Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHP6N40D-GE3 | VISHAY |
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SIHP6N65E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHP7N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHP8N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHS36N50D-GE3 | VISHAY |
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SIHU2N80E-GE3 | VISHAY |
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SIHU3N50D-GE3 | VISHAY |
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SIHU4N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU5N50D-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU6N62E-GE3 | VISHAY |
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SIHU6N65E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU6N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 62.5W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 22.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU7N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHW21N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 72nC Power dissipation: 179W Pulsed drain current: 38A Anzahl je Verpackung: 480 Stücke |
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SIHW61N65EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 199A Gate charge: 371nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHW70N60EF-GE3 | VISHAY |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ150DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ186DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ188DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ438ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 169A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 169A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 69.4W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 1.75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 162nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIJ438DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 80A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 1.75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 182nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIJ462ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ462DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ470DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ478DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJ4819DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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SIJ482DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SiJ494DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA52ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA52DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA54DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA58ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA58DP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJA72ADP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH112E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH5100E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH5800E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH600E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIJH800E-T1-GE3 | VISHAY |
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SIP12107DMP-T1-GE3 | VISHAY |
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SIP12108ADMP-T1GE4 | VISHAY |
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SIP12108DMP-T1GE4 | VISHAY |
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SIP12109DMP-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP12110DMP-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP12116DMP-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP12117DMP-T1-GE4 | VISHAY |
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SIP2801DY-T1-E3 | VISHAY |
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SIP2804DY-T1-E3 | VISHAY | SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits |
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SIP32401ADNP-T1GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4 Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...5.5V DC Case: TDFN4 On-state resistance: 62mΩ Output current: 2.4A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIP32409DNP-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4 Output current: 3.5A Case: TDFN4 Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: high-side Supply voltage: 1.1...5.5V DC Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel On-state resistance: 44mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32411DR-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SC70-6 Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...5.5V DC Case: SC70-6 On-state resistance: 101mΩ Output current: 2A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIP32419DN-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10 Mounting: SMD Supply voltage: 6...28V DC Case: DFN10 On-state resistance: 56mΩ Output current: 3.5A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SIP32429DN-T1-GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10 Mounting: SMD Supply voltage: 6...28V DC Case: DFN10 On-state resistance: 56mΩ Output current: 3.5A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIP32431DNP3-T1GE4 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4 Supply voltage: 1.5...5.5V DC Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Kind of output: P-Channel Case: TDFN4 Mounting: SMD On-state resistance: 0.105Ω Number of channels: 1 Output current: 1.4A Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1323 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32431DR3-T1GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70 Supply voltage: 1.5...5.5V DC Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Kind of output: P-Channel Case: SC70 Mounting: SMD On-state resistance: 147mΩ Number of channels: 1 Output current: 1.4A Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32458DB-T2-GE1 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6 Mounting: SMD Supply voltage: 1.5...5.5V DC Case: WCSP6 On-state resistance: 20mΩ Output current: 3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
SIP32461DB-T2-GE1 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP4 Mounting: SMD Supply voltage: 1.2...5.5V DC Case: WCSP4 On-state resistance: 50MΩ Output current: 1.2A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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SIP32509DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.1...5.5V DC Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1895 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIP32510DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23 Type of integrated circuit: power switch Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TSOT23 On-state resistance: 46mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.2...5.5V DC Kind of integrated circuit: high-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHP6N40D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHP6N40D-GE3 THT N channel transistors
SIHP6N40D-GE3 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIHP6N65E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHP7N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHP8N50D-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHS36N50D-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIHS36N50D-GE3 THT N channel transistors
SIHS36N50D-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU2N80E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHU2N80E-GE3 THT N channel transistors
SIHU2N80E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU3N50D-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHU3N50D-GE3 THT N channel transistors
SIHU3N50D-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU4N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHU5N50D-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHU6N62E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHU6N62E-GE3 THT N channel transistors
SIHU6N62E-GE3 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIHU6N65E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHU6N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHU7N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHW21N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 72nC
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 72nC
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke
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SIHW61N65EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 371nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 371nC
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SIHW70N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIHW70N60EF-GE3 THT N channel transistors
SIHW70N60EF-GE3 THT N channel transistors
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SIJ128LDP-T1-GE3 |
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SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ150DP-T1-GE3 |
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SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ186DP-T1-GE3 |
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SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ188DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ438ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 169A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 169A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIJ438DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 80A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 80A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIJ462ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ462DP-T1-GE3 |
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SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ470DP-T1-GE3 |
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SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ478DP-T1-GE3 |
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SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ4819DP-T1-GE3 |
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SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA52ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA52ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA52DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA54DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJA58ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIJA58DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIJA72ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIJH112E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIJH5100E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIJH5800E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIJH5800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH5800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIJH600E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIJH800E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SIP12107DMP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12107DMP-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12107DMP-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Stück im Wert von UAH
SIP12108ADMP-T1GE4 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12108ADMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12108ADMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIP12108DMP-T1GE4 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12108DMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12108DMP-T1GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Stück im Wert von UAH
SIP12109DMP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP12109DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12109DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP12110DMP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP12110DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12110DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP12116DMP-T1-GE4 |
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Hersteller: VISHAY
SIP12116DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12116DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP12117DMP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP12117DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
SIP12117DMP-T1-GE4 Voltage regulators - DC/DC circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP2801DY-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SIP2801DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
SIP2801DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP2804DY-T1-E3 |
Hersteller: VISHAY
SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
SIP2804DY-T1-E3 Voltage regulators - PWM circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP32401ADNP-T1GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
On-state resistance: 62mΩ
Output current: 2.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
On-state resistance: 62mΩ
Output current: 2.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP32409DNP-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Case: TDFN4
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Output current: 3.5A
Case: TDFN4
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 0.51 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
188+ | 0.38 EUR |
218+ | 0.33 EUR |
257+ | 0.28 EUR |
261+ | 0.27 EUR |
272+ | 0.26 EUR |
SIP32411DR-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SC70-6
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: SC70-6
On-state resistance: 101mΩ
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SC70-6
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: SC70-6
On-state resistance: 101mΩ
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP32419DN-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...28V DC
Case: DFN10
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...28V DC
Case: DFN10
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP32429DN-T1-GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...28V DC
Case: DFN10
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; DFN10
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...28V DC
Case: DFN10
On-state resistance: 56mΩ
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: TDFN4
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: TDFN4
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
112+ | 0.64 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
181+ | 0.4 EUR |
202+ | 0.35 EUR |
208+ | 0.34 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
250+ | 0.32 EUR |
SIP32431DR3-T1GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: SC70
Mounting: SMD
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: SC70
Mounting: SMD
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
112+ | 0.64 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
180+ | 0.4 EUR |
205+ | 0.35 EUR |
216+ | 0.33 EUR |
250+ | 0.32 EUR |
SIP32458DB-T2-GE1 |
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Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP6
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: WCSP6
On-state resistance: 20mΩ
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP32461DB-T2-GE1 |
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Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Case: WCSP4
On-state resistance: 50MΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WCSP4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Case: WCSP4
On-state resistance: 50MΩ
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIP32509DT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
256+ | 0.28 EUR |
288+ | 0.25 EUR |
317+ | 0.23 EUR |
319+ | 0.22 EUR |
SIP32510DT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
212+ | 0.34 EUR |
242+ | 0.3 EUR |
283+ | 0.25 EUR |
343+ | 0.21 EUR |
363+ | 0.2 EUR |
374+ | 0.19 EUR |