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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
200+1.22 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
74+0.98 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
51+1.42 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.1 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
250+0.91 EUR
500+0.82 EUR
750+0.76 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3DCC7682A00C7&compId=irf9z34.pdf?ci_sign=426febe0a30d9734ff79e0dd1ec09ece99d6f9b5 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
65+1.11 EUR
72+1 EUR
100+0.96 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910510D612A143&compId=IRF9Z34S.pdf?ci_sign=2fa22ef4867f659ce8fdcebbf32f67f1c67a2f43 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
52+1.4 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
34+2.16 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
19+3.92 EUR
20+3.62 EUR
50+3.22 EUR
100+3 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
50+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
75+0.97 EUR
100+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
49+1.49 EUR
57+1.27 EUR
61+1.19 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
55+1.32 EUR
80+0.89 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.4 EUR
250+1.24 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
50+1.83 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
61+1.17 EUR
70+1.03 EUR
77+0.93 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
50+1.63 EUR
250+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 5.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
100+0.89 EUR
250+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBF IRFD420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
85+0.85 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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IRFD9014PBF IRFD9014PBF VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFD9020PBF IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
42+1.72 EUR
54+1.34 EUR
70+1.03 EUR
100+0.96 EUR
200+0.92 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
73+0.99 EUR
100+0.85 EUR
200+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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IRFD9210PBF IRFD9210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
94+0.77 EUR
139+0.51 EUR
200+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.65 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 18A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
48+1.5 EUR
68+1.06 EUR
100+0.93 EUR
250+0.8 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
73+0.99 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
55+1.32 EUR
100+1.26 EUR
250+1.2 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
46+1.57 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFF16C93A6143&compId=IRFI644G.pdf?ci_sign=7cd2c9e3d0db0f8a4bba0b1411672bf1800d2be8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
50+1.43 EUR
100+1.39 EUR
250+1.32 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
34+2.12 EUR
52+1.4 EUR
100+1.03 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.36 EUR
32+2.25 EUR
50+2.12 EUR
100+1.92 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
44+1.63 EUR
52+1.39 EUR
100+1.3 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
750+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
100+0.93 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 34nC
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IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY IRFIB6N60A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E8BE6B5300143&compId=IRFIZ48G.pdf?ci_sign=1933aab56fbd5aaff519a0ab4bf9ddb3b516fc42 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
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Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY IRFL9014-DTE.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
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IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY IRFL9110PBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048RPBF IRFP048RPBF VISHAY sihfp048.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
32+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
19+3.83 EUR
25+3.47 EUR
50+3.23 EUR
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125+2.97 EUR
250+2.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY IRFP064PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
1000+3.39 EUR
2500+3.03 EUR
5000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.76 EUR
100+1.6 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B1A260681C469&compId=IRFP150PBF.pdf?ci_sign=d53e0b757325c6cfb5bd7844136cc27705b965ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.92 EUR
22+3.35 EUR
24+3.06 EUR
27+2.7 EUR
50+2.49 EUR
100+2.33 EUR
125+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
10+7.15 EUR
25+3.69 EUR
50+3.5 EUR
100+3.32 EUR
125+3.27 EUR
200+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.69 EUR
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
200+1.22 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46
IRF9610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
74+0.98 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61
IRF9620PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
72+1 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7
IRF9630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.34 EUR
100+1.22 EUR
250+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9630SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74
IRF9630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
51+1.42 EUR
100+1.32 EUR
250+1.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f
IRF9Z24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
100+1.03 EUR
250+0.91 EUR
500+0.82 EUR
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1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRF9Z24SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785
IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
62+1.16 EUR
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3DCC7682A00C7&compId=irf9z34.pdf?ci_sign=426febe0a30d9734ff79e0dd1ec09ece99d6f9b5
IRF9Z34PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
65+1.11 EUR
72+1 EUR
100+0.96 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910510D612A143&compId=IRF9Z34S.pdf?ci_sign=2fa22ef4867f659ce8fdcebbf32f67f1c67a2f43
IRF9Z34SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
52+1.4 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A511ACEBAE469&compId=IRFB11N50APBF.pdf?ci_sign=2b2cb56cacbcc1433d98753fa1640f894f4b75b0
IRFB11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
34+2.16 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB17N50LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70
IRFB17N50LPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
19+3.92 EUR
20+3.62 EUR
50+3.22 EUR
100+3 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F414831B90143&compId=IRFB18N50K.pdf?ci_sign=8d8c87da4e1dd23f4157d16250cae8a6a18df8f5
IRFB18N50KPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
50+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3E47CAFE960C7&compId=IRFBC20.pdf?ci_sign=9bf1bd9dffbe75aa95db2faed31b00efd75d12aa
IRFBC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
75+0.97 EUR
100+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA9BDB6174143&compId=IRFBC40LC.pdf?ci_sign=7a715f32bfcc31eb7b67f5e3fda6fe3fcc72b060
IRFBC40LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
49+1.49 EUR
57+1.27 EUR
61+1.19 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7685A685A469&compId=IRFBC40PBF.pdf?ci_sign=3f3345541e9bbecb9217bd9348646ef1a5c42a45
IRFBC40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3F7C028F760C7&compId=IRFBE20.pdf?ci_sign=e50d3f6680978554c2460c053e905c8201585866
IRFBE20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
55+1.32 EUR
80+0.89 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
42+1.73 EUR
50+1.5 EUR
100+1.4 EUR
250+1.24 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
50+1.83 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55
IRFBF20SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
Drain-source voltage: 900V
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
61+1.17 EUR
70+1.03 EUR
77+0.93 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7F8E2DC9E469&compId=IRFBF30.pdf?ci_sign=c35b4d19349efa03f7c0a0a5e151c3028ead9b33
IRFBF30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
50+1.63 EUR
250+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710
IRFBG20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 5.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
100+0.89 EUR
250+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A9BDD9A9A0469&compId=IRFD420PBF.pdf?ci_sign=57ea75df99819e42418198c0019a26e23b270646
IRFD420PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Case: DIP4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
85+0.85 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9014PBF IRFD9014PBF.pdf
IRFD9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
IRFD9020PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -1.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
42+1.72 EUR
54+1.34 EUR
70+1.03 EUR
100+0.96 EUR
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500+0.87 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c
IRFD9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
73+0.99 EUR
100+0.85 EUR
200+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422
IRFD9210PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
94+0.77 EUR
139+0.51 EUR
200+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9220PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4
IRFD9220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 18A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
48+1.5 EUR
68+1.06 EUR
100+0.93 EUR
250+0.8 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8ED44C28028143&compId=IRFI540G.pdf?ci_sign=a6e672a226915ac5e42a5860cafd9959f002946b
IRFI540GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
73+0.99 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EF058DBFBC143&compId=IRFI630G.pdf?ci_sign=f7270105880b125c5483f45aad40ea58764547df
IRFI630GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.32 EUR
100+1.26 EUR
250+1.2 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3FDA2E18060C7&compId=IRFI640G.pdf?ci_sign=1ff1dc4ebb9a0937e40044ce7827fa69680105cb
IRFI640GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
46+1.57 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFF16C93A6143&compId=IRFI644G.pdf?ci_sign=7cd2c9e3d0db0f8a4bba0b1411672bf1800d2be8
IRFI644GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
50+1.43 EUR
100+1.39 EUR
250+1.32 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5
IRFI740GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
34+2.12 EUR
52+1.4 EUR
100+1.03 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890
IRFI830GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772
IRFI840GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
32+2.25 EUR
50+2.12 EUR
100+1.92 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9530GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e
IRFI9530GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 38nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532
IRFI9540GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea
IRFI9630GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
44+1.63 EUR
52+1.39 EUR
100+1.3 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
750+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9634GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340
IRFI9634GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
100+0.93 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e
IRFI9Z34GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60A.pdf
IRFIB6N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
50+1.94 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560
IRFIBC30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
55+1.32 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd
IRFIBE30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
44+1.66 EUR
49+1.47 EUR
55+1.32 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15
IRFIBF20GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
38+1.9 EUR
50+1.63 EUR
100+1.42 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ48GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E8BE6B5300143&compId=IRFIZ48G.pdf?ci_sign=1933aab56fbd5aaff519a0ab4bf9ddb3b516fc42
IRFIZ48GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
50+1.49 EUR
100+1.42 EUR
250+1.33 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476
IRFL014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
111+0.64 EUR
200+0.61 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8
IRFL110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
112+0.64 EUR
126+0.57 EUR
132+0.54 EUR
250+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL210TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919
IRFL210TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
108+0.67 EUR
135+0.53 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF description IRFL9014-DTE.pdf
IRFL9014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -1.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
250+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF description IRFL9110PBF.pdf
IRFL9110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
89+0.81 EUR
96+0.75 EUR
116+0.62 EUR
127+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048RPBF sihfp048.pdf
IRFP048RPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
32+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970
IRFP054PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
19+3.83 EUR
25+3.47 EUR
50+3.23 EUR
100+3.03 EUR
125+2.97 EUR
250+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064PBF IRFP064PBF.pdf
IRFP064PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
1000+3.39 EUR
2500+3.03 EUR
5000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86
IRFP140PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.76 EUR
100+1.6 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B1A260681C469&compId=IRFP150PBF.pdf?ci_sign=d53e0b757325c6cfb5bd7844136cc27705b965ed
IRFP150PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
22+3.35 EUR
24+3.06 EUR
27+2.7 EUR
50+2.49 EUR
100+2.33 EUR
125+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255
IRFP22N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
10+7.15 EUR
25+3.69 EUR
50+3.5 EUR
100+3.32 EUR
125+3.27 EUR
200+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3
IRFP240PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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