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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.02 EUR
28+2.57 EUR
31+2.37 EUR
34+2.14 EUR
50+2.03 EUR
100+1.93 EUR
125+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
24+2.99 EUR
26+2.76 EUR
50+2.57 EUR
100+2.4 EUR
125+2.35 EUR
250+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
25+3.2 EUR
50+3.03 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAC6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp264.pdf?ci_sign=f3f52c438e5d84d9f3a9f23116c6b02ed736895b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.78 EUR
16+4.62 EUR
25+4.19 EUR
50+3.93 EUR
100+3.7 EUR
125+3.62 EUR
375+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBF IRFP340PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F0EEE10126143&compId=IRFP340.pdf?ci_sign=dd0167b57f594821b66506409051635df87d75a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.18 EUR
29+2.5 EUR
125+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBF IRFP350PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A48DCDEB8F40D2&compId=IRFP350.pdf?ci_sign=42c456cab931f6c67622fcc61c2717bb182595b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
26+2.85 EUR
500+2.59 EUR
5000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP440PBF IRFP440PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F301B67F1E143&compId=IRFP440.pdf?ci_sign=3aa4bec6fb06777b7fca835240631b66cb6b1d6a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 150W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
26+2.8 EUR
36+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450APBF IRFP450APBF VISHAY IRFP450A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.16 EUR
21+3.45 EUR
25+3.03 EUR
50+2.76 EUR
100+2.57 EUR
500+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF VISHAY irfp450lc.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450PBF IRFP450PBF VISHAY irfp450.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
27+2.67 EUR
33+2.22 EUR
45+1.62 EUR
100+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460APBF IRFP460APBF VISHAY irfp460a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF VISHAY IRFP460LCPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B5E6DEDCD8469&compId=IRFP9140PBF.pdf?ci_sign=fe63890bc8f752c1803a1a8c1398b9d0e0f79383 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
25+2.96 EUR
27+2.66 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
250+1.89 EUR
375+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9240PBF IRFP9240PBF VISHAY IRFP9240PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBF IRFPC40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9049E27BB76143&compId=IRFPC40.pdf?ci_sign=b5f63bdd85d075ad87e42ff3aee6625f712f6d08 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.11 EUR
20+3.62 EUR
25+3.05 EUR
50+2.8 EUR
125+2.5 EUR
250+2.26 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBF VISHAY IRFPC50APBF THT N channel transistors
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.16 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBF IRFPC50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBEF4E54D974600D5&compId=irfpc50.pdf?ci_sign=c6a27018a247a1b8ad7bf50f193d820b129afd09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
17+4.28 EUR
50+3.79 EUR
100+3.58 EUR
250+3.3 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBF VISHAY irfpc60lc.pdf IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.75 EUR
21+3.4 EUR
1250+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBF IRFPC60PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0B5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfpc60.pdf?ci_sign=22340fbe8e01e0b60cc7372290316b84cbe0a5d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
25+4.52 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBF IRFPE40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6A45732B6469&compId=IRFPE40PBF.pdf?ci_sign=2be6a196c5aa1e767fdd8423399d3019f87a0cc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
25+2.96 EUR
100+2.47 EUR
200+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
50+2.56 EUR
100+2.45 EUR
125+2.42 EUR
250+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBF IRFPF50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.25 EUR
25+4.03 EUR
75+3.76 EUR
100+3.7 EUR
200+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9098E01A228143&compId=IRFPG30.pdf?ci_sign=d193eca6bc1f838ab6b8616ddd8f0007ce569774 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 462 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBF IRFPG50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B77CB00EB0469&compId=IRFPG50PBF.pdf?ci_sign=091ad9243abe582f39d0806d3e6936d5490ee6e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF VISHAY sihfr014.pdf IRFR014PBF SMD N channel transistors
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IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4908 Stücke:
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97+0.74 EUR
122+0.59 EUR
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IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
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IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
128+0.56 EUR
138+0.52 EUR
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IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
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75+0.96 EUR
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300+0.43 EUR
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IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
116+0.62 EUR
133+0.54 EUR
143+0.5 EUR
300+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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IRFR310PBF IRFR310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
105+0.69 EUR
116+0.62 EUR
525+0.56 EUR
1050+0.54 EUR
3000+0.5 EUR
5025+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
103+0.69 EUR
118+0.61 EUR
300+0.55 EUR
750+0.52 EUR
1125+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
106+0.68 EUR
125+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
50+1.45 EUR
59+1.22 EUR
73+0.98 EUR
83+0.86 EUR
88+0.81 EUR
150+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
132+0.54 EUR
140+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430APBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.46 EUR
50+1.43 EUR
75+0.96 EUR
150+0.52 EUR
525+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
65+1.1 EUR
75+0.97 EUR
88+0.81 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
150+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFR9110PBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF VISHAY sihfr922.pdf IRFR9220PBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.38 EUR
129+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF VISHAY sihfr922.pdf IRFR9220TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
150+0.76 EUR
525+0.66 EUR
1050+0.62 EUR
2025+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
59+1.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1574 Stücke:
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55+1.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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23+3.12 EUR
28+2.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
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34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 465 Stücke:
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34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
50+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD09DEE0EE469&compId=IRFU110.pdf?ci_sign=1557e4c4a91b4c3d341cc766cec909063549d8b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 632 Stücke:
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122+0.59 EUR
147+0.49 EUR
156+0.46 EUR
300+0.43 EUR
750+0.41 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
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59+1.22 EUR
104+0.69 EUR
118+0.61 EUR
119+0.6 EUR
125+0.58 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
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64+1.13 EUR
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
150+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFU320PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFU420PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1846 Stücke:
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57+1.27 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
92+0.78 EUR
105+0.68 EUR
150+0.65 EUR
375+0.62 EUR
1050+0.59 EUR
5025+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
75+0.96 EUR
150+0.7 EUR
300+0.68 EUR
525+0.65 EUR
750+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFU9110PBF THT P channel transistors
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929
IRFP244PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.02 EUR
28+2.57 EUR
31+2.37 EUR
34+2.14 EUR
50+2.03 EUR
100+1.93 EUR
125+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6
IRFP250PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP254PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7
IRFP254PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
24+2.99 EUR
26+2.76 EUR
50+2.57 EUR
100+2.4 EUR
125+2.35 EUR
250+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b
IRFP260PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
25+3.2 EUR
50+3.03 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAC6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp264.pdf?ci_sign=f3f52c438e5d84d9f3a9f23116c6b02ed736895b
IRFP264PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.78 EUR
16+4.62 EUR
25+4.19 EUR
50+3.93 EUR
100+3.7 EUR
125+3.62 EUR
375+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F0EEE10126143&compId=IRFP340.pdf?ci_sign=dd0167b57f594821b66506409051635df87d75a1
IRFP340PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.18 EUR
29+2.5 EUR
125+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A48DCDEB8F40D2&compId=IRFP350.pdf?ci_sign=42c456cab931f6c67622fcc61c2717bb182595b7
IRFP350PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
26+2.85 EUR
500+2.59 EUR
5000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP440PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F301B67F1E143&compId=IRFP440.pdf?ci_sign=3aa4bec6fb06777b7fca835240631b66cb6b1d6a
IRFP440PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 150W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
26+2.8 EUR
36+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450APBF IRFP450A.pdf
IRFP450APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
21+3.45 EUR
25+3.03 EUR
50+2.76 EUR
100+2.57 EUR
500+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450LCPBF description irfp450lc.pdf
IRFP450LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP450PBF irfp450.pdf
IRFP450PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
27+2.67 EUR
33+2.22 EUR
45+1.62 EUR
100+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460APBF irfp460a.pdf
IRFP460APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF.pdf
IRFP460LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B5E6DEDCD8469&compId=IRFP9140PBF.pdf?ci_sign=fe63890bc8f752c1803a1a8c1398b9d0e0f79383
IRFP9140PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
25+2.96 EUR
27+2.66 EUR
50+2.43 EUR
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250+1.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP9240PBF IRFP9240PBF.pdf
IRFP9240PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
41+1.77 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
55+1.32 EUR
100+1.27 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9049E27BB76143&compId=IRFPC40.pdf?ci_sign=b5f63bdd85d075ad87e42ff3aee6625f712f6d08
IRFPC40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.11 EUR
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25+3.05 EUR
50+2.8 EUR
125+2.5 EUR
250+2.26 EUR
500+2.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50APBF
Hersteller: VISHAY
IRFPC50APBF THT N channel transistors
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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14+5.16 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBEF4E54D974600D5&compId=irfpc50.pdf?ci_sign=c6a27018a247a1b8ad7bf50f193d820b129afd09
IRFPC50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
17+4.28 EUR
50+3.79 EUR
100+3.58 EUR
250+3.3 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60LCPBF irfpc60lc.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
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13+5.75 EUR
21+3.4 EUR
1250+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPC60PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0B5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfpc60.pdf?ci_sign=22340fbe8e01e0b60cc7372290316b84cbe0a5d1
IRFPC60PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
25+4.52 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6A45732B6469&compId=IRFPE40PBF.pdf?ci_sign=2be6a196c5aa1e767fdd8423399d3019f87a0cc5
IRFPE40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
25+2.96 EUR
100+2.47 EUR
200+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPE50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9
IRFPE50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
50+2.56 EUR
100+2.45 EUR
125+2.42 EUR
250+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPF50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c
IRFPF50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.25 EUR
25+4.03 EUR
75+3.76 EUR
100+3.7 EUR
200+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9098E01A228143&compId=IRFPG30.pdf?ci_sign=d193eca6bc1f838ab6b8616ddd8f0007ce569774
IRFPG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd
IRFPG40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
23+3.13 EUR
26+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFPG50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B77CB00EB0469&compId=IRFPG50PBF.pdf?ci_sign=091ad9243abe582f39d0806d3e6936d5490ee6e8
IRFPG50PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
26+2.76 EUR
29+2.5 EUR
50+2.37 EUR
100+2.26 EUR
250+2.2 EUR
500+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF sihfr014.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR014PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
198+0.36 EUR
209+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B864924006469&compId=IRFR024PBF.pdf?ci_sign=71e8bc44d435e74e5706025275dbaf4d7233cac6
IRFR024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
150+0.53 EUR
300+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642
IRFR110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4908 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
97+0.74 EUR
122+0.59 EUR
150+0.54 EUR
300+0.51 EUR
375+0.49 EUR
525+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFR120PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
128+0.56 EUR
135+0.53 EUR
525+0.49 EUR
1050+0.47 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
IRFR1N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
98+0.74 EUR
118+0.61 EUR
150+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104
IRFR210PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
128+0.56 EUR
138+0.52 EUR
525+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692
IRFR220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
75+0.96 EUR
150+0.47 EUR
300+0.43 EUR
525+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR224PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08
IRFR224PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1675 Stücke:
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IRFR310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99239FF036480C7&compId=irfr310.pdf?ci_sign=6d5993c2421387655ce82c6df2600eef851824f3
IRFR310PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef
IRFR320PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR320TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8
IRFR320TRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFR420APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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50+1.45 EUR
59+1.22 EUR
73+0.98 EUR
83+0.86 EUR
88+0.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
IRFR420PBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBF sihfr430.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR430APBF SMD N channel transistors
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47+1.54 EUR
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150+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF IRFx9014.pdf
IRFR9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0
IRFR9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 374 Stücke:
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52+1.39 EUR
65+1.1 EUR
75+0.97 EUR
88+0.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR9110PBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 822 Stücke:
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Anzahl Preis
53+1.37 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF sihfr922.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR9220PBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 143 Stücke:
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Anzahl Preis
52+1.38 EUR
129+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF sihfr922.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR9220TRPBF SMD P channel transistors
auf Bestellung 1665 Stücke:
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Anzahl Preis
57+1.27 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d
IRFR9310PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
150+0.76 EUR
525+0.66 EUR
1050+0.62 EUR
2025+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFR9310TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
59+1.23 EUR
64+1.12 EUR
79+0.91 EUR
100+0.83 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241
IRFRC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
77+0.94 EUR
85+0.85 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f
IRFS11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
28+2.56 EUR
31+2.33 EUR
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
50+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634
IRFSL11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
50+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD09DEE0EE469&compId=IRFU110.pdf?ci_sign=1557e4c4a91b4c3d341cc766cec909063549d8b5
IRFU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
147+0.49 EUR
156+0.46 EUR
300+0.43 EUR
750+0.41 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFU120PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
104+0.69 EUR
118+0.61 EUR
119+0.6 EUR
125+0.58 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
122+0.59 EUR
150+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBF sihfr420.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBF IRFx9014.pdf
IRFU9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
92+0.78 EUR
105+0.68 EUR
150+0.65 EUR
375+0.62 EUR
1050+0.59 EUR
5025+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04
IRFU9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
75+0.96 EUR
150+0.7 EUR
300+0.68 EUR
525+0.65 EUR
750+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRFU9110PBF sihfr911.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU9110PBF THT P channel transistors
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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