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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7423DN-T1-E3 VISHAY Si7423DN.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-GE3 VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY si7434adp.pdf SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-RE3 VISHAY SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-E3 VISHAY 71618.pdf SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-GE3 VISHAY si7454dp.pdf SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY si7454fdp.pdf SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456CDP-T1-GE3 VISHAY si7456cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY si7456ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3 VISHAY si7456dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3 VISHAY 71603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB864CDC929B20C7&compId=si7461dp.pdf?ci_sign=89e116b3cb357b822b076c12ef43a090d0be44d0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; -11.5A; Idm: -60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: -11.5A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
44+1.64 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3 VISHAY si7463adp.pdf SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3 VISHAY si7463dp.pdf SI7463DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3 VISHAY si7463dp.pdf SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.60 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3 VISHAY si7469adp.pdf SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3 VISHAY si7469dp.pdf SI7469DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3 VISHAY si7469dp.pdf SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY si7540adp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3 VISHAY si7611dn.pdf SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3 VISHAY si7613dn.pdf SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615CDN-T1-GE3 VISHAY si7615cdn.pdf SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
103+0.70 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3 VISHAY si7619dn.pdf SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3 VISHAY si7623dn.pdf SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3 VISHAY si7625dn.pdf SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7629DN-T1-GE3 VISHAY si7629dn.pdf SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3 VISHAY si7633dp.pdf SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-E3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3 VISHAY si7634bd.pdf SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-E3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-GE3 VISHAY si7636dp.pdf SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
95+0.75 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3 VISHAY si7655dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3 VISHAY si7658adp.pdf SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7686DP-T1-E3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7686DP-T1-GE3 VISHAY si7686dp.pdf SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-GE3 72582.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3 si7431dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3 si7434dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7450DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456CDP-T1-GE3 si7456cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3 71603.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3 si7460dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB864CDC929B20C7&compId=si7461dp.pdf?ci_sign=89e116b3cb357b822b076c12ef43a090d0be44d0
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; -11.5A; Idm: -60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: -11.5A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
44+1.64 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7463DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7464DP-T1-GE3 si7464dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.60 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7469DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3 si7478dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3 si7489dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3 si7611dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3 si7613dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7613DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615CDN-T1-GE3 si7615cdn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7615CDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
103+0.70 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3 si7619dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7619DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3 si7623dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7623DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3 si7625dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7629DN-T1-GE3 si7629dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7629DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7633DP-T1-GE3 si7633dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7633DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-E3 si7634bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7634BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7634BDP-T1-GE3 si7634bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7634BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-E3 si7636dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7636DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7636DP-T1-GE3 si7636dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7636DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
95+0.75 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655DN-T1-GE3 si7655dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7658ADP-T1-GE3 si7658adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7658ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7686DP-T1-E3 si7686dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7686DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7686DP-T1-GE3 si7686dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7686DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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