Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (3455) > Seite 36 nach 58
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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P10F50HP2-5600 | Shindengen |
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P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P10F60HP2-5600 | Shindengen |
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P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD |
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P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD |
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P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A On-state resistance: 4.8mΩ Power dissipation: 238W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 504A |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A On-state resistance: 4.8mΩ Power dissipation: 238W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 504A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P126FP7R5SNK-5071 | SHINDENGEN | P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors |
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P12F60HP2-5600 | Shindengen |
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P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P12F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P12FE7R5SBK-5071 | SHINDENGEN | P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors |
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P12LF10SLKD-5071 | SHINDENGEN | P12LF10SLKD-5071 Multi channel transistors |
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P13F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P13F50HP2-5600 | Shindengen | MOSFET High Switching Speed High Voltage |
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P13F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F50HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P13LA10EL-5070 | Shindengen |
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P13LA10EL-5070 | SHINDENGEN | P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors |
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P140LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.42mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 122nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A |
auf Bestellung 4346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P140LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.42mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 122nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4346 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P140LF4QLK-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors |
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P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.48mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A |
auf Bestellung 4837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A On-state resistance: 1.48mΩ Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: EETMOS4 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 560A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4837 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P140LF4QNK-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors |
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P14FE6SBK-5071 | SHINDENGEN | P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors |
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P15F50HP2-5600 | Shindengen | MOSFET High Switching Speed High Voltage |
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P15F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P15F50HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15F60HP2-5600 | Shindengen |
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P15F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P15F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15F60HP2F-5600 | Shindengen |
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P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN | P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Mounting: SMD Case: LA Drain-source voltage: 120V Drain current: 15A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38.5nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A |
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P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Mounting: SMD Case: LA Drain-source voltage: 120V Drain current: 15A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38.5nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P15LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN | P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors |
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P16B6SB-5071 | SHINDENGEN | P16B6SB-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 2592 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P16B6SBK-5071 | SHINDENGEN | P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors |
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P170FZ6QNKA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 510A Drain-source voltage: 60V Drain current: 170A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 178W Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement |
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P170FZ6QNKA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 510A Drain-source voltage: 60V Drain current: 170A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 178W Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P17F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P17F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P17LF10SLKD-5071 | SHINDENGEN | P17LF10SLKD-5071 SMD N channel transistors |
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P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Mounting: SMD Case: LA Drain-source voltage: 120V Drain current: 18A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 47nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A |
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P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Mounting: SMD Case: LA Drain-source voltage: 120V Drain current: 18A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 47nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P18LF6QLK-5071 | SHINDENGEN | P18LF6QLK-5071 SMD N channel transistors |
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P18LF6QNK-5071 | SHINDENGEN | P18LF6QNK-5071 SMD N channel transistors |
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P19LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar On-state resistance: 35mΩ Drain current: 19A Drain-source voltage: 100V Case: LA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 38nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 57A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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P19LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar On-state resistance: 35mΩ Drain current: 19A Drain-source voltage: 100V Case: LA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 38nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 57A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P1B52HP2-5071 | SHINDENGEN | P1B52HP2-5071 SMD N channel transistors |
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P1FE90VX3-5071 | SHINDENGEN | P1FE90VX3-5071 SMD N channel transistors |
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P1FE90VX4-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; FE (TO252AB similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: FE (TO252AB similar) Mounting: SMD Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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P1FE90VX4-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; FE (TO252AB similar) Type of transistor: N-MOSFET Case: FE (TO252AB similar) Mounting: SMD Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P1R5B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.5A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.9nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: FB (TO252AA) |
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P1R5B40HP2-5071 | Shindengen |
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P1R5B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.5A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.9nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: FB (TO252AA) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P20B12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar On-state resistance: 44mΩ Drain current: 20A Drain-source voltage: 120V Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 46nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 60A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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P20B12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar On-state resistance: 44mΩ Drain current: 20A Drain-source voltage: 120V Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 46nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 60A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P20B12SN-5071 | SHINDENGEN | P20B12SN-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P20F50HP2-5600 | Shindengen |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P10F50HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P10F50HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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30+ | 2.39 EUR |
47+ | 1.52 EUR |
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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52+ | 1.40 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.40 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P120LF6GLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P120LF6GLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P120LF6GMK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P120LF6GMK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P126FP10SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.53 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
40+ | 1.80 EUR |
P126FP10SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
On-state resistance: 4.8mΩ
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 504A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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29+ | 2.53 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
40+ | 1.80 EUR |
P126FP7R5SNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
P126FP7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P12F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
MOSFET High Switching Speed High Voltage
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P12F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P12F60HP2-5600 THT N channel transistors
P12F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.53 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
500+ | 1.06 EUR |
P12FE7R5SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors
P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P12LF10SLKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P12LF10SLKD-5071 Multi channel transistors
P12LF10SLKD-5071 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P13F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.33 EUR |
70+ | 1.02 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
P13F50HP2-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
MOSFET High Switching Speed High Voltage
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P13F50HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
P13LA10EL-5070 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P13LA10EL-5070 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors
P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P140LF4QL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1.00 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.70 EUR |
P140LF4QL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.42mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1.00 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.70 EUR |
P140LF4QLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P140LF4QN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 0.96 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
P140LF4QN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
On-state resistance: 1.48mΩ
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: EETMOS4
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 560A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 0.96 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
P140LF4QNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P14FE6SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors
P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F50HP2-5600 |
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
MOSFET High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F50HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
P15F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F60HP2-5600 THT N channel transistors
P15F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.69 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
40+ | 1.80 EUR |
P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F60HP2F-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors
P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.16 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.49 EUR |
P15LA12SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15LA12SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 15A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38.5nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15LF6QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P16B6SB-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P16B6SB-5071 SMD N channel transistors
P16B6SB-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
109+ | 0.66 EUR |
160+ | 0.45 EUR |
169+ | 0.42 EUR |
P16B6SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors
P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P170FZ6QNKA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 510A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 510A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P170FZ6QNKA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 510A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 510A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P17F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
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500+ | 1.07 EUR |
P17LF10SLKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P17LF10SLKD-5071 SMD N channel transistors
P17LF10SLKD-5071 SMD N channel transistors
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P18LA12SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 18A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 18A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
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P18LA12SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 18A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 18A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P18LF6QLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P18LF6QLK-5071 SMD N channel transistors
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P18LF6QNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P18LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
P18LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
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P19LA10SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
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P19LA10SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
P1B52HP2-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P1B52HP2-5071 SMD N channel transistors
P1B52HP2-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P1FE90VX3-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P1FE90VX3-5071 SMD N channel transistors
P1FE90VX3-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P1FE90VX4-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; FE (TO252AB similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; FE (TO252AB similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
P1FE90VX4-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; FE (TO252AB similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; FE (TO252AB similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
P1R5B40HP2-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.9nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.9nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P1R5B40HP2-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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Stück im Wert von UAH
P1R5B40HP2-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.9nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.9nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P20B12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 120V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 60A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 120V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P20B12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 120V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 120V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P20B12SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P20B12SN-5071 SMD N channel transistors
P20B12SN-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P20F50HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed High Voltage
MOSFET High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 13 Stücke:
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10+ | 6.83 EUR |
50+ | 6.46 EUR |
100+ | 5.47 EUR |
200+ | 5.19 EUR |
500+ | 4.89 EUR |
1000+ | 4.19 EUR |