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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHB28N60EF-GE3 VISHAY sihb28n60ef.pdf SIHB28N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60E-GE3 VISHAY sihb30n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 76A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60E-GE3 VISHAY sihb33n60e.pdf SIHB33N60E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60EF-GE3 VISHAY sihb33n60ef.pdf SIHB33N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB35N60E-GE3 VISHAY sihb35n60e.pdf SIHB35N60E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB35N60EF-GE3 VISHAY sihb35n60ef.pdf SIHB35N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB4N80E-GE3 VISHAY sihb4n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB6N65E-GE3 VISHAY sihb6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB6N80E-GE3 VISHAY sihb6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB8N50D-GE3 VISHAY sihb8n50d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD12N50E-GE3 VISHAY sihd12n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf SIHD14N60E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD180N60E-GE3 VISHAY sihd180n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD186N60EF-GE3 VISHAY sihd186n60ef.pdf SIHD186N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD1K4N60E-GE3 VISHAY sihd1k4n60e.pdf SIHD1K4N60E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD240N60E-GE3 VISHAY sihd240n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
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SIHD2N80E-GE3 VISHAY sihd2n80e.pdf SIHD2N80E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD3N50D-GE3 VISHAY sihd3n50d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 69W
Gate charge: 12nC
Pulsed drain current: 5.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD4N80E-GE3 VISHAY sihd4n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD5N50D-GE3 VISHAY sihd5n50d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD690N60E-GE3 VISHAY sihd690n60e.pdf SIHD690N60E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N62E-GE3 VISHAY sihd6n62e.pdf SIHD6N62E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N65E-GE3 VISHAY sihd6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N80AE-GE3 VISHAY sihd6n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N80E-GE3 VISHAY sihd6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3 VISHAY sihd7n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 VISHAY sihd9n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3 VISHAY sihf065n60e.pdf SIHF065N60E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3 VISHAY sihf068n60ef.pdf SIHF068N60EF-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF10N40D-E3 VISHAY sihf10n40d.pdf SIHF10N40D-E3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3 VISHAY sihf12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3 VISHAY sihf12n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3 VISHAY sihf15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N65E-GE3 VISHAY sihf15n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3 VISHAY sihf18n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf SIHF22N60E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N65E-GE3 VISHAY sihf22n65e.pdf SIHF22N65E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF23N60E-GE3 VISHAY sihf23n60e.pdf SIHF23N60E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF28N60EF-GE3 VISHAY sihf28n60ef.pdf SIHF28N60EF-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB86728A696400C7&compId=sihf30n60e.pdf?ci_sign=4a9924eb6fdb64e3b4680c36de75d0b142a6d09f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 676A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60EF-GE3 VISHAY sihf35n60ef.pdf SIHF35N60EF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF530S-GE3 VISHAY SIHF530S-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF530STRL-GE3 VISHAY sihf530s.pdf SIHF530STRL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF530STRR-GE3 VISHAY SIHF530STRR-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF540S-GE3 VISHAY sihf540s.pdf SIHF540S-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF5N50D-E3 VISHAY sihf5n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 28.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF610S-GE3 VISHAY SIHF610S-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF620S-GE3 VISHAY SIHF620S-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF620STRL-GE3 VISHAY SIHF620STRL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF634STRR-GE3 VISHAY SIHF634STRR-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF640L-GE3 VISHAY SIHF640L-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF640S-GE3 VISHAY sihf640s.pdf SIHF640S-GE3 SMD N channel transistors
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SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 994 Stücke:
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SIHF644STRL-GE3 VISHAY SIHF644STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHF6N40D-E3 VISHAY sihf6n40d.pdf SIHF6N40D-E3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N65E-GE3 VISHAY sihf6n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730STRL-GE3 VISHAY SIHF730STRL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF740AL-GE3 VISHAY SIHF740AL-GE3 THT N channel transistors
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SIHF740STRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHB28N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 76A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SIHB33N60E-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIHB33N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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SIHB35N60E-GE3 SMD N channel transistors
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SIHB35N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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SIHB4N80E-GE3 sihb4n80e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHB8N50D-GE3 sihb8n50d.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHD12N50E-GE3 sihd12n50e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHD14N60E-GE3 SMD N channel transistors
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SIHD180N60E-GE3 sihd180n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHD186N60EF-GE3 sihd186n60ef.pdf
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SIHD186N60EF-GE3 SMD N channel transistors
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SIHD1K4N60E-GE3 sihd1k4n60e.pdf
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SIHD1K4N60E-GE3 SMD N channel transistors
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SIHD240N60E-GE3 sihd240n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHD3N50D-GE3 sihd3n50d.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 69W
Gate charge: 12nC
Pulsed drain current: 5.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHD4N80E-GE3 sihd4n80e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
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SIHD5N50D-GE3 sihd5n50d.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHD690N60E-GE3 sihd690n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHD690N60E-GE3 SMD N channel transistors
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SIHD6N62E-GE3 sihd6n62e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHD6N62E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3 sihd7n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHF065N60E-GE3 sihf065n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF065N60E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF068N60EF-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF10N40D-E3 sihf10n40d.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF10N40D-E3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3 sihf12n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N65E-GE3 sihf15n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3 sihf18n50d.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF22N60E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N65E-GE3 sihf22n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF22N65E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF23N60E-GE3 sihf23n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF23N60E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF28N60EF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB86728A696400C7&compId=sihf30n60e.pdf?ci_sign=4a9924eb6fdb64e3b4680c36de75d0b142a6d09f
SIHF30N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 676A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF35N60EF-GE3 sihf35n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF35N60EF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF530S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF530S-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF530STRL-GE3 sihf530s.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF530STRL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF530STRR-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF530STRR-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF540S-GE3 sihf540s.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF540S-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF5N50D-E3 sihf5n50d.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 28.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF610S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF610S-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF620S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF620S-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF620STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF620STRL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF634STRR-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF634STRR-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF640L-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF640L-GE3 THT N channel transistors
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SIHF640S-GE3 sihf640s.pdf
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SIHF640S-GE3 SMD N channel transistors
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SIHF644S-GE3
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SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
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SIHF644STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF644STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHF6N40D-E3 sihf6n40d.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHF6N40D-E3 THT N channel transistors
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SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHF730STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF730STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHF740AL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF740AL-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF740STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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