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SI7137DP-T1-GE3 VISHAY si7137dp.pdf SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7139DP-T1-GE3 VISHAY si7139dp.pdf SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7141DP-T1-GE3 VISHAY si7141dp.pdf SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7143DP-T1-GE3 VISHAY si7143dp.pdf SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7145DP-T1-GE3 VISHAY si7145dp.pdf SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7148DP-T1-E3 VISHAY 73314.pdf SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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SI7149DP-T1-GE3 VISHAY si7149dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 4717 Stücke:
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136+0.53 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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SI7155DP-T1-GE3 VISHAY si7155dp.pdf SI7155DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7157DP-T1-GE3 VISHAY si7157dp.pdf SI7157DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7164DP-T1-GE3 VISHAY si7164dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY si7172adp.pdf SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7172DP-T1-GE3 VISHAY si7172dp.pdf SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7174DP-T1-GE3 VISHAY si7174dp.pdf SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7178DP-T1-GE3 VISHAY si7178dp.pdf description SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY si7190adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190DP-T1-GE3 VISHAY si7190dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18.4A
On-state resistance: 124mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7192DP-T1-GE3 VISHAY si7192dp.pdf SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-E3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-E3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7216DN-T1-GE3 VISHAY si7216dn.pdf SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-E3 VISHAY si7220dn.pdf SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7220DN-T1-GE3 VISHAY si7220dn.pdf SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7223DN-T1-GE3 VISHAY si7223dn.pdf SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7234DP-T1-GE3 VISHAY si7234dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf SI7272DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
53+1.36 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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SI7308DN-T1-E3 VISHAY 73419.pdf SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7308DN-T1-GE3 VISHAY si7308dn.pdf SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7309DN-T1-E3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3 VISHAY si7309dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3 VISHAY si7315dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3 VISHAY si7317dn.pdf SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-GE3 VISHAY si7322dn.pdf SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7326DN-T1-E3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7326DN-T1-GE3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-E3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-GE3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7336ADP-T1-E3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-GE3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7374DP-T1-E3 VISHAY 73560.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7390DP-T1-E3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7390DP-T1-GE3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-E3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7415DN-T1-E3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7415DN-T1-GE3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7421DN-T1-E3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7421DN-T1-GE3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7137DP-T1-GE3 si7137dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7139DP-T1-GE3 si7139dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7141DP-T1-GE3 si7141dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7141DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7143DP-T1-GE3 si7143dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7143DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7145DP-T1-GE3 si7145dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7145DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-E3 73314.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7148DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7148DP-T1-GE3 73314.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7148DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 44.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7155DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7172ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7172DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7174DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18.4A
On-state resistance: 124mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI7192DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7212DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7216DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7216DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7232DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7272DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3 si7315dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7317DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326DN-T1-E3 si7326dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-E3 si7328dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-GE3 si7370dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7374DP-T1-E3 73560.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 122nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3 si7386dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7390DP-T1-E3 si7390dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7390DP-T1-GE3 si7390dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7421DN-T1-GE3 72416.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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