Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (2456) > Seite 29 nach 41
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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P70F5EN-5600 | Shindengen |
 MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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P70F7R5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P70FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 178W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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P70LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Pulsed drain current: 210A Power dissipation: 123W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 4975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P7F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
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P7F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 1.05Ω Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 79W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P7F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 95W Gate charge: 42nC Application: automotive industry |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P80FG6EAL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Case: FG (TO263AB) Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 4.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 128W Pulsed drain current: 320A |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| P80FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| P80FH5ENK-7071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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P82F7R5SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 58W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P82F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
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| P85FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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P85GC28HP2F-5100 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 280V Drain current: 85A Power dissipation: 430W Case: GC (TO247AD); TO247AD Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P85W28HP2F-7071 | Shindengen |
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P86F6SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Pulsed drain current: 344A Power dissipation: 58W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 181nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P86F6SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
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P8B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 94mΩ Power dissipation: 20W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P8B10SBK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 23W Gate charge: 16.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±10V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD |
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| P8B30HP2-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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P8F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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P8F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 65W Mounting: THT Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1Ω Power dissipation: 65W Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of package: bulk Case: FTO-220AG (SC91) Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P8F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
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| P8FE10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FE (TO252AB similar) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FE (TO252AB similar) Mounting: SMD |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| P8FE10SBK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 24W Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 24W Gate charge: 16.5nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FE (TO252AB similar) On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD |
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P90FG5R5SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET |
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| P94FG5R5SL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
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| P98LF6QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 126nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| P98LF6QLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 126nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ |
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P98LF6QN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 96nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ |
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| P98LF6QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 96nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| P9B40HP2 | Shindengen | MOSFET Mosfet |
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| P9B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W Mounting: SMD Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 40W Gate charge: 14.5nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 0.8Ω |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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P9B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi Voltage Low Noise |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PB508AC | SHINDENGEN | 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| PBSS4160DPN T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PBSS4240T T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PBSS4250X/T3 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PBSS4350X T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PBSS4540Z T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PMA10000 | SHINDENGEN |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| PMA10001 | SHINDENGEN |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| PMBTA42 T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PMBTA92 T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PMEM4030NS T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PMMT491A /T3 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PMP4201Y /T3 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PMSS3904 /T3 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PMST2222A T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PMST2369 /T3 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PMST2369 T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PMST2907A T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PMST3904 /T3 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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| PMST4403 T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PN200_D10Z | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PN200_D26Z | Shindengen |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PN200_D27Z | Shindengen |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PN200_D74Z | Shindengen |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PN2222A AMO | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| RBJ402G | SHINDENGEN | ZIP4 |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P70F5EN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70F7R5EN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70FP12SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 178W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 178W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P70LF4QNK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 123W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 123W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P7F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P7F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P7F90VX3-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P80FG6EAL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| P80FG6EAL-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| P80FH5ENK-7071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P82F7R5SN-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
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| P82F7R5SN-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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Stück im Wert von UAH
| P85FG6EAL-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P85GC28HP2F-5100 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
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| P85W28HP2F-7071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
auf Bestellung 15 Stücke:
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| P86F6SN-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 181nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 181nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P86F6SN-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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Stück im Wert von UAH
| P8B10SB-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1846 Stücke:
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| P8B10SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 23W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 23W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P8B30HP2-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P8F28HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P8F50HP2-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 65W
Mounting: THT
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 65W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 65W
Mounting: THT
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 65W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| P8F50HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P8FE10SB-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FE (TO252AB similar)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FE (TO252AB similar)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P8FE10SBK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 24W
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 24W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 24W
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 24W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P90FG5R5SL-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P94FG5R5SL-5071 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P98LF6QL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P98LF6QLK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P98LF6QN-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P98LF6QNK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P9B40HP2 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Mosfet
MOSFET Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P9B40HP2-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 0.8Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 0.8Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P9B40HP2-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi Voltage Low Noise
MOSFETs Hi Voltage Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PB508AC |
Hersteller: SHINDENGEN
07+;
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| PBSS4160DPN T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PBSS4240T T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PBSS4250X/T3 |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PBSS4350X T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PBSS4540Z T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMA10000 |
Hersteller: SHINDENGEN
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| PMA10001 |
Hersteller: SHINDENGEN
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| PMBTA42 T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMBTA92 T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMEM4030NS T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMMT491A /T3 |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMP4201Y /T3 |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMSS3904 /T3 |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMST2222A T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMST2369 /T3 |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMST2369 T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMST2907A T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMST3904 /T3 |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMST4403 T/R |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PN200_D10Z |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PN200_D26Z |
|
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PN200_D27Z |
|
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PN200_D74Z |
|
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PN2222A AMO |
Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RBJ402G |
Hersteller: SHINDENGEN
ZIP4
ZIP4
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)