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SI4090DY-T1-GE3 VISHAY si4090dy.pdf SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4100DY-T1-E3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4100DY-T1-GE3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4101DY-T1-GE3 VISHAY si4101dy.pdf SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4114DY-T1-E3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4114DY-T1-GE3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4116DY-T1-E3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4116DY-T1-GE3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4122DY-T1-GE3 VISHAY si4122dy.pdf SI4122DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4124DY-T1-E3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4124DY-T1-GE3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4126DY-T1-GE3 VISHAY si4126dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4128DY-T1-GE3 VISHAY si4128dy-old.pdf SI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.10 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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SI4136DY-T1-GE3 VISHAY si4136dy.pdf SI4136DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4143DY-T1-GE3 VISHAY si4143dy.pdf SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4151DY-T1-GE3 VISHAY si4151dy.pdf SI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4153DY-T1-GE3 VISHAY si4153dy.pdf SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4154DY-T1-GE3 VISHAY si4154dy.pdf SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4156DY-T1-GE3 VISHAY si4156dy.pdf SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4160DY-T1-GE3 VISHAY si4160dy.pdf SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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SI4164DY-T1-GE3 VISHAY si4164dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4166DY-T1-GE3 VISHAY si4166dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4168DY-T1-GE3 VISHAY si4168dy.pdf SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
139+0.51 EUR
220+0.33 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
2500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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SI4186DY-T1-GE3 VISHAY si4186dy.pdf SI4186DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4190ADY-T1-GE3 VISHAY si4190ady.pdf SI4190ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4202DY-T1-GE3 VISHAY si4202dy.pdf SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4204DY-T1-GE3 VISHAY si4204dy.pdf SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si4214DDY-T1-E3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf SI4214DDY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Si4214DDY-T1-GE3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf SI4214DDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si4228DY-T1-GE3 VISHAY si4228dy.pdf SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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SI4368DY-T1-E3 VISHAY si4368dy.pdf SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4386DY-T1-E3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4386DY-T1-GE3 VISHAY si4386dy.pdf SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4392ADY-T1-E3 VISHAY SI4392ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.20 EUR
35+2.04 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
108+0.66 EUR
113+0.64 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
124+0.58 EUR
140+0.51 EUR
161+0.44 EUR
171+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4408DY-T1-E3 VISHAY si4408dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4408DY-T1-GE3 VISHAY 70687.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3 VISHAY si4420bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-GE3 VISHAY 73067.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4421DY-T1-E3 VISHAY si4421dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4421DY-T1-GE3 VISHAY si4421dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4423DY-T1-E3 VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4423DY-T1-GE3 VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 VISHAY si4425bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425BDY-T1-GE3 VISHAY si4425bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
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Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
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SI4425FDY-T1-GE3 VISHAY si4425fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3 VISHAY si4426dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3 VISHAY si4427bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090DY-T1-GE3 si4090dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4101DY-T1-GE3 si4101dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4122DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4124DY-T1-E3 si4124dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI4124DY-T1-GE3 si4124dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4128DY-T1-GE3 si4128dy-old.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.10 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4136DY-T1-GE3 si4136dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4136DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4151DY-T1-GE3 si4151dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4153DY-T1-GE3 si4153dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4160DY-T1-GE3 si4160dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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63+1.14 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4164DY-T1-GE3 si4164dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
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143+0.50 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
139+0.51 EUR
220+0.33 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
2500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4186DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4190ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3 si4204dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4214DDY-T1-E3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4214DDY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4214DDY-T1-GE3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4214DDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3 si4228dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4228DY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4386DY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4386DY-T1-GE3 si4386dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4386DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4392ADY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
SI4392ADY-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.20 EUR
35+2.04 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
108+0.66 EUR
113+0.64 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
124+0.58 EUR
140+0.51 EUR
161+0.44 EUR
171+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4408DY-T1-E3 si4408dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4408DY-T1-GE3 70687.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-E3 si4420bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4420BDY-T1-GE3 73067.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4421DY-T1-E3 si4421dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4421DY-T1-GE3 si4421dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4423DY-T1-E3 si4423dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4423DY-T1-GE3 si4423dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425BDY-T1-GE3 si4425bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db
SI4425DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425FDY-T1-GE3 si4425fdy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4426DY-T1-E3 si4426dy.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4427BDY-T1-E3 si4427bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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