Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (2318) > Seite 26 nach 39
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MTD2005F-7072 | Shindengen |
 Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=60 IO=1 PT=3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MTD2005F-7102 | Shindengen | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=60 IO=1 PT=3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2006F | Shindengen | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Power IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2007F | Shindengen | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Motor Drive IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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MTD2007F-3072 | Shindengen |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MTD2007F-7072 | Shindengen | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2007F-7102 | Shindengen | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2009J | Shindengen | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Power IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2019JA | SHINDENGEN | 00+ SOP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2023G | SHINDENGEN | 00+ |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2033G-3072 | Shindengen | Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2123 | SHINDENGEN | 2000 |
auf Bestellung 3183 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MTD2213G | SHINDENGEN | 2003 |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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MV1001SC-5072 | Shindengen |
LED Lighting Drivers LED Driver IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MV1002SC-5072 | Shindengen |
LED Lighting Driver ICs LED Driver IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MV1011SC-5072 | Shindengen |
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MV1012SC-5072 | Shindengen |
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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MV2002SG-3072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MV2052SG-3072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NSD03A40 | Shindengen |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| NSD03C20 | SHINDENGEN |
auf Bestellung 1406 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF03A60 | SHINDENGEN |
auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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P0R5B60HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 4.3nC Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P0R5B60HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P100FA7R5EN-5100 | Shindengen |
MOSFETs 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| P100FH4ENK-7071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P105LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 76nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P105LF4QLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 76nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P105LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 105A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 79W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P10F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P10F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P12F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P13F28HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 280V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P13F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P13F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P13LA10EL-5070 | Shindengen | MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P140LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P140LF4QLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P140LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P15F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P15F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P15F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P15F60HP2F-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 83W Gate charge: 38.5nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 15A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P16B6SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 37mΩ Drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 60V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 2989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P170FZ6QNKA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 170A Pulsed drain current: 510A Power dissipation: 178W Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P17F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 99W Gate charge: 47nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P20F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P21F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| P22F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P25B6EB-5071 | Shindengen |
MOSFET High Switching Speed |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| P25LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 142W Gate charge: 61nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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P26B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| P26B10SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MTD2005F-7072 |
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Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=60 IO=1 PT=3
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=60 IO=1 PT=3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2005F-7102 |
Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=60 IO=1 PT=3
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=60 IO=1 PT=3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2006F |
Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Power IC
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Power IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2007F |
Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Motor Drive IC
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Motor Drive IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2007F-3072 |
|
Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2007F-7072 |
Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2007F-7102 |
Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers VCEO=50 IO=1 PT=3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2009J |
Hersteller: Shindengen
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Power IC
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Power IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2019JA |
Hersteller: SHINDENGEN
00+ SOP
00+ SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MTD2023G |
Hersteller: SHINDENGEN
00+
00+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MTD2033G-3072 |
Hersteller: Shindengen
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTD2123 |
Hersteller: SHINDENGEN
2000
2000
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MTD2213G |
Hersteller: SHINDENGEN
2003
2003
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MV1001SC-5072 |
|
Hersteller: Shindengen
LED Lighting Drivers LED Driver IC
LED Lighting Drivers LED Driver IC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MV1002SC-5072 |
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Hersteller: Shindengen
LED Lighting Driver ICs LED Driver IC
LED Lighting Driver ICs LED Driver IC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MV1011SC-5072 |
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Hersteller: Shindengen
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MV1012SC-5072 |
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Hersteller: Shindengen
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MV2002SG-3072 |
Hersteller: Shindengen
LED Lighting Drivers LED Driver IC
LED Lighting Drivers LED Driver IC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MV2052SG-3072 |
Hersteller: Shindengen
LED Lighting Drivers LED Driver IC
LED Lighting Drivers LED Driver IC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NSD03A40 |
|
Hersteller: Shindengen
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| NSD03C20 |
Hersteller: SHINDENGEN
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| NSF03A60 |
Hersteller: SHINDENGEN
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| P0R5B60HP2-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 4.3nC
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 4.3nC
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 0.95 EUR |
| 112+ | 0.76 EUR |
| 150+ | 0.57 EUR |
| 161+ | 0.52 EUR |
| 214+ | 0.39 EUR |
| P0R5B60HP2-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P100FA7R5EN-5100 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P100FH4ENK-7071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P105LF4QL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P105LF4QLK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P105LF4QNK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P10F50HP2-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 42.54 EUR |
| P10F50HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P10F60HP2-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 1.55 EUR |
| 61+ | 1.39 EUR |
| 70+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| P10F60HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P12F60HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P13F28HP2-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 280V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 280V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 1.39 EUR |
| 65+ | 1.31 EUR |
| P13F28HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P13F50HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P13LA10EL-5070 |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P140LF4QL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 72+ | 1.19 EUR |
| 82+ | 1.05 EUR |
| 91+ | 0.94 EUR |
| 101+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| P140LF4QLK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P140LF4QN-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 1.14 EUR |
| 83+ | 1.04 EUR |
| 94+ | 0.92 EUR |
| 103+ | 0.82 EUR |
| P140LF4QNK-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15F50HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15F60HP2-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 2.81 EUR |
| 34+ | 2.53 EUR |
| 39+ | 2.23 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| P15F60HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15F60HP2F-5600 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 2.06 EUR |
| 46+ | 1.86 EUR |
| 53+ | 1.63 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| P15F60HP2F-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P15LA12SL-5070 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 38.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 38.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P16B6SB-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 123+ | 0.69 EUR |
| 138+ | 0.62 EUR |
| 155+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| P170FZ6QNKA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 510A
Power dissipation: 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 510A
Power dissipation: 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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| P17F28HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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Stück im Wert von UAH
| P18LA12SL-5070 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| P1R5B40HP2-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| P20F50HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.22 EUR |
| 10+ | 8.13 EUR |
| 100+ | 6.53 EUR |
| 500+ | 5.82 EUR |
| 1000+ | 4.99 EUR |
| 2500+ | 4.69 EUR |
| P21F28HP2-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| P22F10SN-5600 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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Stück im Wert von UAH
| P25B6EB-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFET High Switching Speed
MOSFET High Switching Speed
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Stück im Wert von UAH
| P25LA12SL-5070 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| P26B10SL-5071 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 0.7 EUR |
| 136+ | 0.63 EUR |
| 153+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| P26B10SL-5071 |
|
Hersteller: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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