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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA3FB750BF660D3&compId=sq3426ev.pdf?ci_sign=93272f06ab4634761b05a26fe02ba5c407fdef1f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
100+0.72 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3427AEEV-T1_GE3 SQ3427AEEV-T1_GE3 VISHAY sq3427aeev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3427EV-T1_GE3 SQ3427EV-T1_GE3 VISHAY sq3427ev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1.00 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
12000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3457EV-T1_BE3 VISHAY SQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3457EV-T1_GE3 VISHAY sq3457ev.pdf SQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3461EV-T1_GE3 VISHAY sq3461ev.pdf SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3481EV-T1_BE3 VISHAY SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3493EV-T1_GE3 VISHAY sq3493ev.pdf SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4050EY-T1_GE3 VISHAY SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4153EY-T1_GE3 VISHAY sq4153ey.pdf SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.45 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_BE3 VISHAY Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY-T1_GE3 VISHAY SQ4284EY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4850EY-T1_GE3 VISHAY sq4850ey.pdf SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8ACABB4120B6E0C8&compId=SQ4940AEY.pdf?ci_sign=86fe99915b455aff71f448ee6fe0b3de9ce8a27a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
82+0.88 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4961EY-T1-GE3 VISHAY SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7414CENW-T1_GE3 VISHAY sq7414cenw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ9945BEY-T1_GE3 VISHAY sq9945bey.pdf SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.11 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA405CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa405cejw.pdf SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA411CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa411cejw.pdf SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa413cejw.pdf SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA470EEJ-T1_GE3 VISHAY sqa470eej.pdf SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD19P06-60L_GE3 VISHAY sqd19p06.pdf SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
82+0.87 EUR
87+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD25N15-52_GE3 VISHAY sqd25n15-52.pdf SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD30N05-20L_GE3 VISHAY sqd30n05-20l.pdf SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL_GE3 VISHAY SQD40031EL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.50 EUR
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
100+1.22 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40052EL_GE3 VISHAY sqd40052el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD45P03-12_GE3 VISHAY sqd45p03.pdf SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N05-11L-GE3 VISHAY SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 VISHAY sqd50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P08-28_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ126EP-T1_GE3 VISHAY sqj126ep.pdf SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ158EP-T1_GE3 VISHAY sqj158ep.pdf SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ164ELP-T1_GE3 VISHAY sqj164elp.pdf SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ170ELP-T1_GE3 VISHAY sqj170elp.pdf SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3 VISHAY sqj402ep.pdf SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ409EP-T1_BE3 VISHAY sqj409ep.pdf SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ422EP-T1_BE3 VISHAY sqj422ep.pdf SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ431AEP-T1_BE3 VISHAY sqj431aep.pdf SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ431EP-T1_GE3 VISHAY sqj431ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
37+1.94 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ443EP-T1_GE3 VISHAY sqj443ep.pdf SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T1_GE3 VISHAY sqj457ep.pdf SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_BE3 VISHAY sqj459ep.pdf SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY sqj459ep.pdf SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ461EP-T1_GE3 VISHAY sqj461ep.pdf SQJ461EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ463EP-T1_GE3 VISHAY sqj463ep.pdf SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 VISHAY sqj465ep.pdf SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3 VISHAY sqj476ep.pdf SQJ476EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3 VISHAY sqj481ep.pdf SQJ481EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.20 EUR
101+0.71 EUR
106+0.67 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3 VISHAY sqj486ep.pdf SQJ486EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_GE3 VISHAY SQJ858AEP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY sqj868ep.pdf SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY SQJ974EP-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.40 EUR
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3 VISHAY sqja16ep.pdf SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_GE3 VISHAY SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ130EL-T1_GE3 VISHAY sqjq130el.pdf SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3 VISHAY sqjq184e.pdf SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3426EV-T1_GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA3FB750BF660D3&compId=sq3426ev.pdf?ci_sign=93272f06ab4634761b05a26fe02ba5c407fdef1f
SQ3426EV-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
100+0.72 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3427AEEV-T1_GE3 sq3427aeev.pdf
SQ3427AEEV-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3427EV-T1_GE3 sq3427ev.pdf
SQ3427EV-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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72+1.00 EUR
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121+0.59 EUR
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12000+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3457EV-T1_BE3
Hersteller: VISHAY
SQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQ3481EV-T1_BE3
Hersteller: VISHAY
SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4050EY-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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30+2.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_BE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY.pdf
SQ4284EY-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4850EY-T1_GE3 sq4850ey.pdf
Hersteller: VISHAY
SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8ACABB4120B6E0C8&compId=SQ4940AEY.pdf?ci_sign=86fe99915b455aff71f448ee6fe0b3de9ce8a27a
SQ4940AEY-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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73+0.99 EUR
82+0.88 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
100+0.77 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4961EY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7414CENW-T1_GE3 sq7414cenw.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
Hersteller: VISHAY
SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.11 EUR
99+0.73 EUR
105+0.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA401EEJ-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA405CEJW-T1_GE3 sqa405cejw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA411CEJW-T1_GE3 sqa411cejw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA413CEJW-T1_GE3 sqa413cejw.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA470EEJ-T1_GE3 sqa470eej.pdf
Hersteller: VISHAY
SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD100N04-3M6L-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD19P06-60L_GE3 sqd19p06.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
82+0.87 EUR
87+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD25N15-52_GE3 sqd25n15-52.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD30N05-20L_GE3 sqd30n05-20l.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL.pdf
SQD40031EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.50 EUR
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
100+1.22 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40052EL_GE3 sqd40052el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W
Case: TO252
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD45P03-12_GE3 sqd45p03.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N05-11L-GE3
Hersteller: VISHAY
SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P06-15L_GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
Hersteller: VISHAY
SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ126EP-T1_GE3 sqj126ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ158EP-T1_GE3 sqj158ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ164ELP-T1_GE3 sqj164elp.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ170ELP-T1_GE3 sqj170elp.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ402EP-T1_GE3 sqj402ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ409EP-T1_BE3 sqj409ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ422EP-T1_BE3 sqj422ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ431AEP-T1_BE3 sqj431aep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ431EP-T1_GE3 sqj431ep.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
37+1.94 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ443EP-T1_GE3 sqj443ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T1_GE3 sqj457ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_BE3 sqj459ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_GE3 sqj459ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ461EP-T1_GE3 sqj461ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ461EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ463EP-T1_GE3 sqj463ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ465EP-T1_GE3 sqj465ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ476EP-T1_GE3 sqj476ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ476EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ481EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
101+0.71 EUR
106+0.67 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ486EP-T1_GE3 sqj486ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ486EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ868EP-T1_GE3 sqj868ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1-GE3.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.40 EUR
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA16EP-T1_GE3 sqja16ep.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ130EL-T1_GE3 sqjq130el.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184E-T1_GE3 sqjq184e.pdf
Hersteller: VISHAY
SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ900E-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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