Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (2318) > Seite 27 nach 39
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| P26B10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 46W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P26B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 35nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Power dissipation: 44W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 90A Application: automotive industry Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P34F6EL-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 35W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | Shindengen | MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 62W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC On-state resistance: 8.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P56LA4SN-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 99W Case: LA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P64LF6QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | Shindengen | MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P6B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P6F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5061 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P70F5EN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 50V; 70A; Idm: 280A; 53W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 53W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P70F5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P70F7R5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P70FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 178W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P70LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Pulsed drain current: 210A Power dissipation: 123W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 4975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P7F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 1.05Ω Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 79W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P7F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P80FG6EAL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Case: FG (TO263AB) Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 4.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 128W Pulsed drain current: 320A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P80FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P80FH5ENK-7071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P82F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P85FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P85GC28HP2F-5100 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W Type of transistor: N-MOSFET Case: GC (TO247AD); TO247AD Mounting: THT On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±10V Drain current: 85A Power dissipation: 430W Drain-source voltage: 280V Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P85W28HP2F-7071 | Shindengen |
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P86F6SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P8B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 94mΩ Power dissipation: 20W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P8B10SBK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 94mΩ Power dissipation: 23W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P26B10SLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26F28HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26FE10SLK-5061 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30FE4SLK-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P32F12SN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P32FG15SL-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 1.3 EUR |
| 85+ | 1.01 EUR |
| 94+ | 0.9 EUR |
| 107+ | 0.8 EUR |
| P34F6EL-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P34F6EL-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 1.57 EUR |
| 61+ | 1.42 EUR |
| 69+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| P36F28HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P3F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
| 2500+ | 1.71 EUR |
| 5000+ | 1.7 EUR |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 0.99 EUR |
| 97+ | 0.88 EUR |
| 110+ | 0.77 EUR |
| 122+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 1.31 EUR |
| 102+ | 0.84 EUR |
| 115+ | 0.74 EUR |
| 128+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 1.89 EUR |
| 50+ | 1.7 EUR |
| 57+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P56LA4SN-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.61 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 1.82 EUR |
| 2500+ | 1.73 EUR |
| 5000+ | 1.71 EUR |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 2.37 EUR |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B10SB-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6EN-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6SN-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P64LF6QL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 2.02 EUR |
| P66F7R5SN-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6B40HP2-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6B52HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6FE25VX5K-5061 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6FE25VX5K-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70F5EN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 50V; 70A; Idm: 280A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 53W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 50V; 70A; Idm: 280A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 53W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 2.26 EUR |
| 42+ | 2.05 EUR |
| 48+ | 1.81 EUR |
| P70F5EN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70F7R5EN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70FP12SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 178W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 178W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70LF4QNK-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 123W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 123W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 1.23 EUR |
| 77+ | 1.11 EUR |
| 88+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| P7F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 1.14 EUR |
| 84+ | 1.02 EUR |
| 93+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| P7F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P80FG6EAL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P80FG6EAL-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P80FH5ENK-7071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P82F7R5SN-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P85FG6EAL-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P85GC28HP2F-5100 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Mounting: THT
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Drain-source voltage: 280V
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Mounting: THT
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Drain-source voltage: 280V
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P85W28HP2F-7071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| P86F6SN-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P8B10SB-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 193+ | 0.44 EUR |
| 214+ | 0.39 EUR |
| 243+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| P8B10SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 23W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 23W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

















