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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQ7414CENW-T1_GE3 VISHAY sq7414cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY sq9945bey.pdf SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.11 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA405CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa405cejw.pdf SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA411CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa411cejw.pdf SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa413cejw.pdf SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA470EEJ-T1_GE3 VISHAY sqa470eej.pdf SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD19P06-60L_GE3 VISHAY sqd19p06.pdf SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
82+0.87 EUR
87+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD25N15-52_GE3 VISHAY sqd25n15-52.pdf SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD30N05-20L_GE3 VISHAY sqd30n05-20l.pdf SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL_GE3 VISHAY SQD40031EL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.50 EUR
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
100+1.22 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40052EL_GE3 VISHAY sqd40052el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD45P03-12_GE3 VISHAY sqd45p03.pdf SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N05-11L-GE3 VISHAY SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 VISHAY sqd50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P08-28_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ126EP-T1_GE3 VISHAY sqj126ep.pdf SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ158EP-T1_GE3 VISHAY sqj158ep.pdf SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ164ELP-T1_GE3 VISHAY sqj164elp.pdf SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ170ELP-T1_GE3 VISHAY sqj170elp.pdf SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3 VISHAY sqj402ep.pdf SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ409EP-T1_BE3 VISHAY sqj409ep.pdf SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ422EP-T1_BE3 VISHAY sqj422ep.pdf SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ431AEP-T1_BE3 VISHAY sqj431aep.pdf SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY sqj431ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
37+1.94 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ443EP-T1_GE3 VISHAY sqj443ep.pdf SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T1_GE3 VISHAY sqj457ep.pdf SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_BE3 VISHAY sqj459ep.pdf SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY sqj459ep.pdf SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ461EP-T1_GE3 VISHAY sqj461ep.pdf SQJ461EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ463EP-T1_GE3 VISHAY sqj463ep.pdf SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY sqj465ep.pdf SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3 VISHAY sqj476ep.pdf SQJ476EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3 VISHAY sqj481ep.pdf SQJ481EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.20 EUR
101+0.71 EUR
106+0.67 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3 VISHAY sqj486ep.pdf SQJ486EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_GE3 VISHAY SQJ858AEP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY sqj868ep.pdf SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY SQJ974EP-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.40 EUR
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3 VISHAY sqja16ep.pdf SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_GE3 VISHAY SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ130EL-T1_GE3 VISHAY sqjq130el.pdf SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3 VISHAY sqjq184e.pdf SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ960EL-T1_GE3 VISHAY sqjq960el.pdf SQJQ960EL-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC9BF4EAA8FE143&compId=SQM100N04-2M7.pdf?ci_sign=cfc29ce0888076ceb63634f65cd6eda28c083797 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 98A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM100P10-19L_GE3 VISHAY sqm100p10-19l.pdf SQM100P10-19L-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3m5L_GE3 VISHAY SQM120N06-3M5L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC9D21C62DA0143&compId=SQM120N10-3M8.pdf?ci_sign=174970cd4e589908c75fe8c95bee5a7a170e6bbe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.52 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 VISHAY sqm120p06-07l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.50 EUR
800+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS141ELNW-T1_GE3 VISHAY sqs141elnw.pdf SQS141ELNW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS142ENW-T1_GE3 VISHAY sqs142enw.pdf SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3 VISHAY sqs401en.pdf SQS401EN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa82cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA84CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa84cenw.pdf SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS10P3CL-M3/86A VISHAY ss10p3cl.pdf SS10P3CL-M3/86A SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS10P6-M3/86A SS10P6-M3/86A VISHAY ss10p5.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 60V; 10A; 1500pcs.
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward voltage: 0.55V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 1500pcs.
Mounting: SMD
Case: SMPC; TO277A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1.00 EUR
103+0.70 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS10P6HM3-A/H VISHAY SS10P6HM3-A/H SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS10PH10HM3_A/H VISHAY ss10ph10.pdf SS10PH10HM3-A/H SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7414CENW-T1_GE3 sq7414cenw.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
Hersteller: VISHAY
SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.11 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA401EEJ-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA405CEJW-T1_GE3 sqa405cejw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA411CEJW-T1_GE3 sqa411cejw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA413CEJW-T1_GE3 sqa413cejw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA470EEJ-T1_GE3 sqa470eej.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD100N04-3M6L-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD19P06-60L_GE3 sqd19p06.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
82+0.87 EUR
87+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD25N15-52_GE3 sqd25n15-52.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
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SQD30N05-20L_GE3 sqd30n05-20l.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
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SQD40031EL_GE3 SQD40031EL.pdf
SQD40031EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.50 EUR
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
100+1.22 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40052EL_GE3 sqd40052el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD45P03-12_GE3 sqd45p03.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
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SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
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SQD50N05-11L-GE3
Hersteller: VISHAY
SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
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SQD50P06-15L_GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
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SQJ126EP-T1_GE3 sqj126ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ158EP-T1_GE3 sqj158ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ164ELP-T1_GE3 sqj164elp.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ170ELP-T1_GE3 sqj170elp.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ402EP-T1_GE3 sqj402ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ409EP-T1_BE3 sqj409ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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SQJ422EP-T1_BE3 sqj422ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
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SQJ431AEP-T1_BE3 sqj431aep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ431EP-T1_GE3 sqj431ep.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
37+1.94 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ443EP-T1_GE3 sqj443ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T1_GE3 sqj457ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQJ459EP-T1_BE3 sqj459ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_GE3 sqj459ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ461EP-T1_GE3 sqj461ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ461EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ463EP-T1_GE3 sqj463ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3 sqj476ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ476EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ481EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
101+0.71 EUR
106+0.67 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3 sqj486ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ486EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1-GE3.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.40 EUR
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3 sqja16ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ130EL-T1_GE3 sqjq130el.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3 sqjq184e.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ900E-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ960EL-T1_GE3 sqjq960el.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJQ960EL-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM100N04-2m7_GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC9BF4EAA8FE143&compId=SQM100N04-2M7.pdf?ci_sign=cfc29ce0888076ceb63634f65cd6eda28c083797
SQM100N04-2m7_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 98A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM100P10-19L_GE3 sqm100p10-19l.pdf
Hersteller: VISHAY
SQM100P10-19L-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120N06-3m5L_GE3 SQM120N06-3M5L.pdf
SQM120N06-3m5L_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120N10-3M8_GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC9D21C62DA0143&compId=SQM120N10-3M8.pdf?ci_sign=174970cd4e589908c75fe8c95bee5a7a170e6bbe
SQM120N10-3M8_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.52 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P06-07L_GE3 sqm120p06-07l.pdf
SQM120P06-07L_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -480A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.50 EUR
800+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS141ELNW-T1_GE3 sqs141elnw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQS141ELNW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS142ENW-T1_GE3 sqs142enw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS401EN-T1_GE3 sqs401en.pdf
Hersteller: VISHAY
SQS401EN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3 sqsa82cenw.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA84CENW-T1_GE3 sqsa84cenw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS10P3CL-M3/86A ss10p3cl.pdf
Hersteller: VISHAY
SS10P3CL-M3/86A SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS10P6-M3/86A ss10p5.pdf
SS10P6-M3/86A
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPC,TO277A; SMD; 60V; 10A; 1500pcs.
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward voltage: 0.55V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Quantity in set/package: 1500pcs.
Mounting: SMD
Case: SMPC; TO277A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
103+0.70 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS10P6HM3-A/H
Hersteller: VISHAY
SS10P6HM3-A/H SMD Schottky diodes
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SS10PH10HM3_A/H ss10ph10.pdf
Hersteller: VISHAY
SS10PH10HM3-A/H SMD Schottky diodes
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