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SI7716ADN-T1-GE3 VISHAY SI7716ADN.pdf SI7716ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si7726DN-T1-GE3 VISHAY si7726dn.pdf SI7726DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7738DP-T1-E3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7738DP-T1-GE3 VISHAY si7738dp.pdf SI7738DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7742DP-T1-GE3 VISHAY si7742dp.pdf SI7742DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7772DP-T1-GE3 VISHAY si7772dp.pdf SI7772DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7804DN-T1-E3 VISHAY 72317.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7806ADN-T1-E3 VISHAY 72995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7806ADN-T1-GE3 VISHAY 72995.pdf SI7806ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7810DN-T1-E3 VISHAY 70689.pdf SI7810DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7810DN-T1-GE3 VISHAY 70689.pdf SI7810DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7812DN-T1-E3 VISHAY si7812dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 16A; Idm: 25A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3 VISHAY si7812dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 7.2A; Idm: 25A; 33W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3 VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3 VISHAY si7818dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3 VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3 VISHAY si7820dn.pdf SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3 VISHAY Si7846DP.PDF SI7846DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3 VISHAY 71442.pdf SI7846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7848BDP-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA347CE5B66A469&compId=SI7848BDP-T1-E3.pdf?ci_sign=e4c19ce2fb6610499a543c4b5ccefdf3ab1807c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; 36W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-GE3 VISHAY si7848bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 50A; 23W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850ADP-T1-GE3 VISHAY si7850adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 35.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 10.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.63 EUR
37+1.96 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3 VISHAY si7852ad.pdf SI7852ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 VISHAY si7852ad.pdf description SI7852ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3 VISHAY si7858ad.pdf SI7858ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-GE3 VISHAY 73164.pdf SI7858ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY si7858bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-E3 VISHAY 73165.pdf SI7862ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-GE3 VISHAY 73165.pdf SI7862ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7868ADP-T1-E3 VISHAY 73384.pdf SI7868ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-E3 VISHAY si7880adp.pdf SI7880ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-GE3 VISHAY 73414.pdf SI7880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 VISHAY si7884bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3 VISHAY si7892bd.pdf SI7892BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3 VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-GE3 VISHAY si7898dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7900AEDN-T1-E3 VISHAY si7900aedn.pdf SI7900AEDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7900AEDN-T1-GE3 VISHAY si7900aedn.pdf SI7900AEDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3 VISHAY si7904bdn.pdf SI7904BDN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-GE3 VISHAY si7904bdn.pdf SI7904BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-E3 VISHAY 72615.pdf SI7913DN-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-GE3 VISHAY 72615.pdf SI7913DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-E3 VISHAY 72031.pdf SI7922DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-GE3 VISHAY 72031.pdf SI7922DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3 VISHAY 72622.pdf SI7923DN-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3 VISHAY 72622.pdf SI7923DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
48+1.50 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7942DP-T1-E3 VISHAY 72118.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7942DP-T1-GE3 VISHAY 72118.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7946ADP-T1-GE3 VISHAY si7946adp.pdf SI7946ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3 VISHAY 73130.pdf SI7949DP-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3 VISHAY 73130.pdf SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7956DP-T1-E3 VISHAY 72960.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7956DP-T1-GE3 VISHAY 72960.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7972DP-T1-GE3 VISHAY si7972dp.pdf SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7806ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7810DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7810DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7812DN-T1-E3 si7812dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 16A; Idm: 25A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3 si7812dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 7.2A; Idm: 25A; 33W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 7.2A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3 si7818dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3 si7818dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 10A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7820DN-T1-E3 si7820dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7820DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7820DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7846DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; 36W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7848BDP-T1-GE3 si7848bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 50A; 23W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 35.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3 71625.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 10.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.63 EUR
37+1.96 EUR
72+1.00 EUR
76+0.94 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3 si7852ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7852ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7852ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-GE3 si7852dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3 si7858ad.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7858ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-GE3 73164.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7858ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3 si7858bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-E3 73165.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7862ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7862ADP-T1-GE3 73165.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7862ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7868ADP-T1-E3 73384.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7868ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-E3 si7880adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7880ADP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7880ADP-T1-GE3 73414.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 si7884bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3 si7892bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7892BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3 si7898dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-GE3 si7898dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7900AEDN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7900AEDN-T1-GE3 si7900aedn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7900AEDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3 si7904bdn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7904BDN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7904BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-E3 72615.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7913DN-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-GE3 72615.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7913DN-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-E3 72031.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7922DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-GE3 72031.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7922DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3 72622.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7923DN-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3 72622.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7923DN-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
48+1.50 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7942DP-T1-E3 72118.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7942DP-T1-GE3 72118.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7946ADP-T1-GE3 si7946adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7946ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7949DP-T1-E3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7949DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7956DP-T1-E3 72960.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7956DP-T1-GE3 72960.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7972DP-T1-GE3 si7972dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7972DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7994DP-T1-GE3 si7994dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7994DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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