Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (2173) > Seite 25 nach 37
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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P13F28HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 280V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P13F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P13F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P13LA10EL-5070 | Shindengen | MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P15F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P15F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P15F60HP2F-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Polarisation: unipolar Gate charge: 38.5nC On-state resistance: 50mΩ Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
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P16B6SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 37mΩ Drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 60V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 2989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P17F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
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| P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC On-state resistance: 44mΩ Drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 99W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P19LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC On-state resistance: 35mΩ Drain current: 19A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 57A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
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| P20B12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC On-state resistance: 44mΩ Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
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P20F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P21F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET |
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| P22F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
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| P23LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 23A; Idm: 69A; 99W; LA Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC On-state resistance: 29mΩ Drain current: 23A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 99W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P24B15SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FB (TO252AA) Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
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| P25B6EB-5071 | Shindengen |
MOSFET High Switching Speed |
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| P25LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 30mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 142W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
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P25LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 29mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P26B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
auf Bestellung 2172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P26B10SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
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| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
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| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
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| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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| P30LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 21mΩ Drain current: 30A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 142W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
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P30W60HP2V-5100 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 310W Case: MTO3PV (TO247AD) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
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P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 32A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 100W Case: FG (TO263AB) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 19.7mΩ Drain current: 32A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | Shindengen | MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 62.5W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC On-state resistance: 16.3mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P46LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 46A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 138A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 75V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC On-state resistance: 8.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P50LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC On-state resistance: 11.3mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 217W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P50LF10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 200A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P60B4EL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P60B6EL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P13F28HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 280V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 280V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 61+ | 1.17 EUR |
| 65+ | 1.1 EUR |
| P13F28HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P13F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P13LA10EL-5070 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15LA12SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P16B6SB-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 123+ | 0.58 EUR |
| 138+ | 0.52 EUR |
| 155+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| P17F28HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P18LA12SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P19LA10SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P20B12SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P20F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.59 EUR |
| 10+ | 6.83 EUR |
| 100+ | 5.49 EUR |
| 500+ | 4.89 EUR |
| 1000+ | 4.19 EUR |
| 2500+ | 3.94 EUR |
| P21F28HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P22F10SN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P23LA10SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 23A; Idm: 69A; 99W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 23A; Idm: 69A; 99W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P24B15SL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P25B6EB-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed
MOSFET High Switching Speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P25LA12SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P25LF12SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 82+ | 0.87 EUR |
| 92+ | 0.78 EUR |
| 95+ | 0.76 EUR |
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 122+ | 0.59 EUR |
| 136+ | 0.53 EUR |
| 153+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| P26B10SL-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26F28HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26FE10SLK-5061 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30LA10SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30W60HP2V-5100 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 310W
Case: MTO3PV (TO247AD)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 310W
Case: MTO3PV (TO247AD)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.59 EUR |
| 10+ | 7.72 EUR |
| 11+ | 6.84 EUR |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 100W
Case: FG (TO263AB)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 100W
Case: FG (TO263AB)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 58+ | 1.24 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| 72+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| P32FG15SL-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P32LF10SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 0.89 EUR |
| P34F6EL-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P34F6EL-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 2500+ | 1.44 EUR |
| 5000+ | 1.43 EUR |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 87+ | 0.83 EUR |
| 97+ | 0.74 EUR |
| 110+ | 0.65 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| P40B6SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.58 EUR |
| 138+ | 0.52 EUR |
| 156+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| P40F10SN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40LF12SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.14 EUR |
| 70+ | 1.03 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| P42F6EN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P46LF7R5SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.59 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 57+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50LF10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50LF10SLK-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.87 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| 2500+ | 1.45 EUR |
| 5000+ | 1.44 EUR |
| P5F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 1.99 EUR |
| P5F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 0.79 EUR |
| 101+ | 0.71 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 85+ | 0.85 EUR |
| 94+ | 0.76 EUR |
| 107+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |



















