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SUM50020EL-GE3 VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
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SUM55P06-19L-E3 VISHAY sum55p06.pdf SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
9600+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
34+2.16 EUR
44+1.63 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030E-GE3 VISHAY sum70030e.pdf SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70030M-GE3 VISHAY sum70030m.pdf SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
50+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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SUM70040M-GE3 VISHAY sum70040m.pdf SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70042E-GE3 VISHAY sum70042e.pdf SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70060E-GE3 VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70090E-GE3 VISHAY sum70090e.pdf SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
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SUM80090E-GE3 VISHAY sum80090e.pdf SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM85N15-19-E3 VISHAY 71703.pdf SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
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SUM90100E-GE3 VISHAY sum90100e.pdf SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM90140E-GE3 VISHAY sum90140e.pdf SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3 VISHAY sum90142e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3 VISHAY sum90220e.pdf SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM90330E-GE3 VISHAY sum90330e.pdf SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM90N03-2M2P-E3 VISHAY sum90n03.pdf SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY sum90n10-8m2p.pdf SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.15 EUR
33+2.17 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 VISHAY SUM90P10-19L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.03 EUR
19+3.96 EUR
20+3.75 EUR
50+3.73 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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SUP10250E-GE3 VISHAY sup10250e.pdf SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.20 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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SUP40010EL-GE3 VISHAY sup40010el.pdf SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
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SUP40012EL-GE3 VISHAY sup40012el.pdf SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50010E-GE3 VISHAY sup50010e.pdf SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50020E-GE3 VISHAY sup50020e.pdf SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50020EL-GE3 VISHAY sup50020el.pdf SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
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SUP53P06-20-E3 VISHAY sup53p06-20.pdf SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.10 EUR
35+2.04 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 VISHAY SUP57N20-33-E3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3 VISHAY sup60020e.pdf SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3 VISHAY sup60030e.pdf SUP60030E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3 VISHAY sup70030e.pdf SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
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SUP70040E-GE3 VISHAY sup70040e.pdf SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
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SUP70042E-GE3 VISHAY sup70042e.pdf SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
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SUP70060E-GE3 VISHAY sup70060e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70090E-GE3 VISHAY sup70090e.pdf SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 VISHAY sup70101el.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
25+2.92 EUR
27+2.75 EUR
1000+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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SUP80090E-GE3 VISHAY sup80090e.pdf SUP80090E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY SUP85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.08 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.35 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N15-21-E3 VISHAY sup85n15.pdf SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90100E-GE3 VISHAY sup90100e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90140E-GE3 VISHAY sup90140e.pdf SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
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SUP90142E-GE3 VISHAY sup90142e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90220E-GE3 VISHAY sup90220e.pdf SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90330E-GE3 VISHAY sup90330e.pdf SUP90330E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3 VISHAY sup90n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 272W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 VISHAY SUP90P06-09L-E3.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -67A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.18 EUR
12+6.32 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
50+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1110P6-SD-F VISHAY 562_635a8527eb4f0-t1110p6.pdf T1110P6-SD-F Photodiodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18104KT10 T18104KT10 VISHAY t18.pdf Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 100kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 100kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
33+2.20 EUR
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18101KT10 VISHAY t18.pdf T18100R 19mm multiturn THT trimmers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18103KT10 T18103KT10 VISHAY t18.pdf Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.20 EUR
30+2.39 EUR
34+2.13 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18100KT10 T18100KT10 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 10Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
32+2.26 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18102KT10 T18102KT10 VISHAY t18.pdf Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.63 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18105KT10 T18105KT10 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1MΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.05 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
25000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18201KT10 T18201KT10 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 200Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 200Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.19 EUR
34+2.16 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
2500+1.56 EUR
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18203KT10 T18203KT10 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 20kΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 20kΩ
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.10 EUR
28+2.62 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
25000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
9600+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
34+2.16 EUR
44+1.63 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM65N20-30-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992FAB4382820C7&compId=SUM65N20-30.pdf?ci_sign=9d2b2265817dc4d6f5f9a79e0b86a3972be746f7
SUM65N20-30-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295
SUM70040E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
50+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70101EL-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90100E-GE3 sum90100e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3 sum90140e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3 sum90142e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3 sum90220e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P-E3 sum90n03.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90N03-2M2P-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.15 EUR
33+2.17 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L.pdf
SUM90P10-19L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.03 EUR
19+3.96 EUR
20+3.75 EUR
50+3.73 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.20 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP40010EL-GE3 sup40010el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP40012EL-GE3 sup40012el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50010E-GE3 sup50010e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50020E-GE3 sup50020e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50020EL-GE3 sup50020el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP53P06-20-E3 sup53p06-20.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.10 EUR
35+2.04 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3.pdf
SUP57N20-33-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3 sup60020e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3 sup60030e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP60030E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3 sup70030e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP70030E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70040E-GE3 sup70040e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP70040E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70042E-GE3 sup70042e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP70042E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70060E-GE3 sup70060e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70090E-GE3 sup70090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP70090E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70101EL-GE3 sup70101el.pdf
SUP70101EL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
25+2.92 EUR
27+2.75 EUR
1000+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP80090E-GE3 sup80090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP80090E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10.pdf
SUP85N10-10-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.08 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP85N10-10-GE3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Hersteller: VISHAY
SUP85N15-21-E3 THT N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SUP90140E-GE3 THT N channel transistors
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SUP90142E-GE3 sup90142e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SUP90220E-GE3 THT N channel transistors
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SUP90330E-GE3 sup90330e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP90330E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90N06-6M0P-E3 sup90n06.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 272W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3.pdf
SUP90P06-09L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -67A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1110P6-SD-F 562_635a8527eb4f0-t1110p6.pdf
Hersteller: VISHAY
T1110P6-SD-F Photodiodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18104KT10 t18.pdf
T18104KT10
Hersteller: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 100kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 100kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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26+2.76 EUR
33+2.20 EUR
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18101KT10 t18.pdf
Hersteller: VISHAY
T18100R 19mm multiturn THT trimmers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18103KT10 t18.pdf
T18103KT10
Hersteller: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
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23+3.20 EUR
30+2.39 EUR
34+2.13 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18100KT10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b
T18100KT10
Hersteller: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 10Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
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Anzahl Preis
31+2.32 EUR
32+2.26 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18102KT10 t18.pdf
T18102KT10
Hersteller: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1kΩ; 750mW; ±10%; linear
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Resistance: 1kΩ
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Potentiometer standard: 19mm
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.63 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18105KT10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b
T18105KT10
Hersteller: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1MΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
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Anzahl Preis
18+4.05 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18201KT10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b
T18201KT10
Hersteller: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 200Ω; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 200Ω
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 288 Stücke:
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Anzahl Preis
23+3.19 EUR
34+2.16 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
2500+1.56 EUR
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T18203KT10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C059F4E78936F1A6F5005056AB5A8F&compId=t18.pdf?ci_sign=ee94b0a6b38f9c53d926cf8afc27010d3c0b8a2b
T18203KT10
Hersteller: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 20kΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 20kΩ
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
Characteristics: linear
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Potentiometer standard: 19mm
Mounting: THT
Min. insulation resistance: 1TΩ
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 507 Stücke:
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Anzahl Preis
18+4.10 EUR
28+2.62 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
25000+1.52 EUR
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