Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (3436) > Seite 36 nach 58
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Gate charge: 20nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 79W Pulsed drain current: 40A Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P10F50HP2-5600 | Shindengen |
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P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Gate charge: 20nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 79W Pulsed drain current: 40A Technology: Hi-PotMOS2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P10F60HP2-5600 | Shindengen |
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P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
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auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN | P120LF6GLK-5071 SMD N channel transistors |
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P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN | P120LF6GMK-5071 SMD N channel transistors |
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P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: FP (SC83 similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 160nC On-state resistance: 4.8mΩ Drain current: 126A Power dissipation: 238W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 504A Technology: EETMOS3 |
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P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: FP (SC83 similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 160nC On-state resistance: 4.8mΩ Drain current: 126A Power dissipation: 238W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 504A Technology: EETMOS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P126FP7R5SNK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar) Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: FP (SC83 similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Application: automotive industry Technology: EETMOS3 |
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P126FP7R5SNK-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar) Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: FP (SC83 similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Application: automotive industry Technology: EETMOS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 90W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 670mΩ Mounting: THT Gate charge: 26.5nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P12F60HP2-5600 | Shindengen |
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P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 90W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 670mΩ Mounting: THT Gate charge: 26.5nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P12FE7R5SBK-5071 | SHINDENGEN | P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors |
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P12LF10SLKD-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 12A; Idm: 36A; 50W Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 32nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 36A Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
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P12LF10SLKD-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 12A; Idm: 36A; 50W Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 32nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 36A Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P13F28HP2-5600 | Shindengen |
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P13F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P13F50HP2-5600 | Shindengen |
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P13F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F50HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P13LA10EL-5070 | Shindengen |
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P13LA10EL-5070 | SHINDENGEN | P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors |
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P140LF4QL-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QL-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 4362 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P140LF4QLK-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors |
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P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 4837 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P140LF4QNK-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors |
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P14FE6SBK-5071 | SHINDENGEN | P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors |
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P15F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 90W Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 15A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 90W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 500V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P15F50HP2-5600 | Shindengen |
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P15F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 90W Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 15A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 90W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 500V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15F60HP2-5600 | Shindengen |
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P15F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P15F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15F60HP2F-5600 | Shindengen |
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P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN | P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 38.5nC On-state resistance: 50mΩ Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
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P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 38.5nC On-state resistance: 50mΩ Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 120V Case: LA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P15LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN | P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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P16B6SB-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 20W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Technology: EETMOS3 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P16B6SB-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 20W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Technology: EETMOS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P16B6SBK-5071 | SHINDENGEN | P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
P170FZ6QNKA-5071 | SHINDENGEN | P170FZ6QNKA-5071 SMD N channel transistors |
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P17F28HP2-5600 | Shindengen |
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P17F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P17F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P17LF10SLKD-5071 | SHINDENGEN | P17LF10SLKD-5071 SMD N channel transistors |
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P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC On-state resistance: 44mΩ Drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 99W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC On-state resistance: 44mΩ Drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 99W Drain-source voltage: 120V Case: LA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P18LF6QLK-5071 | SHINDENGEN | P18LF6QLK-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
P18LF6QNK-5071 | SHINDENGEN | P18LF6QNK-5071 SMD N channel transistors |
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P19LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar On-state resistance: 35mΩ Drain current: 19A Drain-source voltage: 100V Case: LA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 38nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 57A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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P19LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar On-state resistance: 35mΩ Drain current: 19A Drain-source voltage: 100V Case: LA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 38nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 57A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P1B52HP2-5071 | SHINDENGEN | P1B52HP2-5071 SMD N channel transistors |
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P1FE90VX3-5071 | SHINDENGEN | P1FE90VX3-5071 SMD N channel transistors |
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P1FE90VX4-5071 | SHINDENGEN | P1FE90VX4-5071 SMD N channel transistors |
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P1R5B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC On-state resistance: 5Ω Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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P1R5B40HP2-5071 | Shindengen |
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P1R5B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC On-state resistance: 5Ω Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
P20B12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 44W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
P20B12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 44W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P10F50HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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30+ | 2.39 EUR |
P10F50HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P10F50HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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30+ | 2.39 EUR |
48+ | 1.49 EUR |
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.4 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
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P10F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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52+ | 1.4 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
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P120LF6GLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P120LF6GLK-5071 SMD N channel transistors
P120LF6GLK-5071 SMD N channel transistors
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P120LF6GMK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P120LF6GMK-5071 SMD N channel transistors
P120LF6GMK-5071 SMD N channel transistors
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P126FP10SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 126A
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 504A
Technology: EETMOS3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 126A
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 504A
Technology: EETMOS3
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Stück im Wert von UAH
P126FP10SN-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 126A
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 504A
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4.8mΩ
Drain current: 126A
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 504A
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
P126FP7R5SNK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Technology: EETMOS3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Technology: EETMOS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P126FP7R5SNK-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P12F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
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Power dissipation: 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
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Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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59+ | 1.23 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
100+ | 0.96 EUR |
P12F60HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P12F60HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
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Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
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Case: FTO-220AG (SC91)
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On-state resistance: 670mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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59+ | 1.23 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
100+ | 0.96 EUR |
P12FE7R5SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors
P12FE7R5SBK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P12LF10SLKD-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 12A; Idm: 36A; 50W
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 12A; Idm: 36A; 50W
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
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Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P12LF10SLKD-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 12A; Idm: 36A; 50W
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 32nC
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Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
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Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 12A; Idm: 36A; 50W
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 36A
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Case: LF (MO235B similar)
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
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Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P13F28HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P13F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.33 EUR |
70+ | 1.02 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
P13F50HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P13F50HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
P13LA10EL-5070 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFET 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P13LA10EL-5070 |
Hersteller: SHINDENGEN
P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors
P13LA10EL-5070 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P140LF4QL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QL-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QL-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
P140LF4QLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P140LF4QN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
P140LF4QNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P14FE6SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors
P14FE6SBK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F50HP2-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 90W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 90W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
100+ | 0.99 EUR |
P15F50HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F50HP2-5600 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 90W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 90W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
100+ | 0.99 EUR |
P15F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F60HP2-5600 THT N channel transistors
P15F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.69 EUR |
38+ | 1.9 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15F60HP2F-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors
P15F60HP2F-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.16 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.49 EUR |
P15LA12SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P15LA12SL-5070 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P15LF6QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
P15LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
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P16B6SB-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 20W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Technology: EETMOS3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 20W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Technology: EETMOS3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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114+ | 0.63 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
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169+ | 0.43 EUR |
3000+ | 0.42 EUR |
P16B6SB-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 20W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 20W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
114+ | 0.63 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
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169+ | 0.43 EUR |
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P16B6SBK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors
P16B6SBK-5071 SMD N channel transistors
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P170FZ6QNKA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P170FZ6QNKA-5071 SMD N channel transistors
P170FZ6QNKA-5071 SMD N channel transistors
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P17F28HP2-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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P17F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
P17LF10SLKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P17LF10SLKD-5071 SMD N channel transistors
P17LF10SLKD-5071 SMD N channel transistors
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P18LA12SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
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P18LA12SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P18LF6QLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P18LF6QLK-5071 SMD N channel transistors
P18LF6QLK-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P18LF6QNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P18LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
P18LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P19LA10SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P19LA10SL-5070 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 19A; Idm: 57A; 83W; LA
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 19A
Drain-source voltage: 100V
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 57A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
P1B52HP2-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P1B52HP2-5071 SMD N channel transistors
P1B52HP2-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P1FE90VX3-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P1FE90VX3-5071 SMD N channel transistors
P1FE90VX3-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
P1FE90VX4-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P1FE90VX4-5071 SMD N channel transistors
P1FE90VX4-5071 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
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P1R5B40HP2-5071 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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Stück im Wert von UAH
P1R5B40HP2-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
P20B12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 44W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 44W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P20B12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 44W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 20A; Idm: 60A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 44W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH