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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7192DP-T1-GE3 VISHAY si7192dp.pdf SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-E3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-E3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-E3 VISHAY si7220dn.pdf SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7223DN-T1-GE3 VISHAY si7223dn.pdf SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7234DP-T1-GE3 VISHAY si7234dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf SI7272DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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SI7308DN-T1-E3 VISHAY 73419.pdf SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7308DN-T1-GE3 VISHAY si7308dn.pdf SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7309DN-T1-E3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3 VISHAY si7315dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7317DN-T1-GE3 VISHAY si7317dn.pdf SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7326DN-T1-E3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-E3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-GE3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7336ADP-T1-E3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7370DP-T1-E3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7370DP-T1-GE3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7374DP-T1-E3 VISHAY 73560.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7386DP-T1-E3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7390DP-T1-E3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7390DP-T1-GE3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7414DN-T1-E3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7415DN-T1-E3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7415DN-T1-GE3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7421DN-T1-E3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7421DN-T1-GE3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7423DN-T1-E3 VISHAY Si7423DN.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-GE3 VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY si7434adp.pdf SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-RE3 VISHAY SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-E3 VISHAY 71618.pdf SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-GE3 VISHAY si7454dp.pdf SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY si7454fdp.pdf SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7456CDP-T1-GE3 VISHAY si7456cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7192DP-T1-GE3 si7192dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-E3 si7212dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-E3 si7216dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3 si7216dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3 si7220dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-GE3 si7220dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7223DN-T1-GE3 si7223dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7234DP-T1-GE3 si7234dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7272DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2551 Stücke:
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Hersteller: VISHAY
SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3 si7315dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7374DP-T1-E3 73560.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3 si7386dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7390DP-T1-E3 si7390dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-GE3 72582.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3 si7431dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3 si7434dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3 si7439dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3 si7450dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-GE3 si7454dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454FDP-T1-RE3 si7454fdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456CDP-T1-GE3 si7456cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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