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SI3437DV-T1-E3 VISHAY si3437dv.pdf SI3437DV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3437DV-T1-GE3 VISHAY si3437dv.pdf SI3437DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3438DV-T1-E3 VISHAY si3438dv.pdf SI3438DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3438DV-T1-GE3 VISHAY si3438dv.pdf SI3438DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3440ADV-T1-GE3 VISHAY si3440adv.pdf SI3440ADV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3440DV-T1-E3 VISHAY si3440dv.pdf SI3440DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3442BDV-T1-E3 VISHAY si3442bd.pdf SI3442BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3442BDV-T1-GE3 VISHAY si3442bd.pdf SI3442BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
214+0.33 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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SI3443BDV-T1-GE3 VISHAY 72749.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3 VISHAY si3443cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91176921790143&compId=SI3443CDV.pdf?ci_sign=e093c65eaa61745bd0673150c61693376343b424 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-BE3 VISHAY si3443ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF911CA5CB788143&compId=SI3443DDV.pdf?ci_sign=a61b6a8c7c4ab1934f3a31d9b5964a4555ab543d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3453DV-T1-GE3 VISHAY si3453dv.pdf SI3453DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3456DDV-T1-E3 VISHAY si3456ddv.pdf SI3456DDV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY si3456ddv.pdf SI3456DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3457CDV-T1-E3 VISHAY si3457cdv.pdf SI3457CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 113mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
125+0.57 EUR
159+0.45 EUR
317+0.23 EUR
336+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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SI3458BDV-T1-BE3 VISHAY si3458bdv.pdf SI3458BDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
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SI3458BDV-T1-E3 VISHAY si3458bdv.pdf SI3458BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
168+0.43 EUR
178+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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SI3459BDV-T1-E3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.18 EUR
228+0.31 EUR
241+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
200+0.36 EUR
256+0.28 EUR
285+0.25 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3464DV-T1-GE3 VISHAY si3464dv.pdf SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3469DV-T1-E3 VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3469DV-T1-GE3 VISHAY si3469dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI3473CDV-T1-E3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473DDV-T1-GE3 VISHAY si3473ddv.pdf SI3473DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3474DV-T1-GE3 VISHAY si3474dv.pdf SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3476DV-T1-GE3 VISHAY si3476dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Pulsed drain current: 18A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3477DV-T1-GE3 VISHAY si3477dv.pdf SI3477DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-E3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY SI3483CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
141+0.51 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483DDV-T1-BE3 VISHAY si3483ddv.pdf SI3483DDV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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SI3483DDV-T1-GE3 VISHAY si3483ddv.pdf SI3483DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3493BDV-T1-E3 VISHAY si3493bdv.pdf SI3493BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3493BDV-T1-GE3 VISHAY si3493bdv.pdf SI3493BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Si3493DDV-T1-GE3 VISHAY si3493ddv.pdf SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3499DV-T1-BE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3 VISHAY si3499dv.pdf SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
151+0.48 EUR
159+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3552DV-T1-GE3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A494CC0621E2E143&compId=si3585cd.pdf?ci_sign=fd1ba4d1f70583e057233df9309c2b07d3a62f13 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
148+0.48 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 96
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SI3590DV-T1-E3 VISHAY si3590dv.pdf SI3590DV-T1-E3 Multi channel transistors
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Si3590DV-T1-GE3 VISHAY si3590dv.pdf SI3590DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 45mΩ
Supply voltage: 1.5...12V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
127+0.56 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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SI3900DV-T1-E3 VISHAY si3900dv.pdf SI3900DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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Si3900DV-T1-GE3 VISHAY si3900dv.pdf SI3900DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si3932DV-T1-GE3 VISHAY si3932dv.pdf SI3932DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY Si3993CDV.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 111mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4038DY-T1-GE3 VISHAY SI4038DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4056DY-T1-GE3 VISHAY si4056dy.pdf SI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si4058DY-T1-GE3 VISHAY si4058dy.pdf SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 VISHAY si4062dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4090BDY-T1-GE3 VISHAY si4090bdy.pdf SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3437DV-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3437DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3438DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3438DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3440ADV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3440DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3440DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3443BDV-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9110E993790143&compId=SI3443BDV.pdf?ci_sign=059f171c3bc7d8454f6eedc30333e8c09a498806
SI3443BDV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
214+0.33 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3 si3443cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91176921790143&compId=SI3443CDV.pdf?ci_sign=e093c65eaa61745bd0673150c61693376343b424
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI3443DDV-T1-BE3 si3443ddv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI3443DDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF911CA5CB788143&compId=SI3443DDV.pdf?ci_sign=a61b6a8c7c4ab1934f3a31d9b5964a4555ab543d
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI3453DV-T1-GE3 si3453dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3453DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3456DDV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3456DDV-T1-GE3 si3456ddv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3456DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3457CDV-T1-E3 si3457cdv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3457CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI3457CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b
SI3457CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 113mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
125+0.57 EUR
159+0.45 EUR
317+0.23 EUR
336+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3458BDV-T1-BE3 si3458bdv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3458BDV-T1-BE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3458BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Hersteller: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
168+0.43 EUR
178+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3459BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.18 EUR
228+0.31 EUR
241+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
200+0.36 EUR
256+0.28 EUR
285+0.25 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3464DV-T1-GE3 si3464dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3469DV-T1-E3 si3469dv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3469DV-T1-GE3 si3469dv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-E3 si3473cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3473CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3473DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3474DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3476DV-T1-GE3 si3476dv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Pulsed drain current: 18A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3477DV-T1-GE3 si3477dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3477DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3483CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV.pdf
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
141+0.51 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3483DDV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3483DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3493BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3493BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3499DV-T1-BE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3499DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
151+0.48 EUR
159+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI3585CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A494CC0621E2E143&compId=si3585cd.pdf?ci_sign=fd1ba4d1f70583e057233df9309c2b07d3a62f13
SI3585CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
148+0.48 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3590DV-T1-E3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI3590DV-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 45mΩ
Supply voltage: 1.5...12V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
127+0.56 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI3900DV-T1-E3 SMD N channel transistors
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Si3900DV-T1-GE3 si3900dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3900DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si3932DV-T1-GE3 si3932dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3932DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI3993CDV-T1-GE3 Si3993CDV.PDF
SI3993CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 111mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4056DY-T1-GE3 si4056dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4062DY-T1-GE3 si4062dy.pdf
SI4062DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4090BDY-T1-GE3 si4090bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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