Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (2456) > Seite 28 nach 41
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| P26B10SL-5071 | Shindengen |
 MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P26B10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 46W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P26B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 35nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Case: FE (TO252AB similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Gate charge: 44nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30FE6SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W Mounting: SMD Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FE (TO252AB similar) On-state resistance: 13.8mΩ |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P30LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Case: LA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 142W Gate charge: 61nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
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| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P34F6EL-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W Mounting: THT Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 35W Gate charge: 41nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS2 Drain current: 34A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: bulk Case: FTO-220AG (SC91) On-state resistance: 11mΩ |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P34F6EL-5600 | Shindengen | MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори |
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P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 62W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 44W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 102nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 16.3mΩ |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P40LF12SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 102nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 16.3mΩ |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 15.4mΩ |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P40LF12SNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 15.4mΩ |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Mounting: SMD Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 35W Gate charge: 6.5nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 1.9Ω |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 79W Gate charge: 21nC Application: automotive industry |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P50B4EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W Gate charge: 52nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS2 Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P50B6EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P56LA4SN-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA Case: LA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 99W Gate charge: 38nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 56A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P64LF6QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P66F7R5SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 66A Pulsed drain current: 264A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W Mounting: SMD Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 54W Gate charge: 10nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 1.05Ω |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P6B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P6F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5061 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P70F5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P26B10SL-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26B10SLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26B10SN-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26F28HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P26FE10SLK-5061 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P2B60HP2F-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30B10EL-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30FE4SLK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30FE6SLK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
On-state resistance: 13.8mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
On-state resistance: 13.8mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P30LA10SL-5070 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P32F12SN-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P32F12SN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P32FG15SL-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P34F6EL-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P34F6EL-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
On-state resistance: 11mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
On-state resistance: 11mΩ
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P34F6EL-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P36F28HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P39LF6QTKD-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P3F60HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
| 2500+ | 1.71 EUR |
| 5000+ | 1.7 EUR |
| P40B10SL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P40B10SN-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P40B6SL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P40F10SN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F10SN-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P40F12SN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40F12SN-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P40LF12SL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P40LF12SLK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P40LF12SN-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P40LF12SNK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P42F6EN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4B40HP2-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.9Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.9Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4B40HP2-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F60HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4F90VX3-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P50B4EA-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50B6EA-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P50F10SN-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P50F10SN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P55F6EN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P56LA4SN-5070 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5B52HP2-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5F50HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.61 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 1.82 EUR |
| 2500+ | 1.73 EUR |
| 5000+ | 1.71 EUR |
| P5F60HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P5F60HP2-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P60B10SB-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B4EL-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6EL-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6EN-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P60B6SN-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P64LF6QL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P66F7R5SN-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P66F7R5SN-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P6B40HP2-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.05Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.05Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6B52HP2-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6F50HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6FE25VX5K-5061 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6FE25VX5K-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70F5EN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH