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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SISH536DN-T1-GE3 VISHAY sish536dn.pdf SISH536DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH615ADN-T1-GE3 VISHAY sish615adn.pdf SISH615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISH617DN-T1-GE3 VISHAY sish617dn.pdf SISH617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5681 Stücke:
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80+0.90 EUR
148+0.48 EUR
156+0.46 EUR
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SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY sish892bdn.pdf SISH892BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf SISHA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISHA10DN-T1-GE3 VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISHA12ADN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf SISHA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISHA14DN-T1-GE3 VISHAY sisha14dn.pdf SISHA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS02DN-T1-GE3 VISHAY vis-siss02dn-t1-ge3.pdf SISS02DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS04DN-T1-GE3 VISHAY siss04dn.pdf SISS04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
On-state resistance: 5.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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SISS06DN-T1-GE3 VISHAY siss06dn.pdf SISS06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS08DN-T1-GE3 VISHAY siss08dn.pdf SISS08DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS10ADN-T1-GE3 VISHAY siss10adn.pdf SISS10ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS10DN-T1-GE3 VISHAY siss10dn.pdf SISS10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS12DN-T1-GE3 VISHAY siss12dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 89nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS22DN-T1-GE3 VISHAY siss22dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS22LDN-T1-GE3 VISHAY siss22ldn.pdf SISS22LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -50A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 300nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
87+0.83 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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SISS26DN-T1-GE3 VISHAY siss26dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS27ADN-T1-GE3 VISHAY siss27adn.pdf SISS27ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISS27DN-T1-GE3 VISHAY siss27dn.pdf SISS27DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1461 Stücke:
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64+1.13 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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SiSS28DN-T1-GE3 VISHAY siss28dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY siss30adn.pdf SISS30ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS30DN-T1-GE3 VISHAY siss30dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 43.5A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS30LDN-T1-GE3 VISHAY siss30ldn.pdf SISS30LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS32ADN-T1-GE3 VISHAY siss32adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS32DN-T1-GE3 VISHAY siss32dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY siss32ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 57nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS40DN-T1-GE3 VISHAY siss40dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS42DN-T1-GE3 VISHAY SISS42DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS42LDN-T1-GE3 VISHAY siss42ldn.pdf SISS42LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS46DN-T1-GE3 VISHAY siss46dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.2A
On-state resistance: 14.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS50DN-T1-GE3 VISHAY siss50dn.pdf SISS50DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS5108DN-T1-GE3 VISHAY siss5108dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS54DN-T1-GE3 VISHAY siss54dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS5808DN-T1-GE3 VISHAY siss5808dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS588DN-T1-GE3 VISHAY siss588dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS60DN-T1-GE3 VISHAY siss60dn.pdf SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Power dissipation: 42.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 231nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -89.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.50 EUR
71+1.01 EUR
120+0.60 EUR
127+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS63DN-T1-GE3 VISHAY siss63dn.pdf SISS63DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS64DN-T1-GE3 VISHAY siss64dn.pdf SISS64DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS65DN-T1-GE3 VISHAY siss65dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75.2A; Idm: -120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 75.2A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 138nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS66DN-T1-GE3 VISHAY siss66dn.pdf SISS66DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS67DN-T1-GE3 VISHAY siss67dn.pdf SISS67DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS70DN-T1-GE3 VISHAY siss70dn.pdf SISS70DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS71DN-T1-GE3 VISHAY siss71dn.pdf SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS72DN-T1-GE3 VISHAY siss72dn.pdf SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS73DN-T1-GE3 VISHAY siss73dn.pdf SISS73DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3 VISHAY siss76ldn.pdf SISS76LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3 VISHAY siss78ldn.pdf SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS92DN-T1-GE3 VISHAY siss92dn.pdf SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS94DN-T1-GE3 VISHAY siss94dn.pdf SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS98DN-T1-GE3 VISHAY siss98dn.pdf SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3 VISHAY siud402ed.pdf SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD403ED-T1-GE3 VISHAY siud403ed.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Case: PowerPAK® 0806-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH536DN-T1-GE3 sish536dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISH536DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISHA10DN-T1-GE3
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SISHA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS05DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
On-state resistance: 5.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
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55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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SISS06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS10ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS12DN-T1-GE3 siss12dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 89nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS22DN-T1-GE3 siss22dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SISS22LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -50A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 300nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8500 Stücke:
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Anzahl Preis
61+1.19 EUR
87+0.83 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
2000+0.41 EUR
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS26LDN-T1-GE3 siss26ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS27ADN-T1-GE3 siss27adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS27ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISS27DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1461 Stücke:
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64+1.13 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
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SiSS28DN-T1-GE3 siss28dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS30ADN-T1-GE3 siss30adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS30ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS30DN-T1-GE3 siss30dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 43.5A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS30LDN-T1-GE3 siss30ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS30LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS32ADN-T1-GE3 siss32adn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS32DN-T1-GE3 siss32dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS32LDN-T1-GE3 siss32ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 57nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50.3A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS40DN-T1-GE3 siss40dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS42DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SISS42DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS42LDN-T1-GE3 siss42ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS42LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS46DN-T1-GE3 siss46dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.2A
On-state resistance: 14.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS50DN-T1-GE3 siss50dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS50DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS5108DN-T1-GE3 siss5108dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS5808DN-T1-GE3 siss5808dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS588DN-T1-GE3 siss588dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS60DN-T1-GE3 siss60dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Power dissipation: 42.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 231nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -89.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
71+1.01 EUR
120+0.60 EUR
127+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS63DN-T1-GE3 siss63dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS63DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS64DN-T1-GE3 siss64dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS64DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS65DN-T1-GE3 siss65dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75.2A; Idm: -120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 75.2A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 138nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS66DN-T1-GE3 siss66dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS66DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS67DN-T1-GE3 siss67dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS67DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS70DN-T1-GE3 siss70dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS70DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS71DN-T1-GE3 siss71dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS72DN-T1-GE3 siss72dn.pdf
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SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS73DN-T1-GE3 siss73dn.pdf
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SISS73DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3 siss76ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS76LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3 siss78ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS92DN-T1-GE3 siss92dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3 siss94dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS98DN-T1-GE3 siss98dn.pdf
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SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3 siud402ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD403ED-T1-GE3 siud403ed.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Case: PowerPAK® 0806-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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