Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (3458) > Seite 36 nach 58
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NSD03C20 | SHINDENGEN |
auf Bestellung 1406 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSF03A60 | SHINDENGEN |
auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P0R5B60HP2-5071 | Shindengen |
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P0R5B60HP2-5071 | SHINDENGEN | P0R5B60HP2-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2979 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P100FA7R5EN-5100 | Shindengen |
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P100FH4ENK-7071 | Shindengen |
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P100FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 100A Power dissipation: 238W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 164nC Technology: EETMOS3 Pulsed drain current: 400A |
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P100FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 100A Power dissipation: 238W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 164nC Technology: EETMOS3 Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P105LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) |
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P105LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P105LF4QLK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) |
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P105LF4QLK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 76nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P105LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P105LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P105LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) |
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P105LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 315A Case: LF (MO235B similar) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P10B28HP2-5071 | SHINDENGEN | P10B28HP2-5071 SMD N channel transistors |
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P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P10F50HP2-5600 | Shindengen |
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P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P10F60HP2-5600 | Shindengen |
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P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A On-state resistance: 4.8mΩ Power dissipation: 238W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 504A |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A On-state resistance: 4.8mΩ Power dissipation: 238W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 504A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P126FP7R5SNK-5071 | SHINDENGEN | P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain current: 12A On-state resistance: 670mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate charge: 26.5nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 600V |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P12F60HP2-5600 | Shindengen |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain current: 12A On-state resistance: 670mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate charge: 26.5nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P12FE7R5SBK-5071 | SHINDENGEN | P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P12LF10SLKD-5071 | SHINDENGEN | P12LF10SLKD-5071 Multi channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P13F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P13F50HP2-5600 | Shindengen | MOSFET High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
P13F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F50HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P13LA10EL-5070 | Shindengen |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
P13LA10EL-5070 | SHINDENGEN | P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P140LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.42mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 122nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A |
auf Bestellung 4346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P140LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.42mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 122nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4346 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P140LF4QLK-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.48mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A |
auf Bestellung 4837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.48mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4837 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P140LF4QNK-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P14FE6SBK-5071 | SHINDENGEN | P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P15F50HP2-5600 | Shindengen | MOSFET High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
P15F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P15F50HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15F60HP2-5600 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
P15F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P15F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15F60HP2F-5600 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN | P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Mounting: SMD Case: LA Drain-source voltage: 120V Drain current: 15A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38.5nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Mounting: SMD Case: LA Drain-source voltage: 120V Drain current: 15A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38.5nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P15LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN | P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P16B6SB-5071 | SHINDENGEN | P16B6SB-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2592 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P16B6SBK-5071 | SHINDENGEN | P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P170FZ6QNKA-5071 | SHINDENGEN | P170FZ6QNKA-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
P17F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P17F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NSD03C20 |
Hersteller: SHINDENGEN
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NSF03A60 |
Hersteller: SHINDENGEN
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
P0R5B60HP2-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P0R5B60HP2-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P0R5B60HP2-5071 SMD N channel transistors
P0R5B60HP2-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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72+ | 0.99 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
233+ | 0.31 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
P100FA7R5EN-5100 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P100FH4ENK-7071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P100FP12SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Pulsed drain current: 400A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Pulsed drain current: 400A
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P100FP12SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
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On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
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On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P105LF4QL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Case: LF (MO235B similar)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
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Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
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Case: LF (MO235B similar)
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P105LF4QL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Type of transistor: N-MOSFET
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Technology: EETMOS4
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
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Technology: EETMOS4
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P105LF4QLK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
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Technology: EETMOS4
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Application: automotive industry
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Technology: EETMOS4
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P105LF4QLK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
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Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 76nC
Technology: EETMOS4
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P105LF4QN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Type of transistor: N-MOSFET
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Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Type of transistor: N-MOSFET
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Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
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Gate-source voltage: ±20V
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Case: LF (MO235B similar)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 14.3 EUR |
P105LF4QN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Type of transistor: N-MOSFET
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Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
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Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
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Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
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Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.3 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
69+ | 1.03 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
P105LF4QNK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Case: LF (MO235B similar)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
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Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Case: LF (MO235B similar)
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Stück im Wert von UAH
P105LF4QNK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 315A
Case: LF (MO235B similar)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
P10B28HP2-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P10B28HP2-5071 SMD N channel transistors
P10B28HP2-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P10F50HP2-5600 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
P10F50HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
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Stück im Wert von UAH
P10F50HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
47+ | 1.52 EUR |
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.4 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.4 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
P120LF6GLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P120LF6GLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P120LF6GMK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P120LF6GMK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P126FP10SN-5071 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.53 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
P126FP10SN-5071 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.53 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
P126FP7R5SNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
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P12F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain current: 12A
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 600V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain current: 12A
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 600V
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
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P12F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
MOSFET High Switching Speed High Voltage
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P12F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain current: 12A
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain current: 12A
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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59+ | 1.23 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
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P12FE7R5SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors
P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors
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P12LF10SLKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P12LF10SLKD-5071 Multi channel transistors
P12LF10SLKD-5071 Multi channel transistors
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P13F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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54+ | 1.33 EUR |
70+ | 1.02 EUR |
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P13F50HP2-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
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P13F50HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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51+ | 1.42 EUR |
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P13LA10EL-5070 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
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P13LA10EL-5070 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors
P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors
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P140LF4QL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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72+ | 1 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.7 EUR |
P140LF4QL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.7 EUR |
P140LF4QLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors
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P140LF4QN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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75+ | 0.96 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
103+ | 0.7 EUR |
P140LF4QN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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75+ | 0.96 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
103+ | 0.7 EUR |
P140LF4QNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P14FE6SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors
P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P15F50HP2-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
MOSFET High Switching Speed High Voltage
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F50HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.46 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
P15F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F60HP2-5600 THT N channel transistors
P15F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.69 EUR |
38+ | 1.9 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
P15F60HP2F-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F60HP2F-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors
P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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34+ | 2.16 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.49 EUR |
P15LA12SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15LA12SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15LF6QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P16B6SB-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P16B6SB-5071 SMD N channel transistors
P16B6SB-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
109+ | 0.66 EUR |
160+ | 0.45 EUR |
169+ | 0.42 EUR |
P16B6SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors
P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P170FZ6QNKA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P170FZ6QNKA-5071 SMD N channel transistors
P170FZ6QNKA-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P17F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
500+ | 1.07 EUR |