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SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR108DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR112DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 133A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 123nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -120A Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 138nC Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR166DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR188LDP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR402DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR403EDP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR410DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR418DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 2578 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR438DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR440DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 51A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A On-state resistance: 22.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIR4608DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR460DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR464DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 66.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 155nC Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIR474DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 77.4A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR106ADP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR106DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR108DP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR112DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR120DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR122DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR122DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR122DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR122LDP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR124DP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR1309DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR140DP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR150DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR150DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR150DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIR158DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR158DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR164DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR165DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR166DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR167DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR170DP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR172ADP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR178DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR180ADP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR180ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR180ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR180DP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR182DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR182LDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIR184DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR186DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIR186LDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5957 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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54+ | 1.33 EUR |
119+ | 0.60 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
3000+ | 0.56 EUR |
SIR188DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR188LDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR401DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR402DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR403EDP-T1-GE3 |
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SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR404DP-T1-GE3 |
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SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR410DP-T1-GE3 |
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SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR414DP-T1-GE3 |
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SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR416DP-T1-GE3 |
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SIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR418DP-T1-GE3 |
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SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR422DP-T1-GE3 |
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SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2578 Stücke:
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51+ | 1.42 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
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SIR424DP-T1-GE3 |
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SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR426DP-T1-GE3 |
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SIR426DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR438DP-T1-GE3 |
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SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR440DP-T1-GE3 |
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SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR4602LDP-T1-RE3 |
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SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR4604LDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR4606DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIR4608DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR460DP-T1-GE3 |
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SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR462DP-T1-GE3 |
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SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR464DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR466DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR470DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIR474DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR500DP-T1-RE3 |
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SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR5102DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR510DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIR516DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR5708DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR570DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR572DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR574DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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