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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFU014PBF VISHAY sihfr014.pdf IRFU014PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBF VISHAY sihfr024.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBF VISHAY sihfu110.pdf IRFU110PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
166+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
104+0.69 EUR
118+0.61 EUR
119+0.6 EUR
125+0.58 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1N60APBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU210PBF VISHAY sihfr210.pdf IRFU210PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU214PBF VISHAY sihfr214.pdf IRFU214PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
83+0.86 EUR
97+0.74 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD489F261C469&compId=IRFU310PBF.pdf?ci_sign=e80d29aa39a75b8540be19136dfc02905795b30d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFU320PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.77 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBF IRFU420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBF IRFU420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BE79BD6FBA469&compId=IRFU420PBF.pdf?ci_sign=8972d772883a5389c3b0602466bd2d56d6297433 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
300+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBF VISHAY sihfr430.pdf description IRFU430APBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
164+0.44 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9020PBF VISHAY sihfr902.pdf IRFU9020PBF THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
191+0.37 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBF IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
157+0.46 EUR
167+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBF VISHAY sihfr921.pdf IRFU9210PBF THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214PBF VISHAY sihfr921.pdf IRFU9214PBF THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBF VISHAY sihfr922.pdf IRFU9220PBF THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9310PBF IRFU9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 13nC
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
52+1.39 EUR
69+1.05 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
110+0.65 EUR
117+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBF VISHAY irfz10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
155+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF VISHAY tf-irfz20pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
70+1.03 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34PBF VISHAY irl620.pdf IRFZ34PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBF VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E915DBE7A8143&compId=IRFZ44.pdf?ci_sign=458528282ba83399954c12bf5082fc3043138130 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
41+1.76 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44RPBF VISHAY irfz44r.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44SPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44STRLPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48PBF VISHAY irfz48.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSPBF VISHAY sihfz48rs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRL510PBF IRL510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRL510STRLPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL520PBF IRL520PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EC94D27502143&compId=IRL520.pdf?ci_sign=b3e1b2350ece4a68a038346150ff1b1ea734ec95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL530PBF VISHAY IRL530%2CSiHL530.pdf IRL530PBF THT N channel transistors
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IRL530STRRPBF VISHAY sihl530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRL540PBF VISHAY irl620.pdf IRL540PBF THT N channel transistors
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IRL540SPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL540STRLPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRL620PBF VISHAY irl620.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IRL620SPBF VISHAY sihl620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL620STRLPBF VISHAY sihl620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL630PBF VISHAY irf520.pdf IRL630PBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL630SPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630SPBF SMD N channel transistors
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IRL630STRLPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630STRLPBF SMD N channel transistors
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IRL630STRRPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630STRRPBF SMD N channel transistors
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IRL640PBF IRL640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEF796BA7E469&compId=IRL640PBF.pdf?ci_sign=90f0df144af63495d804a38e54556a72be3b1e49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
38+1.9 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640SPBF IRL640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8285A7FBD4E0C4&compId=sihl640s.pdf?ci_sign=92230260ba31063310f291fe51f09e2643daa4f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
43+1.69 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99295F7ABF340C7&compId=IRL640S.pdf?ci_sign=65c0d377bbe85ca5efc317bcbe04a2735b8d6c86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
35+2.04 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640STRRPBF VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBF VISHAY sihld014.pdf IRLD014PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
99+0.73 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBF IRLD024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBF VISHAY sihld110.pdf IRLD110PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBF sihfr014.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU014PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU024PBF sihfr024.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBF sihfu110.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU110PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
166+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFU120PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
104+0.69 EUR
118+0.61 EUR
119+0.6 EUR
125+0.58 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU210PBF sihfr210.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU210PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU214PBF sihfr214.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU214PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
83+0.86 EUR
97+0.74 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD489F261C469&compId=IRFU310PBF.pdf?ci_sign=e80d29aa39a75b8540be19136dfc02905795b30d
IRFU310PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
94+0.77 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFU420APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BE79BD6FBA469&compId=IRFU420PBF.pdf?ci_sign=8972d772883a5389c3b0602466bd2d56d6297433
IRFU420PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
300+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU430APBF description sihfr430.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU430APBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4
IRFU9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
164+0.44 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9020PBF sihfr902.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU9020PBF THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04
IRFU9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
191+0.37 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
IRFU9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b
IRFU9120PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
157+0.46 EUR
167+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBF sihfr921.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU9210PBF THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214PBF sihfr921.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU9214PBF THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9220PBF sihfr922.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU9220PBF THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFU9310PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 13nC
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
52+1.39 EUR
69+1.05 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFUC20PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12
IRFUC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
110+0.65 EUR
117+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBF irfz10.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
155+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF tf-irfz20pbf.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
70+1.03 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34PBF irl620.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFZ34PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ40PBF irfz40.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E915DBE7A8143&compId=IRFZ44.pdf?ci_sign=458528282ba83399954c12bf5082fc3043138130
IRFZ44PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
41+1.76 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44RPBF irfz44r.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44SPBF sihfz44s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44STRLPBF sihfz44s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48PBF irfz48.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f
IRFZ48RPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
2000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RSPBF sihfz48rs.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48STRLPBF sihfz48s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26
IRL510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
72+1 EUR
151+0.48 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL510STRLPBF sihf510s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL520PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EC94D27502143&compId=IRL520.pdf?ci_sign=b3e1b2350ece4a68a038346150ff1b1ea734ec95
IRL520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530PBF IRL530%2CSiHL530.pdf
Hersteller: VISHAY
IRL530PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL530STRRPBF sihl530s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540PBF irl620.pdf
Hersteller: VISHAY
IRL540PBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540SPBF sihl540s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540STRLPBF sihl540s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620PBF irl620.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620SPBF sihl620s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL620STRLPBF sihl620s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL630PBF irf520.pdf
Hersteller: VISHAY
IRL630PBF THT N channel transistors
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24+3.07 EUR
90+0.8 EUR
95+0.76 EUR
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Hersteller: VISHAY
IRL630SPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL630STRLPBF sihl630s.pdf
Hersteller: VISHAY
IRL630STRLPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL630STRRPBF sihl630s.pdf
Hersteller: VISHAY
IRL630STRRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEF796BA7E469&compId=IRL640PBF.pdf?ci_sign=90f0df144af63495d804a38e54556a72be3b1e49
IRL640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
38+1.9 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8285A7FBD4E0C4&compId=sihl640s.pdf?ci_sign=92230260ba31063310f291fe51f09e2643daa4f7
IRL640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
43+1.69 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99295F7ABF340C7&compId=IRL640S.pdf?ci_sign=65c0d377bbe85ca5efc317bcbe04a2735b8d6c86
IRL640STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
35+2.04 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640STRRPBF sihl640s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBF sihld014.pdf
Hersteller: VISHAY
IRLD014PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
99+0.73 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd
IRLD024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBF sihld110.pdf
Hersteller: VISHAY
IRLD110PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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