Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (3384) > Seite 37 nach 57
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar On-state resistance: 40mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 150V Case: FG (TO263AB) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 72nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar On-state resistance: 40mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 150V Case: FG (TO263AB) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 72nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 19.7mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 100V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 19.7mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 100V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P32LF10SLK-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SLK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P32LF10SN-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SN-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P32LF10SNK-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SNK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P33LF6QLKD-5071 | SHINDENGEN | P33LF6QLKD-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P33LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN | P33LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P34F6EL-5600 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
P34F6EL-5600 | SHINDENGEN | P34F6EL-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F25HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P36F28HP2-5600 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
P36F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P38LF6QL-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QL-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P38LF6QLK-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QLK-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P38LF6QN-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QN-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P38LF6QNK-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QNK-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A On-state resistance: 10.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 117A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A On-state resistance: 10.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 117A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P3B28HP2-5071 | SHINDENGEN | P3B28HP2-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P3F60HP2-5600 | Shindengen |
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auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P3F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P3F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 18.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD |
auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 18.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 16.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 16.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar On-state resistance: 12mΩ Drain current: 40A Drain-source voltage: 60V Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 43nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 120A |
auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar On-state resistance: 12mΩ Drain current: 40A Drain-source voltage: 60V Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 43nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 120A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 92nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: THT |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 92nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F12SN-5600 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P40F12SN-5600 | SHINDENGEN | P40F12SN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar On-state resistance: 16.3mΩ Drain current: 40A Drain-source voltage: 120V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 160A |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar On-state resistance: 16.3mΩ Drain current: 40A Drain-source voltage: 120V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 160A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40LF12SLK-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: LF (MO235B similar) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P40LF12SLK-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: LF (MO235B similar) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: LF (MO235B similar) |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: LF (MO235B similar) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40LF12SNK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: LF (MO235B similar) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P40LF12SNK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: LF (MO235B similar) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P41LF4QTKD-5071 | SHINDENGEN | P41LF4QTKD-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P42F6EN-5600 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
P42F6EN-5600 | SHINDENGEN | P42F6EN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P46LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 46A Drain-source voltage: 75V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 138A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 46A Drain-source voltage: 75V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 138A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SLK-5071 | SHINDENGEN | P46LF7R5SLK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SN-5071 | SHINDENGEN | P46LF7R5SN-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SNK-5071 | SHINDENGEN | P46LF7R5SNK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P4B40HP2-5071 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN | P4B40HP2-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P4B60HP2F-5071 | SHINDENGEN | P4B60HP2F-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P4F60HP2-5600 | Shindengen | MOSFET Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
P4F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P4F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN | P4F90VX3-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P50B4EA-5071 | SHINDENGEN | P50B4EA-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P50B6EA-5071 | SHINDENGEN | P50B6EA-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN | P50F10SN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P50LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar On-state resistance: 11.3mΩ Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 200A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P50LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar On-state resistance: 11.3mΩ Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
P32FG15SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.90 EUR |
P32FG15SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.90 EUR |
P32LF10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
P32LF10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.68 EUR |
P32LF10SLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SLK-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P32LF10SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SN-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SN-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P32LF10SNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SNK-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P33LF6QLKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P33LF6QLKD-5071 SMD N channel transistors
P33LF6QLKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P33LF6QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P33LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
P33LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P34F6EL-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P34F6EL-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
58+ | 1.24 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
68+ | 1.05 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
P36F28HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P36F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.73 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
40+ | 1.80 EUR |
P38LF6QL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QL-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QL-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P38LF6QLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QLK-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QLK-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P38LF6QN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QN-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QN-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P38LF6QNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 117A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 117A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 117A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 117A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P3B28HP2-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P3B28HP2-5071 SMD N channel transistors
P3B28HP2-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P3F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
MOSFET High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.19 EUR |
10+ | 2.66 EUR |
100+ | 2.09 EUR |
200+ | 1.94 EUR |
500+ | 1.76 EUR |
1000+ | 1.51 EUR |
2000+ | 1.44 EUR |
P3F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.02 EUR |
86+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.60 EUR |
P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
P40B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.30 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
500+ | 0.62 EUR |
P40B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.30 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
500+ | 0.62 EUR |
P40B6SL-5071 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 120A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 120A
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.68 EUR |
117+ | 0.62 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
155+ | 0.46 EUR |
P40B6SL-5071 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.68 EUR |
117+ | 0.62 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
155+ | 0.46 EUR |
P40F10SN-5600 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 92nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 92nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P40F10SN-5600 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 92nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 92nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P40F12SN-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P40F12SN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40F12SN-5600 THT N channel transistors
P40F12SN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
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40+ | 1.80 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
P40LF12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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53+ | 1.36 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
80+ | 0.90 EUR |
P40LF12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P40LF12SLK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P40LF12SLK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P40LF12SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
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59+ | 1.22 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
P40LF12SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
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53+ | 1.36 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
500+ | 0.90 EUR |
P40LF12SNK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P40LF12SNK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P41LF4QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P41LF4QTKD-5071 SMD N channel transistors
P41LF4QTKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P42F6EN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P42F6EN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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70+ | 1.03 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
P46LF7R5SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P46LF7R5SLK-5071 SMD N channel transistors
P46LF7R5SLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P46LF7R5SN-5071 SMD N channel transistors
P46LF7R5SN-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P46LF7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
P46LF7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4B40HP2-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4B40HP2-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4B40HP2-5071 SMD N channel transistors
P4B40HP2-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4B60HP2F-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4B60HP2F-5071 SMD N channel transistors
P4B60HP2F-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4F60HP2-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET Mosfet
MOSFET Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
P4F90VX3-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
57+ | 1.26 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
P50B4EA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P50B4EA-5071 SMD N channel transistors
P50B4EA-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P50B6EA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P50B6EA-5071 SMD N channel transistors
P50B6EA-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P50F10SN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P50F10SN-5600 THT N channel transistors
P50F10SN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.80 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
P50LF10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P50LF10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH