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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SiHG33N65E-GE3 VISHAY sihg33n65e.pdf SIHG33N65E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3 VISHAY sihg35n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 134nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG44N65EF-GE3 VISHAY sihg44n65ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 154A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 278nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG460B-GE3 VISHAY sihg460b.pdf SIHG460B-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3 VISHAY sihg47n60ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3 VISHAY sihg47n60aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEL-GE3 SIHG47N60AEL-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906056EDFFA143&compId=SIHG47N60AEL.pdf?ci_sign=a09d7010e53260fbc68e9891ce248adafffc3210 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.38 EUR
8+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60EF-GE3 VISHAY sihg47n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3 VISHAY tf-sihg47n65e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG61N65EF-GE3 VISHAY sihg61n65ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 371nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG64N65E-GE3 VISHAY sihg64n65e.pdf SIHG64N65E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY sihg70n60aef.pdf SIHG70N60AEF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60EF-GE3 VISHAY sihg70n60ef.pdf SIHG70N60EF-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60AE-GE3 VISHAY sihg73n60ae.pdf SIHG73N60AE-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.97 EUR
7+10.97 EUR
25+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 VISHAY sihg80n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH068N60E-T1-GE3 VISHAY sihh068n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH070N60EF-T1GE3 VISHAY sihh070n60ef.pdf SIHH070N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH080N60E-T1-GE3 VISHAY sihh080n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 96A; 184W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 184W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY sihh100n60e.pdf SIHH100N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY sihh105n60ef.pdf SIHH105N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh11n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 357mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 27A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65E-T1-GE3 VISHAY sihh11n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 363mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh11n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 382mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH120N60E-T1-GE3 VISHAY sihh120n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 57A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 57A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH125N60EF-T1GE3 VISHAY sihh125n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 156W
Pulsed drain current: 66A
Case: PowerPAK® 8x8L
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH14N60E-T1-GE3 VISHAY sihh14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 38A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 147W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh14n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 38A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 147W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 266mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Gate charge: 84nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65E-T1-GE3 VISHAY sihh14n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 56W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Pulsed drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh14n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 36A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH180N60E-T1-GE3 VISHAY sihh180n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH20N50E-T1-GE3 VISHAY sihh20n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY sihh21n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH21N65E-T1-GE3 VISHAY sihh21n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.8A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 99nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh21n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 53A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 102nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65E-T1-GE3 VISHAY sihh24n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 58A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh24n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHH26N60E-T1-GE3 VISHAY sihh26n60e.pdf SIHH26N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIHH27N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh27n60ef.pdf SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIHH28N60E-T1-GE3 VISHAY sihh28n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 129nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHJ10N60E-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC84482C95D4143&compId=SIHJ10N60E.pdf?ci_sign=1ccabff12e3bda83ae75fb4a4feead052f2b4622 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ240N60E-T1-GE3 VISHAY sihj240n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ690N60E-T1-GE3 VISHAY sihj690n60e.pdf SIHJ690N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ6N65E-T1-GE3 VISHAY sihj6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 VISHAY sihj7n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ8N60E-T1-GE3 VISHAY sihj8n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY sihk045n60e.pdf SIHK045N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY sihk045n60ef.pdf SIHK045N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY sihk055n60ef.pdf SIHK055N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3 VISHAY sihk075n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 97A; 192W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 97A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHK125N60EF-T1GE3 VISHAY sihk125n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 132W
Pulsed drain current: 54A
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL510STRL-GE3 VISHAY SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHL530STRR-GE3 VISHAY SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
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SIHL620S-GE3 VISHAY sihl620s.pdf SIHL620S-GE3 SMD N channel transistors
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SIHL630STRL-GE3 VISHAY sihl630s.pdf SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHL640STRL-GE3 VISHAY SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHLL014TR-GE3 VISHAY SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 VISHAY sihll110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG33N65E-GE3 sihg33n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHG33N65E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3 sihg35n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 134nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 154A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 154A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 278nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG460B-GE3 sihg460b.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHG460B-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEL-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906056EDFFA143&compId=SIHG47N60AEL.pdf?ci_sign=a09d7010e53260fbc68e9891ce248adafffc3210
SIHG47N60AEL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be
SIHG47N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG47N60EF-GE3 sihg47n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG61N65EF-GE3 sihg61n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 371nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHG64N65E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60AEF-GE3 sihg70n60aef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHG70N60AEF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60EF-GE3 sihg70n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHG70N60EF-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHG73N60AE-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH070N60EF-T1GE3 sihh070n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH070N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH080N60E-T1-GE3 sihh080n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 96A; 184W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 184W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH100N60E-T1-GE3 sihh100n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH100N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH105N60EF-T1GE3 sihh105n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH105N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 357mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 27A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65E-T1-GE3 sihh11n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 363mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65EF-T1-GE3 sihh11n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 382mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH120N60E-T1-GE3 sihh120n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 57A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 57A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH125N60EF-T1GE3 sihh125n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 156W
Pulsed drain current: 66A
Case: PowerPAK® 8x8L
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 38A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 147W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 38A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 147W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 266mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 38A
Gate charge: 84nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 56W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Pulsed drain current: 38A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65EF-T1-GE3 sihh14n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 36A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH180N60E-T1-GE3 sihh180n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH20N50E-T1-GE3 sihh20n50e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH21N65E-T1-GE3 sihh21n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.8A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 99nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N65EF-T1-GE3 sihh21n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 53A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 102nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65E-T1-GE3 sihh24n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 58A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH26N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH27N60EF-T1-GE3 sihh27n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH28N60E-T1-GE3 sihh28n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 129nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ10N60E-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC84482C95D4143&compId=SIHJ10N60E.pdf?ci_sign=1ccabff12e3bda83ae75fb4a4feead052f2b4622
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ240N60E-T1-GE3 sihj240n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ690N60E-T1-GE3 sihj690n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHJ690N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ8N60E-T1-GE3 sihj8n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHK045N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHK045N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK055N60EF-T1GE3 sihk055n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHK055N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3 sihk075n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 97A; 192W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 97A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3 sihk125n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 132W
Pulsed drain current: 54A
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL510STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL530STRR-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL620S-GE3 sihl620s.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHL620S-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL630STRL-GE3 sihl630s.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL640STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLL014TR-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLL110TR-GE3 sihll110.pdf
SIHLL110TR-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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