P26B10SL-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A71E94867580C7&compId=P26B10SL.pdf?ci_sign=706d8494412fff43342c204b64b1210f92d04d8b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
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P26B10SL-5071 Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2172 Stücke:
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P26B10SLK-5071 SHINDENGEN Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
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P26B10SN-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
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P26F28HP2-5600 P26F28HP2-5600 Shindengen shindengen_F072_14a_pdf-2323367.pdf MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
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P26F28HP2-5600 SHINDENGEN P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
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P26FE10SLK-5061 Shindengen shindengen_F072-13-1847360.pdf MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
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P2B60HP2F-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W
Mounting: SMD
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 6.8nC
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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P2B60HP2F-5071 Shindengen shindengen_F072-13-1847360.pdf MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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P2FE60VX5K-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 12nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FE (TO252AB similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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P30B10EL-5071 Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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P30B10EL-5071 SHINDENGEN P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
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136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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P30FE4SLK-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
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P30FE6SLK-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30FE7R5SLK-5071 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30LA10SL-5070 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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P30W60HP2V-5100 SHINDENGEN P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.77 EUR
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11+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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P32F12SN-5600 P32F12SN-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C56F11026D40C7&compId=P32F12SN.pdf?ci_sign=94d7a59a950b25d50942f89d9482564e01263cc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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P32F12SN-5600 Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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P32F12SN-5600 P32F12SN-5600 SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C56F11026D40C7&compId=P32F12SN.pdf?ci_sign=94d7a59a950b25d50942f89d9482564e01263cc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P32FG15SL-5071 Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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P32FG15SL-5071 SHINDENGEN P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
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P140LF4QN-5071
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors
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P14FE6SBK-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 14A; Idm: 42A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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P15F50HP2-5600 shins04491_1-2282044.pdf
P15F50HP2-5600
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
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P15F50HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
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P15F60HP2-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5A7DB959FE0C7&compId=P15F60HP2.pdf?ci_sign=1f3cdc652afcec030773b590fa46471dbf0ea8e7
P15F60HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P15F60HP2-5600 shins04492-1.pdf
P15F60HP2-5600
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
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P15F60HP2-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5A7DB959FE0C7&compId=P15F60HP2.pdf?ci_sign=1f3cdc652afcec030773b590fa46471dbf0ea8e7
P15F60HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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P15F60HP2F-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5ABB3B065E0C7&compId=P15F60HP2F.pdf?ci_sign=01925383180d73b983641421de6a47ebc205ea96
P15F60HP2F-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
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P15F60HP2F-5600 shindengen_F072_13.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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P15F60HP2F-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5ABB3B065E0C7&compId=P15F60HP2F.pdf?ci_sign=01925383180d73b983641421de6a47ebc205ea96
P15F60HP2F-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
53+1.37 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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P15LA12SL-5070 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P16B6SB-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A7189D92AC40C7&compId=P16B6SB.pdf?ci_sign=39748d7b0d1619707f67ec54fdffecfabaa89319 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
P16B6SB-5071
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
auf Bestellung 2994 Stücke:
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Anzahl Preis
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
155+0.46 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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P16B6SB-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A7189D92AC40C7&compId=P16B6SB.pdf?ci_sign=39748d7b0d1619707f67ec54fdffecfabaa89319 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
P16B6SB-5071
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2994 Stücke:
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Anzahl Preis
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
155+0.46 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P17F28HP2-5600 shindengen_F072-13-1847360.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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P17F28HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P18LA12SL-5070 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P1R5B40HP2-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P1R5B40HP2-5071 shindengen_F072-13.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20F50HP2-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57ECACD58A0C7&compId=P20F50HP2.pdf?ci_sign=bf8fcfb16b6df649e204e8ce6577526db087efe4
P20F50HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
53+1.36 EUR
100+1.24 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20F50HP2-5600 shins04493_1-2282347.pdf
P20F50HP2-5600
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.59 EUR
10+6.83 EUR
100+5.49 EUR
500+4.89 EUR
1000+4.19 EUR
2500+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20F50HP2-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57ECACD58A0C7&compId=P20F50HP2.pdf?ci_sign=bf8fcfb16b6df649e204e8ce6577526db087efe4
P20F50HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
53+1.36 EUR
100+1.24 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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P211FZ4QMKA-5071
Hersteller: SHINDENGEN
P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P21F28HP2-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57C46387A40C7&compId=P21F28HP2.pdf?ci_sign=067438ee7607a9dc22ddf4bc78ea6c6d77d462f6
P21F28HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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P21F28HP2-5600 shindengen_F072_14a_pdf-2323367.pdf
P21F28HP2-5600
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P21F28HP2-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57C46387A40C7&compId=P21F28HP2.pdf?ci_sign=067438ee7607a9dc22ddf4bc78ea6c6d77d462f6
P21F28HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
25+2.86 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P22F10SN-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4
P22F10SN-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P22F10SN-5600 shindengen_F072-13.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P22F10SN-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4
P22F10SN-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
100+0.72 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P22FE4SBK-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P24B4SB-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 24A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25B6EB-5071 MOS_P25B6EB-270965.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25B6EB-5071
Hersteller: SHINDENGEN
P25B6EB-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
119+0.6 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25LA12SL-5070 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25LF12SL-5071
Hersteller: SHINDENGEN
P25LF12SL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.87 EUR
95+0.76 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25LF12SLK-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25LF12SN-5071
Hersteller: SHINDENGEN
P25LF12SN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P25LF12SNK-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26B10SL-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A71E94867580C7&compId=P26B10SL.pdf?ci_sign=706d8494412fff43342c204b64b1210f92d04d8b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
P26B10SL-5071
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
136+0.53 EUR
153+0.47 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26B10SL-5071 shindengen_F072-13.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26B10SL-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A71E94867580C7&compId=P26B10SL.pdf?ci_sign=706d8494412fff43342c204b64b1210f92d04d8b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
P26B10SL-5071
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
136+0.53 EUR
153+0.47 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26B10SLK-5071
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26B10SN-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26F28HP2-5600 shindengen_F072_14a_pdf-2323367.pdf
P26F28HP2-5600
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26F28HP2-5600
Hersteller: SHINDENGEN
P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P26FE10SLK-5061 shindengen_F072-13-1847360.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2B60HP2F-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W
Mounting: SMD
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 6.8nC
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2B60HP2F-5071 shindengen_F072-13-1847360.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2FE60VX5K-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 12nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FE (TO252AB similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30B10EL-5071 shindengen_F072-13.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30B10EL-5071
Hersteller: SHINDENGEN
P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
129+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30FE4SLK-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30FE6SLK-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30FE7R5SLK-5071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30LA10SL-5070 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P30W60HP2V-5100
Hersteller: SHINDENGEN
P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.77 EUR
10+7.15 EUR
11+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P32F12SN-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C56F11026D40C7&compId=P32F12SN.pdf?ci_sign=94d7a59a950b25d50942f89d9482564e01263cc5
P32F12SN-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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P32F12SN-5600 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C56F11026D40C7&compId=P32F12SN.pdf?ci_sign=94d7a59a950b25d50942f89d9482564e01263cc5
P32F12SN-5600
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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P32FG15SL-5071 shindengen_F072-13.pdf
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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P32FG15SL-5071
Hersteller: SHINDENGEN
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
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73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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