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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SISS5108DN-T1-GE3 VISHAY siss5108dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS54DN-T1-GE3 VISHAY siss54dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS5808DN-T1-GE3 VISHAY siss5808dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS588DN-T1-GE3 VISHAY siss588dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS60DN-T1-GE3 VISHAY siss60dn.pdf SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Power dissipation: 42.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 231nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -89.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.50 EUR
71+1.01 EUR
120+0.60 EUR
127+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS63DN-T1-GE3 VISHAY siss63dn.pdf SISS63DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS64DN-T1-GE3 VISHAY siss64dn.pdf SISS64DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS65DN-T1-GE3 VISHAY siss65dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75.2A; Idm: -120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 75.2A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 138nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS66DN-T1-GE3 VISHAY siss66dn.pdf SISS66DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS67DN-T1-GE3 VISHAY siss67dn.pdf SISS67DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISS70DN-T1-GE3 VISHAY siss70dn.pdf SISS70DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiSS71DN-T1-GE3 VISHAY siss71dn.pdf SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISS72DN-T1-GE3 VISHAY siss72dn.pdf SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS73DN-T1-GE3 VISHAY siss73dn.pdf SISS73DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3 VISHAY siss76ldn.pdf SISS76LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3 VISHAY siss78ldn.pdf SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS92DN-T1-GE3 VISHAY siss92dn.pdf SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS94DN-T1-GE3 VISHAY siss94dn.pdf SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS98DN-T1-GE3 VISHAY siss98dn.pdf SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3 VISHAY siud402ed.pdf SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD403ED-T1-GE3 VISHAY siud403ed.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Case: PowerPAK® 0806-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3 VISHAY siud406ed.pdf SIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD412ED-T1-GE3 VISHAY siud412ed.pdf SIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ200DT-T1-GE3 VISHAY siz200dt.pdf SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ240DT-T1-GE3 VISHAY siz240dt.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 48A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.3/12.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ250DT-T1-GE3 VISHAY siz250dt.pdf SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY siz256dt.pdf SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY siz260dt.pdf SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ270DT-T1-GE3 VISHAY siz270dt.pdf SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ300DT-T1-GE3 VISHAY siz300dt.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28/11A
Pulsed drain current: 40...30A
Power dissipation: 31/16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5/32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ320DT-T1-GE3 VISHAY siz320dt.pdf SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ322DT-T1-GE3 VISHAY siz322dt.pdf SIZ322DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ340ADT-T1-GE3 VISHAY siz340adt.pdf SIZ340ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ340BDT-T1-GE3 VISHAY siz340bdt.pdf SIZ340BDT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ340DT-T1-GE3 VISHAY siz340dt.pdf SIZ340DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342ADT-T1-GE3 VISHAY siz342adt.pdf SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342DT-T1-GE3 VISHAY siz342dt.pdf SIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ346DT-T1-GE3 VISHAY siz346dt.pdf SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ348DT-T1-GE3 VISHAY siz348dt.pdf SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ350DT-T1-GE3 VISHAY siz350dt.pdf SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ704DT-T1-GE3 VISHAY siz704dt.pdf SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ710DT-T1-GE3 VISHAY siz710dt.pdf SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ902DT-T1-GE3 VISHAY siz902dt.pdf SIZ902DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ904DT-T1-GE3 VISHAY siz904dt.pdf SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ918DT-T1-GE3 VISHAY siz918dt.pdf SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ926DT-T1-GE3 VISHAY siz926dt.pdf SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980BDT-T1-GE3 VISHAY siz980bdt.pdf SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ980DT-T1-GE3 VISHAY siz980dt.pdf SIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ998DT-T1-GE3 VISHAY siz998dt.pdf SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF300DT-T1-GE3 VISHAY sizf300dt.pdf SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF906ADT-T1-GE3 VISHAY sizf906adt.pdf SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiZF906DT-T1-GE3 VISHAY sizf906dt.pdf SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF914DT-T1-GE3 VISHAY sizf914dt.pdf SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF916DT-T1-GE3 VISHAY sizf916dt.pdf SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF918DT-T1-GE3 VISHAY sizf918dt.pdf SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
720+0.10 EUR
762+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL03-GS08 VISHAY sl02.pdf SL03-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 24066 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
747+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS5108DN-T1-GE3 siss5108dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS5808DN-T1-GE3 siss5808dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS588DN-T1-GE3 siss588dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS60DN-T1-GE3 siss60dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Power dissipation: 42.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 231nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -89.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
71+1.01 EUR
120+0.60 EUR
127+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS63DN-T1-GE3 siss63dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS63DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS64DN-T1-GE3 siss64dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS64DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS65DN-T1-GE3 siss65dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75.2A; Idm: -120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 75.2A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 138nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS66DN-T1-GE3 siss66dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS66DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS67DN-T1-GE3 siss67dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS67DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS70DN-T1-GE3 siss70dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS70DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS71DN-T1-GE3 siss71dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS72DN-T1-GE3 siss72dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS73DN-T1-GE3 siss73dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS73DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISS76LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Case: PowerPAK® 0806-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 48A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.3/12.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28/11A
Pulsed drain current: 40...30A
Power dissipation: 31/16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5/32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SL02-GS08 SMD Schottky diodes
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SL03-GS08 SMD Schottky diodes
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