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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIC437CED-T1-GE3 VISHAY sic437.pdf SIC437CED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC437DED-T1-GE3 VISHAY sic437.pdf SIC437DED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC438AED-T1-GE3 VISHAY sic437.pdf SIC438AED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC438BED-T1-GE3 VISHAY sic437.pdf SIC438BED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC438CED-T1-GE3 VISHAY sic437.pdf SIC438CED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC461ED-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CB1766C508233D1&compId=sic461-4.pdf?ci_sign=924ae838653a86ed919981172771bad0c1165d5c Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 4.5÷60VDC; Uout: 0.8÷55.2VDC; MLP27
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: POL converter
Input voltage: 4.5...60V DC
Output voltage: 0.8...55.2V DC
Output current: 10A
Frequency: 0.1...2MHz
Mounting: SMD
Case: MLP27
Topology: buck
Supply voltage: 4.75...5.25V
Operating temperature: -40...125°C
Efficiency: 98%
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Kind of package: reel; tape
Technology: mikroBUCK®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SiC462ED-T1-GE3 VISHAY sic46x.pdf SIC462ED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC463ED-T1-GE3 VISHAY sic461-4.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 4.5÷60VDC; Uout: 0.8÷55.2VDC; MLP27
Supply voltage: 4.75...5.25V
Frequency: 0.1...2MHz
Output voltage: 0.8...55.2V DC
Output current: 4A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 4.5...60V DC
Efficiency: 98%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: MLP27
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC464ED-T1-GE3 VISHAY sic46x.pdf SIC464ED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC931BED-Y1-GE3 VISHAY sic931.pdf SIC931BED-Y1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIDR104ADP-T1-RE3 VISHAY sidr104adp.pdf SIDR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR104AEP-T1-RE3 VISHAY sidr104aep.pdf SIDR104AEP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR140DP-T1-GE3 VISHAY sidr140dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Drain-source voltage: 25V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-RE3 VISHAY sidr140dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Drain-source voltage: 25V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR170DP-T1-RE3 VISHAY sidr170dp.pdf SIDR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR220DP-T1-RE3 VISHAY sidr220dp.pdf SIDR220DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR390DP-T1-GE3 VISHAY sidr390dp.pdf SIDR390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-GE3 VISHAY sidr392dp.pdf SIDR392DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR392DP-T1-RE3 VISHAY sidr392dp.pdf SIDR392DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR402DP-T1-GE3 VISHAY sidr402dp.pdf SIDR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIDR500EP-T1-RE3 VISHAY sidr500ep.pdf SIDR500EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR5102EP-T1-RE3 VISHAY sidr5102ep.pdf SIDR5102EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR510EP-T1-RE3 VISHAY sidr510ep.pdf SIDR510EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR570EP-T1-RE3 VISHAY sidr570ep.pdf SIDR570EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR5802EP-T1-RE3 VISHAY sidr5802ep.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 153A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR608DP-T1-RE3 VISHAY sidr608dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY sidr610dp.pdf SIDR610DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR610DP-T1-RE3 VISHAY sidr610dp.pdf SIDR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR622DP-T1-GE3 VISHAY sidr622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR622DP-T1-RE3 VISHAY sidr622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR626DP-T1-GE3 VISHAY sidr626dp.pdf SIDR626DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR626DP-T1-RE3 VISHAY sidr626dp.pdf SIDR626DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR626LDP-T1-RE3 VISHAY sidr626ldp.pdf SIDR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR626LEP-T1-RE3 VISHAY sidr626lep.pdf SIDR626LEP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR638DP-T1-GE3 VISHAY sidr638dp.pdf SIDR638DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIDR638DP-T1-RE3 VISHAY sidr638dp.pdf SIDR638DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR668ADP-T1-RE3 VISHAY sidr668adp.pdf SIDR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR668DP-T1-GE3 VISHAY sidr668dp.pdf SIDR668DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIDR680ADP-T1-RE3 VISHAY sidr680adp.pdf SIDR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY sidr680dp.pdf SIDR680DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR870ADP-T1-GE3 VISHAY sidr870adp.pdf SIDR870ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE802DF-T1-E3 VISHAY 72985.pdf SIE802DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE808DF-T1-E3 VISHAY sie808df.pdf SIE808DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE812DF-T1-E3 VISHAY sie812df.pdf SIE812DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE812DF-T1-GE3 VISHAY sie812df.pdf SIE812DF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE818DF-T1-E3 VISHAY sie818df.pdf SIE818DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE818DF-T1-GE3 VISHAY sie818df.pdf SIE818DF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE822DF-T1-E3 VISHAY sie822df.pdf SIE822DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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SIHA100N60E-GE3 VISHAY siha100n60e.pdf SIHA100N60E-GE3 THT N channel transistors
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SIHA11N80AE-GE3 VISHAY siha11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80E-GE3 VISHAY siha11n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA120N60E-GE3 VISHAY siha120n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3 VISHAY siha125n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.125Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-E3 VISHAY siha12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-E3 VISHAY siha15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
24+3.09 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AE-GE3 VISHAY siha15n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29A
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AEF-GE3 VISHAY siha15n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AEF-GE3 VISHAY siha17n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC437CED-T1-GE3 sic437.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC437CED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC437DED-T1-GE3 sic437.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC437DED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC438AED-T1-GE3 sic437.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC438AED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC438BED-T1-GE3 sic437.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC438BED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC438CED-T1-GE3 sic437.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC438CED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC438DED-T1-GE3 sic437.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC438DED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC461ED-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CB1766C508233D1&compId=sic461-4.pdf?ci_sign=924ae838653a86ed919981172771bad0c1165d5c
Hersteller: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 4.5÷60VDC; Uout: 0.8÷55.2VDC; MLP27
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: POL converter
Input voltage: 4.5...60V DC
Output voltage: 0.8...55.2V DC
Output current: 10A
Frequency: 0.1...2MHz
Mounting: SMD
Case: MLP27
Topology: buck
Supply voltage: 4.75...5.25V
Operating temperature: -40...125°C
Efficiency: 98%
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Kind of package: reel; tape
Technology: mikroBUCK®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiC462ED-T1-GE3 sic46x.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC462ED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC463ED-T1-GE3 sic461-4.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 4.5÷60VDC; Uout: 0.8÷55.2VDC; MLP27
Supply voltage: 4.75...5.25V
Frequency: 0.1...2MHz
Output voltage: 0.8...55.2V DC
Output current: 4A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 4.5...60V DC
Efficiency: 98%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: MLP27
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC464ED-T1-GE3 sic46x.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC464ED-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC931BED-Y1-GE3 sic931.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC931BED-Y1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIDR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR104AEP-T1-RE3 sidr104aep.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR104AEP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-GE3 sidr140dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Drain-source voltage: 25V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR140DP-T1-RE3 sidr140dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Drain-source voltage: 25V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIDR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR220DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIDR392DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIDR392DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIDR500EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR5102EP-T1-RE3 sidr5102ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR5102EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR510EP-T1-RE3 sidr510ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR510EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR570EP-T1-RE3 sidr570ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR570EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIDR5802EP-T1-RE3 sidr5802ep.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 153A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR608DP-T1-RE3 sidr608dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR610DP-T1-GE3 sidr610dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR610DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR610DP-T1-RE3 sidr610dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR622DP-T1-GE3 sidr622dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR622DP-T1-RE3 sidr622dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR626DP-T1-GE3 sidr626dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR626DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR626DP-T1-RE3 sidr626dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR626DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR626LDP-T1-RE3 sidr626ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR626LEP-T1-RE3 sidr626lep.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR626LEP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR638DP-T1-GE3 sidr638dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR638DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR638DP-T1-RE3 sidr638dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR638DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR668ADP-T1-RE3 sidr668adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR668DP-T1-GE3 sidr668dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR668DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR680ADP-T1-RE3 sidr680adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR680DP-T1-GE3 sidr680dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR680DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDR870ADP-T1-GE3 sidr870adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIDR870ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE802DF-T1-E3 72985.pdf
Hersteller: VISHAY
SIE802DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE808DF-T1-E3 sie808df.pdf
Hersteller: VISHAY
SIE808DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE812DF-T1-E3 sie812df.pdf
Hersteller: VISHAY
SIE812DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE812DF-T1-GE3 sie812df.pdf
Hersteller: VISHAY
SIE812DF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE818DF-T1-E3 sie818df.pdf
Hersteller: VISHAY
SIE818DF-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE818DF-T1-GE3 sie818df.pdf
Hersteller: VISHAY
SIE818DF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE822DF-T1-E3 sie822df.pdf
Hersteller: VISHAY
SIE822DF-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA100N60E-GE3 siha100n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHA100N60E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80AE-GE3 siha11n80ae.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA120N60E-GE3 siha120n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA125N60EF-GE3 siha125n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.125Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA12N50E-E3 siha12n50e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N50E-E3 siha15n50e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
24+3.09 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AE-GE3 siha15n80ae.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29A
Gate charge: 53nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N80AEF-GE3 siha15n80aef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA17N80AEF-GE3 siha17n80aef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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