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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ILD620GB VISHAY ild620.pdf ILD620GB Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD620GB-X009T VISHAY ild620.pdf ILD620GB-X009T Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD621GB ILD621GB VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF29BF653A3DE27&compId=ILD621-DTE.pdf?ci_sign=ab9b5640553e80f08ae7d50b526adfcb38f2119d Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5.3kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
62+1.16 EUR
139+0.51 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD74 ILD74 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E0AB91E73F1A6F5005056AB5A8F&compId=il74.pdf?ci_sign=1711cfa6dc83e9cc11d3e1b51c2a75ce4303c5ff Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 20V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
CTR@If: 35%@16mA
Collector-emitter voltage: 20V
Case: DIP8
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
24+2.97 EUR
65+1.1 EUR
500+0.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ1 VISHAY IL1-IL74_ILD1-1LD74_ILQ1-ILQ74.pdf ILQ1 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ2-X009 ILQ2-X009 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88FDCDCF09E58B3D2&compId=ILD5.pdf?ci_sign=455c8f472bce65a74e5265fb7c440a35bdfcb54a Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Case: Gull wing 16
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 50-100%@10mA
Insulation voltage: 4.42kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ30 VISHAY ild55.pdf ILQ30 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-1 VISHAY ild615.pdf ILQ615-1 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-1X009 VISHAY ild615.pdf ILQ615-1X009 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-2 VISHAY ild615.pdf ILQ615-2 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-2X007 VISHAY ild615.pdf ILQ615-2X007 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-3 VISHAY ild615.pdf ILQ615-3 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-3X009 VISHAY ild615.pdf ILQ615-3X009 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4 VISHAY ild615.pdf ILQ615-4 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
64+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4X009 VISHAY ild615.pdf ILQ615-4X009 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4X009T VISHAY ild615.pdf ILQ615-4X009T Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ620-X009T VISHAY ild620.pdf ILQ620-X009T Optocouplers - analog output
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ILQ620GB-X009 VISHAY ild620.pdf ILQ620GB-X009 Optocouplers - analog output
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ILQ620GB-X009T VISHAY ild620.pdf ILQ620GB-X009T Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621 VISHAY ild621.pdf ILQ621 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621GB VISHAY ild621.pdf ILQ621GB Optocouplers - analog output
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621GB-X009 VISHAY ild621.pdf ILQ621GB-X009 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08 IMBD4148-E3-08 VISHAY imbd4148.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
538+0.13 EUR
802+0.089 EUR
1171+0.061 EUR
1498+0.048 EUR
1832+0.039 EUR
2591+0.028 EUR
2660+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 538
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08 IMBD4148-HE3-08 VISHAY Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1025+0.07 EUR
1140+0.063 EUR
1420+0.05 EUR
1505+0.048 EUR
12000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
108+0.67 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
79+0.91 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8954739EA76469&compId=IRF520PBF.pdf?ci_sign=f12d7b4b5200a9e5730e7a46af698c24938b8099 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
152+0.47 EUR
161+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
105+0.69 EUR
113+0.63 EUR
178+0.4 EUR
188+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Kind of package: tube
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBF VISHAY sihf530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B395A9E800C0C7&compId=irf540s.pdf?ci_sign=2c0680eff4bf7f2230fe88f9a5aa6385399f7831 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRRPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
212+0.34 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614PBF VISHAY irf614.pdf IRF614PBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614SPBF VISHAY sihf614s.pdf IRF614SPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620PBF IRF620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89789E01400469&compId=IRF620PBF.pdf?ci_sign=47d2679aaeefc0c234d0730496cc59f2026d13c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBF VISHAY sihf620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLPBF VISHAY sihf620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
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Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRPBF VISHAY sihf620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBF VISHAY irf624.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SPBF VISHAY sihf624s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
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Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
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67+1.07 EUR
143+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: D2PAK; TO263
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Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
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1000+0.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF VISHAY sih630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF VISHAY sih630s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C63B588CE469&compId=IRF634PBF.pdf?ci_sign=df4f8d9037bf7811b590ace21beece350011600e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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65+1.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRRPBF VISHAY sihf634s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
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On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
38+1.93 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
48+1.5 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640STRRPBF VISHAY sihf640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD620GB ild620.pdf
Hersteller: VISHAY
ILD620GB Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD620GB-X009T ild620.pdf
Hersteller: VISHAY
ILD620GB-X009T Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD621GB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF29BF653A3DE27&compId=ILD621-DTE.pdf?ci_sign=ab9b5640553e80f08ae7d50b526adfcb38f2119d
ILD621GB
Hersteller: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5.3kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
62+1.16 EUR
139+0.51 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD74 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E0AB91E73F1A6F5005056AB5A8F&compId=il74.pdf?ci_sign=1711cfa6dc83e9cc11d3e1b51c2a75ce4303c5ff
ILD74
Hersteller: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 20V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
CTR@If: 35%@16mA
Collector-emitter voltage: 20V
Case: DIP8
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
5+14.3 EUR
24+2.97 EUR
65+1.1 EUR
500+0.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ1 IL1-IL74_ILD1-1LD74_ILQ1-ILQ74.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ1 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ2-X009 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88FDCDCF09E58B3D2&compId=ILD5.pdf?ci_sign=455c8f472bce65a74e5265fb7c440a35bdfcb54a
ILQ2-X009
Hersteller: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Case: Gull wing 16
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 50-100%@10mA
Insulation voltage: 4.42kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ30 ild55.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ30 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
42+1.72 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-1 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-1 Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-1X009 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-1X009 Optocouplers - analog output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-2 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-2 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-2X007 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-2X007 Optocouplers - analog output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-3 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-3 Optocouplers - analog output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-3X009 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-3X009 Optocouplers - analog output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
64+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4X009 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-4X009 Optocouplers - analog output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4X009T ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-4X009T Optocouplers - analog output
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Hersteller: VISHAY
ILQ620-X009T Optocouplers - analog output
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ILQ620GB-X009 Optocouplers - analog output
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ILQ620GB-X009T Optocouplers - analog output
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ILQ621 Optocouplers - analog output
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Hersteller: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
ILQ621GB-X009 Optocouplers - analog output
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IMBD4148-E3-08 imbd4148.pdf
IMBD4148-E3-08
Hersteller: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08
IMBD4148-HE3-08
Hersteller: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 50µA
Load current: 0.15A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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1025+0.07 EUR
1140+0.063 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
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71+1.02 EUR
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135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 621 Stücke:
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60+1.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8954739EA76469&compId=IRF520PBF.pdf?ci_sign=f12d7b4b5200a9e5730e7a46af698c24938b8099
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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73+0.99 EUR
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161+0.44 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27
IRF530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
105+0.69 EUR
113+0.63 EUR
178+0.4 EUR
188+0.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be
IRF530SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Kind of package: tube
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBF sihf530s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895A5D7DFF2469&compId=IRF540PBF.pdf?ci_sign=ed54c1f6055e1f12b59701a185c58a7fc27d0ff8
IRF540PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B395A9E800C0C7&compId=irf540s.pdf?ci_sign=2c0680eff4bf7f2230fe88f9a5aa6385399f7831
IRF540SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3
IRF610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
212+0.34 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBF sih610s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614PBF irf614.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF614PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614SPBF sihf614s.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF614SPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89789E01400469&compId=IRF620PBF.pdf?ci_sign=47d2679aaeefc0c234d0730496cc59f2026d13c3
IRF620PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
74+0.97 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620SPBF sihf620s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRLPBF sihf620s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620STRRPBF sihf620s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBF description irf624.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SPBF sihf624s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
98+0.74 EUR
103+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C63B588CE469&compId=IRF634PBF.pdf?ci_sign=df4f8d9037bf7811b590ace21beece350011600e
IRF634PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
81+0.88 EUR
101+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634STRRPBF sihf634s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
38+1.93 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
48+1.5 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
51+1.42 EUR
100+0.72 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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