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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
98+0.74 EUR
108+0.66 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
94+0.77 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
135+0.53 EUR
217+0.33 EUR
229+0.31 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.50 EUR
167+0.43 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
89+0.81 EUR
152+0.47 EUR
161+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 11466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
223+0.32 EUR
235+0.30 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2325DS-T1-E3 VISHAY 73238.pdf SI2325DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2325DS-T1-GE3 VISHAY 73238.pdf SI2325DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-E3 VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
88+0.82 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1637 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
113+0.63 EUR
180+0.40 EUR
190+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
108+0.66 EUR
329+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
25+2.86 EUR
32+2.23 EUR
86+0.83 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DS-T1-GE3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 VISHAY si2337ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.51 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
3000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-BE3 VISHAY SI2338DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 28mΩ
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.92 EUR
130+0.55 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
151+0.47 EUR
183+0.39 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343DS-T1-E3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343DS-T1-GE3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-BE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.48 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-BE3 VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3 VISHAY si2367ds.pdf SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY si2369bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
168+0.43 EUR
209+0.34 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 VISHAY si2371eds.pdf SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI2392DS-T1-GE3 VISHAY Si2392DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
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SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY si3429edv.pdf SI3429EDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3433CDV-T1-E3 VISHAY si3433cdv.pdf SI3433CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3433CDV-T1-GE3 VISHAY si3433cdv.pdf SI3433CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI2319DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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141+0.51 EUR
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SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
81+0.89 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3 si2323cds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1691 Stücke:
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Anzahl Preis
62+1.16 EUR
94+0.77 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
135+0.53 EUR
217+0.33 EUR
229+0.31 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.50 EUR
167+0.43 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
89+0.81 EUR
152+0.47 EUR
161+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 11466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
223+0.32 EUR
235+0.30 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2325DS-T1-E3 73238.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2325DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2325DS-T1-GE3 73238.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2325DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-E3 si2328ds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035
SI2328DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
88+0.82 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1637 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
113+0.63 EUR
180+0.40 EUR
190+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
108+0.66 EUR
329+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 121
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SI2333DS-T1-E3 si2333ds.pdf
SI2333DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
25+2.86 EUR
32+2.23 EUR
86+0.83 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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SI2333DS-T1-GE3 si2333ds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI2337DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI2338DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 28mΩ
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
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SI2342DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
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SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2065 Stücke:
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107+0.67 EUR
168+0.43 EUR
209+0.34 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
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Hersteller: VISHAY
SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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131+0.55 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
1500+0.16 EUR
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Hersteller: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Anzahl Preis
191+0.38 EUR
292+0.25 EUR
309+0.23 EUR
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Hersteller: VISHAY
SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2392ADS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
172+0.42 EUR
230+0.31 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI2399DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3407DV-T1-BE3 si3407dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3407DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
168+0.43 EUR
185+0.39 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3410DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3417DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.99 EUR
157+0.46 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3424CDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3424CDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3429EDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-E3 si3430dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3430DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3430DV-T1-GE3 si3430dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3430DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3433CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3433CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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