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SIHFR9220TRL-GE3 | VISHAY | SIHFR9220TRL-GE3 SMD P channel transistors |
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SIHFR9220TRR-GE3 | VISHAY | SIHFR9220TRR-GE3 SMD P channel transistors |
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SIHFR9310-GE3 | VISHAY |
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SIHFR9310TR-GE3 | VISHAY |
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SIHFR9310TRL-GE3 | VISHAY |
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SIHFRC20-GE3 | VISHAY | SIHFRC20-GE3 SMD N channel transistors |
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SIHFRC20TR-GE3 | VISHAY |
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SIHFS9N60A-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHFU020-GE3 | VISHAY | SIHFU020-GE3 THT N channel transistors |
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SIHFU024-GE3 | VISHAY |
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SIHFU310-GE3 | VISHAY |
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SIHFU9020-GE3 | VISHAY | SIHFU9020-GE3 THT P channel transistors |
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SIHFU9310-GE3 | VISHAY | SIHFU9310-GE3 THT P channel transistors |
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SIHFUC20-GE3 | VISHAY | SIHFUC20-GE3 THT N channel transistors |
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SIHFZ34S-GE3 | VISHAY | SIHFZ34S-GE3 SMD N channel transistors |
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SIHFZ48RS-GE3 | VISHAY | SIHFZ48RS-GE3 SMD N channel transistors |
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SIHFZ48S-GE3 | VISHAY |
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SIHG018N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 63A Pulsed drain current: 325A Power dissipation: 524W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG039N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG050N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Pulsed drain current: 155A Power dissipation: 278W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG052N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 148A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 278W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 101nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG065N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG068N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG080N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG100N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 73A Power dissipation: 208W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG11N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 78W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG11N80E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG120N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG125N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG14N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 208W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG15N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG15N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG15N80AEF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG16N50C-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG17N60D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 277.8W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG17N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG17N80AEF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 305mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG17N80E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 208W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG180N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG20N50C-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG21N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG21N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG21N80AEF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.3A; Idm: 37A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.3A Pulsed drain current: 37A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG22N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 67A Power dissipation: 315W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG22N60AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 49A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG22N60E-GE3 | VISHAY |
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SIHG22N60EF-GE3 | VISHAY |
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SIHG22N65E-GE3 | VISHAY |
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SIHG24N65E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG25N40D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; Idm: 78A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 16A Pulsed drain current: 78A Power dissipation: 278W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG25N50E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG25N60EFL-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 61A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 61A Mounting: THT Case: TO247AC Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 146mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG28N60EF-GE3 | VISHAY |
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SIHG30N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 130nC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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SIHG32N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; Idm: 89A; 390W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 19A Pulsed drain current: 89A Power dissipation: 390W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG33N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 278W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHG33N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 98mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SiHG33N65E-GE3 | VISHAY |
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SIHG35N60EF-GE3 | VISHAY |
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SIHFR9220TRL-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SIHFR9220TRL-GE3 SMD P channel transistors
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SIHFR9220TRR-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SIHFR9220TRR-GE3 SMD P channel transistors
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SIHFR9310-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHFR9310-GE3 SMD P channel transistors
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SIHFR9310TR-GE3 |
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SIHFR9310TR-GE3 SMD P channel transistors
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SIHFR9310TRL-GE3 |
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SIHFR9310TRL-GE3 SMD P channel transistors
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SIHFRC20-GE3 |
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SIHFRC20-GE3 SMD N channel transistors
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SIHFRC20TR-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHFRC20TR-GE3 SMD N channel transistors
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SIHFS9N60A-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHFU020-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SIHFU020-GE3 THT N channel transistors
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SIHFU024-GE3 |
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SIHFU024-GE3 THT N channel transistors
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SIHFU310-GE3 |
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SIHFU310-GE3 THT N channel transistors
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SIHFU9020-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SIHFU9020-GE3 THT P channel transistors
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SIHFU9310-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SIHFU9310-GE3 THT P channel transistors
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SIHFUC20-GE3 |
Hersteller: VISHAY
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SIHFZ34S-GE3 |
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SIHFZ34S-GE3 SMD N channel transistors
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SIHFZ48RS-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SIHFZ48RS-GE3 SMD N channel transistors
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SIHFZ48S-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHFZ48S-GE3 SMD N channel transistors
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SIHG018N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 325A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 325A
Power dissipation: 524W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHG039N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 199A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 199A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHG050N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG052N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 148A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 148A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG065N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
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Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
SIHG068N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG080N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHG100N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG11N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG11N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG120N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG125N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG14N50D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG15N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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SIHG15N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG15N80AEF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
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Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG16N50C-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG17N60D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
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Power dissipation: 277.8W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Power dissipation: 277.8W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG17N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
SIHG17N80AEF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG17N80E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG180N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG20N50C-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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19+ | 3.76 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
SIHG20N50E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG21N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG21N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG21N80AEF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.3A; Idm: 37A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.3A; Idm: 37A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHG22N50D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 315W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 315W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIHG22N60AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG22N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHG22N60E-GE3 THT N channel transistors
SIHG22N60E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG22N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIHG22N60EF-GE3 THT N channel transistors
SIHG22N60EF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG22N65E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHG22N65E-GE3 THT N channel transistors
SIHG22N65E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG24N65E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG25N40D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; Idm: 78A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; Idm: 78A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG25N50E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG25N60EFL-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 61A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 61A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 146mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 61A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 61A
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 146mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG28N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIHG28N60EF-GE3 THT N channel transistors
SIHG28N60EF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHG30N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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SIHG32N50D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; Idm: 89A; 390W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 390W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; Idm: 89A; 390W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 390W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHG33N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHG33N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
SIHG33N65E-GE3 THT N channel transistors
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SIHG35N60EF-GE3 THT N channel transistors
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