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SI5504BDC-T1-GE3 VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI5513CDC-T1-E3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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SI5513CDC-T1-GE3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI5515CDC-T1-E3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI5517DU-T1-GE3 VISHAY si5517du.pdf SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI5902BDC-T1-E3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI5902BDC-T1-GE3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI5908DC-T1-E3 VISHAY si5908dc.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI5908DC-T1-GE3 VISHAY si5908dc.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Si5922DU-T1-GE3 VISHAY SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI5935CDC-T1-E3 VISHAY si5935cdc.pdf SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY Si5935CDC.PDF SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI5936DU-T1-GE3 VISHAY si5936du.pdf SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si5948DU-T1-GE3 VISHAY si5948du.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI6415DQ-T1-E3 VISHAY 70639.pdf SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI6415DQ-T1-GE3 VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI6423DQ-T1-E3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY si6562cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
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SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY SI6926ADQ-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY 72754.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Si6954ADQ-T1-E3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7101DN-T1-GE3 VISHAY si7101dn.pdf SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7104DN-T1-E3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7106DN-T1-E3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7108DN-T1-E3 VISHAY si7108dn.pdf description SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7108DN-T1-GE3 VISHAY si7108dn.pdf SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7110DN-T1-E3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-GE3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si7111EDN-T1-GE3 VISHAY si7111edn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY si7113adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.134Ω
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.90 EUR
46+1.57 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3 VISHAY si7114ad.pdf SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7114DN-T1-E3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114DN-T1-GE3 VISHAY si7114dn.pdf SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3 VISHAY si7115dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3 VISHAY SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3 VISHAY si7116dn.pdf SI7116DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-GE3 VISHAY si7116dn.pdf SI7116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-E3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-GE3 VISHAY si7117dn.pdf SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-E3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3 VISHAY si7119dn.pdf SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7120ADN-T1-GE3 VISHAY Si7120ADN.PDF SI7120ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121DN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf SI7121DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7129DN-T1-GE3 VISHAY si7129dn.pdf SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7135DP-T1-GE3 VISHAY si7135dp.pdf SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-GE3 si5504bdc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-E3 si5513cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-GE3 si5513cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-E3 si5515cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3 si5902bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 si5902bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3 si5908dc.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.1W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5922DU-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-E3 si5935cdc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3 Si5935CDC.PDF
Hersteller: VISHAY
SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: 1206-8 ChipFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI6926ADQ-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7108DN-T1-GE3 si7108dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7110DN-T1-E3 si7110dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3 si7111edn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3 si7112dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3 si7112dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -10.8A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.134Ω
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.90 EUR
46+1.57 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7114DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7114DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -15A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -8.9A
On-state resistance: 315mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116BDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI7116BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7116DN-T1-E3 si7116dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7116DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7117DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7117DN-T1-GE3 si7117dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7117DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-E3 si7119dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7119DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7119DN-T1-GE3 si7119dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7119DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN.PDF
Hersteller: VISHAY
SI7120ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 17.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2746 Stücke:
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Anzahl Preis
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7121DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7135DP-T1-GE3 si7135dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7135DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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