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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IL410 VISHAY il410.pdf IL410 Optotriacs
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
29+2.5 EUR
31+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4118-X017 IL4118-X017 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED884CA1192C3B3EA18&compId=IL4118-X017.pdf?ci_sign=c16e3553350881c51178c3f500c416a408521e4a Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: Gull wing 6
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
21+3.47 EUR
23+3.15 EUR
26+2.79 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL420 IL420 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E0AB91E26F1A6F5005056AB5A8F&compId=il420.pdf?ci_sign=e5caaec8bae830b73075cd235058d4a5379c225a Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.62 EUR
33+2.22 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4208 IL4208 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E0AB91E26F1A6F5005056AB5A8F&compId=il420.pdf?ci_sign=e5caaec8bae830b73075cd235058d4a5379c225a Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
33+2.2 EUR
50+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4208-X007T IL4208-X007T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88FDCCFD3796E53D2&compId=IL4208-X007T.pdf?ci_sign=f6621b658150040013207801f4dc4f23f6ca9fb7 Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Trigger current: 2mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
29+2.52 EUR
32+2.3 EUR
50+2.14 EUR
100+1.99 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4218 IL4218 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A7C4CC89D55EF820&compId=il4216.pdf?ci_sign=c2712a7fa446f13ce767faec08d943900e888002 Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Mounting: THT
Number of channels: 1
Trigger current: 0.7mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.09 EUR
26+2.76 EUR
28+2.56 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD615-2 ILD615-2 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9EB06DBD3FF260D6&compId=ild615.pdf?ci_sign=7fbe4ce5b795a579049a934a6181b9fae5e7d723 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP8
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
60+1.21 EUR
66+1.09 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD621GB ILD621GB VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF29BF653A3DE27&compId=ILD621-DTE.pdf?ci_sign=ab9b5640553e80f08ae7d50b526adfcb38f2119d Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5.3kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
62+1.16 EUR
139+0.51 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ2-X009 VISHAY tf-ilq2-x009.pdf ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ30 VISHAY ild55.pdf ILQ30 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4 VISHAY ild615.pdf ILQ615-4 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621 VISHAY ild621.pdf ILQ621 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621GB VISHAY ild621.pdf ILQ621GB Optocouplers - analog output
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08 VISHAY imbd4148.pdf IMBD4148-E3-08 SMD universal diodes
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
510+0.14 EUR
2591+0.028 EUR
2748+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 510
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08 VISHAY IMBD4148-HE3-08 SMD universal diodes
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
971+0.074 EUR
1414+0.051 EUR
1496+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 971
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
123+0.58 EUR
167+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY IRF530PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
113+0.64 EUR
122+0.59 EUR
142+0.51 EUR
148+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY irf530s.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
50+1.43 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
750+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620PBF IRF620PBF VISHAY IRF620PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
80+0.9 EUR
92+0.78 EUR
107+0.67 EUR
250+0.6 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
118+0.61 EUR
500+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
88+0.82 EUR
100+0.78 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634PBF VISHAY irf634.pdf IRF634PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
81+0.89 EUR
101+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.2 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
100+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF710PBF IRF710PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
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Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY sihf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
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IRF730PBF IRF730PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
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On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
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Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
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Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
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Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
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IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
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Case: TO220AB
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Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
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Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
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Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89EA8BA3102469&compId=IRF740SPBF.pdf?ci_sign=b402fade255c0903eec9d8c12f2c21148065852d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820APBF IRF820APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F187F06442143&compId=IRF820A.pdf?ci_sign=b1305f8472951e1ca082b6bf125e71843cdefed2 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 877 Stücke:
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51+1.42 EUR
74+0.97 EUR
88+0.82 EUR
100+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASPBF IRF820ASPBF VISHAY sihf820a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
59+1.23 EUR
69+1.05 EUR
100+0.98 EUR
250+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820PBF IRF820PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A064616B8E469&compId=IRF820PBF.pdf?ci_sign=3a3c47cff93513faa2fb73c4d6ecc1400c593917 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
99+0.73 EUR
120+0.6 EUR
130+0.55 EUR
250+0.51 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
45+1.6 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
100+1.29 EUR
250+1.2 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
59+1.23 EUR
69+1.05 EUR
100+0.98 EUR
250+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.5 EUR
53+1.37 EUR
100+1.32 EUR
250+1.22 EUR
500+1.14 EUR
750+1.1 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
47+1.54 EUR
53+1.37 EUR
57+1.27 EUR
100+1.19 EUR
250+1.1 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
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100+1.04 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
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68+1.06 EUR
100+1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
120+0.6 EUR
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143+0.5 EUR
250+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
100+0.99 EUR
250+0.9 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7F14AFF74B7474A&compId=irf9530.pdf?ci_sign=2ba2e3117e35c8bd9c7be2bbf5da5b781477414f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90DC395A3C2143&compId=IRF9530S.pdf?ci_sign=a8b20d5f79ae6355528120896633ec85d2abe779 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
91+0.79 EUR
100+0.74 EUR
250+0.72 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
200+1.22 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
74+0.98 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL410 il410.pdf
Hersteller: VISHAY
IL410 Optotriacs
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
29+2.5 EUR
31+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4118-X017 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED884CA1192C3B3EA18&compId=IL4118-X017.pdf?ci_sign=c16e3553350881c51178c3f500c416a408521e4a
IL4118-X017
Hersteller: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; Gull wing 6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: Gull wing 6
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
21+3.47 EUR
23+3.15 EUR
26+2.79 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL420 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E0AB91E26F1A6F5005056AB5A8F&compId=il420.pdf?ci_sign=e5caaec8bae830b73075cd235058d4a5379c225a
IL420
Hersteller: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Number of channels: 1
Trigger current: 2mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
33+2.22 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4208 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E0AB91E26F1A6F5005056AB5A8F&compId=il420.pdf?ci_sign=e5caaec8bae830b73075cd235058d4a5379c225a
IL4208
Hersteller: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
33+2.2 EUR
50+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4208-X007T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88FDCCFD3796E53D2&compId=IL4208-X007T.pdf?ci_sign=f6621b658150040013207801f4dc4f23f6ca9fb7
IL4208-X007T
Hersteller: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Trigger current: 2mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
29+2.52 EUR
32+2.3 EUR
50+2.14 EUR
100+1.99 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IL4218 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A7C4CC89D55EF820&compId=il4216.pdf?ci_sign=c2712a7fa446f13ce767faec08d943900e888002
IL4218
Hersteller: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Mounting: THT
Number of channels: 1
Trigger current: 0.7mA
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.09 EUR
26+2.76 EUR
28+2.56 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD615-2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9EB06DBD3FF260D6&compId=ild615.pdf?ci_sign=7fbe4ce5b795a579049a934a6181b9fae5e7d723
ILD615-2
Hersteller: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP8
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
60+1.21 EUR
66+1.09 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD621GB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF29BF653A3DE27&compId=ILD621-DTE.pdf?ci_sign=ab9b5640553e80f08ae7d50b526adfcb38f2119d
ILD621GB
Hersteller: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Case: DIP8
Number of channels: 2
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2.3µs
Turn-on time: 3µs
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Insulation voltage: 5.3kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
62+1.16 EUR
139+0.51 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ2-X009 tf-ilq2-x009.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ30 ild55.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ30 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ615-4 ild615.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621 ild621.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILQ621GB ild621.pdf
Hersteller: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-E3-08 imbd4148.pdf
Hersteller: VISHAY
IMBD4148-E3-08 SMD universal diodes
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
510+0.14 EUR
2591+0.028 EUR
2748+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 510
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBD4148-HE3-08
Hersteller: VISHAY
IMBD4148-HE3-08 SMD universal diodes
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
971+0.074 EUR
1414+0.051 EUR
1496+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 971
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF description IRF530PBF.pdf
IRF530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF description irf530s.pdf
IRF530SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3
IRF610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620PBF IRF620PBF.pdf
IRF620PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF634PBF irf634.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF634PBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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250+1.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
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Anzahl Preis
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52+1.4 EUR
55+1.3 EUR
59+1.23 EUR
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250+1.09 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
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Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
55+1.32 EUR
65+1.12 EUR
100+1.04 EUR
250+0.96 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
50+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a
IRF710PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
128+0.56 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
76+0.95 EUR
100+0.75 EUR
800+0.65 EUR
1600+0.63 EUR
2400+0.61 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF720PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af
IRF720PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
76+0.95 EUR
87+0.83 EUR
100+0.78 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
100+0.72 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF820APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ASPBF sihf820a.pdf
IRF820ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF820PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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45+1.6 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
100+1.29 EUR
250+1.2 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83FEF34DB3A460D5&compId=irf830a.pdf?ci_sign=395df0d98f08b3000c932eb67dd4e33ff6072dff
IRF830APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
59+1.23 EUR
69+1.05 EUR
100+0.98 EUR
250+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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32+2.29 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224
IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
53+1.37 EUR
100+1.32 EUR
250+1.22 EUR
500+1.14 EUR
750+1.1 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
47+1.54 EUR
53+1.37 EUR
57+1.27 EUR
100+1.19 EUR
250+1.1 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
65+1.1 EUR
100+1.04 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6
IRF9510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
120+0.6 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
250+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9510SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627
IRF9510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
59+1.23 EUR
68+1.06 EUR
100+0.99 EUR
250+0.9 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520S.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7F14AFF74B7474A&compId=irf9530.pdf?ci_sign=2ba2e3117e35c8bd9c7be2bbf5da5b781477414f
IRF9530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90DC395A3C2143&compId=IRF9530S.pdf?ci_sign=a8b20d5f79ae6355528120896633ec85d2abe779
IRF9530SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
91+0.79 EUR
100+0.74 EUR
250+0.72 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.69 EUR
44+1.63 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
200+1.22 EUR
250+1.19 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3DEB81760469&compId=IRF9610PBF.pdf?ci_sign=d39aeede662720961ed061dee5ebfdc3be985d46
IRF9610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
74+0.98 EUR
80+0.9 EUR
100+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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