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SIHP8N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHS36N50D-GE3 | VISHAY |
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SIHU2N80E-GE3 | VISHAY |
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SIHU3N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.9A Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 69W Gate charge: 12nC Pulsed drain current: 5.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU4N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU5N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU6N62E-GE3 | VISHAY |
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SIHU6N65E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU6N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 62.5W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 22.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU7N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHW21N80AE-GE3 | VISHAY |
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SIHW61N65EF-GE3 | VISHAY |
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SIHW70N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 229A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ150DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ186DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ188DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ438ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ438DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ462ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ462DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ470DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ478DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ4819DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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SIJ482DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SiJ494DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA52ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 131A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 48W On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIJA52DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 48W On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIJA54DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA58ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA58DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA72ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH112E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH5100E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH5800E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH600E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH800E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIP12107DMP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIP12108ADMP-T1GE4 | VISHAY |
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SIP12108DMP-T1GE4 | VISHAY |
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SIP12109DMP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷15VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 4A; QFN16 Case: QFN16 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output voltage: 0.6...5.5V DC Output current: 4A Type of integrated circuit: PMIC Input voltage: 4.5...15V DC Efficiency: 95% Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP Kind of integrated circuit: DC/DC converter Topology: buck Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 4.5...5.5V Frequency: 0.2...1.5MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIP12110DMP-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP12116DMP-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP12117DMP-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP2801DY-T1-E3 | VISHAY |
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SIP2804DY-T1-E3 | VISHAY | SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits |
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SIP32401ADNP-T1GE4 | VISHAY |
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SIP32409DNP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4 Output current: 3.5A Supply voltage: 1.1...5.5V DC Mounting: SMD On-state resistance: 44mΩ Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Case: TDFN4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32411DR-T1-GE3 | VISHAY |
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SIP32419DN-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10 Supply voltage: 6...28V DC On-state resistance: 56mΩ Output current: 3.5A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: DFN10 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SIP32429DN-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP32431DNP3-T1GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4 Output current: 1.4A Supply voltage: 1.5...5.5V DC Mounting: SMD On-state resistance: 0.105Ω Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Case: TDFN4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1673 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32431DR3-T1GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70 Supply voltage: 1.5...5.5V DC On-state resistance: 147mΩ Output current: 1.4A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: SC70 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32458DB-T2-GE1 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6 On-state resistance: 20mΩ Output current: 3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: WCSP6 Supply voltage: 1.5...5.5V DC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIP32461DB-T2-GE1 | VISHAY |
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SIP32509DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.1...5.5V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1895 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32510DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.2...5.5V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3472 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIR104ADP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR104DP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY |
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SIHP8N50D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHS36N50D-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIHS36N50D-GE3 THT N channel transistors
SIHS36N50D-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU2N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIHU2N80E-GE3 THT N channel transistors
SIHU2N80E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU3N50D-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 69W
Gate charge: 12nC
Pulsed drain current: 5.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 69W
Gate charge: 12nC
Pulsed drain current: 5.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU4N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU5N50D-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU6N62E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIHU6N62E-GE3 THT N channel transistors
SIHU6N62E-GE3 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIHU6N65E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHU6N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHU7N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHW21N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHW21N80AE-GE3 THT N channel transistors
SIHW21N80AE-GE3 THT N channel transistors
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SIHW61N65EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHW61N65EF-GE3 THT N channel transistors
SIHW61N65EF-GE3 THT N channel transistors
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SIHW70N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
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SIJ128LDP-T1-GE3 |
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SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ438ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ478DP-T1-GE3 |
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SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ4819DP-T1-GE3 |
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SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIJ482DP-T1-GE3 |
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SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiJ494DP-T1-GE3 |
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SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA52ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIJA52DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIJA54DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA58ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA58DP-T1-GE3 |
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SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA72ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJH112E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJH5100E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJH5800E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJH5800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH5800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJH600E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJH800E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIP12107DMP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12107DMP-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12107DMP-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIP12108ADMP-T1GE4 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12108ADMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12108ADMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIP12108DMP-T1GE4 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12108DMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12108DMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIP12109DMP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷15VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 4A; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 4A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 4.5...15V DC
Efficiency: 95%
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Topology: buck
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V
Frequency: 0.2...1.5MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.5÷15VDC; Uout: 0.6÷5.5VDC; 4A; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...5.5V DC
Output current: 4A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 4.5...15V DC
Efficiency: 95%
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Topology: buck
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V
Frequency: 0.2...1.5MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIP12110DMP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP12110DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12110DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIP12116DMP-T1-GE4 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12116DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12116DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP12117DMP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP12117DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12117DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIP2801DY-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
SIP2801DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
SIP2801DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
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Stück im Wert von UAH
SIP2804DY-T1-E3 |
Hersteller: VISHAY
SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
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SIP32401ADNP-T1GE4 |
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Hersteller: VISHAY
SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
SIP32401ADNP-T1GE4 Power switches - integrated circuits
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SIP32409DNP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 44mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 44mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.57 EUR |
179+ | 0.40 EUR |
202+ | 0.35 EUR |
260+ | 0.28 EUR |
274+ | 0.26 EUR |
SIP32411DR-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
SIP32411DR-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
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Stück im Wert von UAH
SIP32419DN-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Supply voltage: 6...28V DC
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DFN10
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIP32429DN-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
SIP32429DN-T1-GE4 Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 1.4A
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 1.4A
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Case: TDFN4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
202+ | 0.35 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
SIP32431DR3-T1GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SC70
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
On-state resistance: 147mΩ
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SC70
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
205+ | 0.35 EUR |
216+ | 0.33 EUR |
2500+ | 0.32 EUR |
SIP32458DB-T2-GE1 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: WCSP6
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIP32461DB-T2-GE1 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
SIP32461DB-T2-GE1 Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIP32509DT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
152+ | 0.47 EUR |
217+ | 0.33 EUR |
242+ | 0.30 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
307+ | 0.23 EUR |
500+ | 0.22 EUR |
SIP32510DT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
162+ | 0.44 EUR |
229+ | 0.31 EUR |
258+ | 0.28 EUR |
343+ | 0.21 EUR |
363+ | 0.20 EUR |
SIR104ADP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR104DP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIR104LDP-T1-RE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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