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SIR104ADP-T1-RE3 VISHAY sir104adp.pdf SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR104DP-T1-RE3 VISHAY sir104dp.pdf SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR104LDP-T1-RE3 VISHAY sir104ldp.pdf SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR106ADP-T1-RE3 VISHAY sir106adp.pdf SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR106DP-T1-RE3 VISHAY sir106dp.pdf SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR108DP-T1-RE3 VISHAY sir108dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 45A; Idm: 80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 65.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR112DP-T1-RE3 VISHAY sir112dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.65mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR120DP-T1-RE3 VISHAY sir120dp.pdf SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR122DP-T1-RE3 VISHAY sir122dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY sir122ldp.pdf SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR124DP-T1-RE3 VISHAY sir124dp.pdf SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY sir1309dp.pdf SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR140DP-T1-RE3 VISHAY sir140dp.pdf SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR150DP-T1-RE3 VISHAY sir150dp.pdf SIR150DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR158DP-T1-GE3 VISHAY sir158dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR158DP-T1-RE3 VISHAY sir158dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR164DP-T1-GE3 VISHAY sir164dp-new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR165DP-T1-GE3 VISHAY sir165dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 138nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 65.8W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR166DP-T1-GE3 VISHAY sir166dp.pdf SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR167DP-T1-GE3 VISHAY sir167dp.pdf SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR170DP-T1-RE3 VISHAY sir170dp.pdf SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR172ADP-T1-GE3 VISHAY sir172adp.pdf SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR178DP-T1-RE3 VISHAY sir178dp.pdf SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY sir180adp.pdf SIR180ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR180DP-T1-RE3 VISHAY sir180dp.pdf SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR182DP-T1-RE3 VISHAY sir182dp.pdf SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR182LDP-T1-RE3 VISHAY sir182ldp.pdf SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR184DP-T1-RE3 VISHAY sir184dp.pdf SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR186DP-T1-RE3 VISHAY sir186dp.pdf SIR186DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR188DP-T1-RE3 VISHAY sir188dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 65.7W
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY sir188ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 93.6A; Idm: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 93.6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 65.7W
Pulsed drain current: 300A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR402DP-T1-GE3 VISHAY sir402dp.pdf SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR403EDP-T1-GE3 VISHAY sir403edp.pdf SIR403EDP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR404DP-T1-GE3 VISHAY sir404dp.pdf SIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR410DP-T1-GE3 VISHAY sir410d.pdf SIR410DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR414DP-T1-GE3 VISHAY sir414dp.pdf SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR418DP-T1-GE3 VISHAY sir418dp.pdf SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR424DP-T1-GE3 VISHAY sir424dp.pdf SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR426DP-T1-GE3 VISHAY sir426dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 26.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR438DP-T1-GE3 VISHAY sir438dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR440DP-T1-GE3 VISHAY sir440dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4602LDP-T1-RE3 VISHAY sir4602ldp.pdf SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf SIR4604LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4606DP-T1-GE3 VISHAY sir4606dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4608DP-T1-GE3 VISHAY sir4608dp.pdf SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR460DP-T1-GE3 VISHAY sir460dp.pdf SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR462DP-T1-GE3 VISHAY sir462dp.pdf SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR464DP-T1-GE3 VISHAY sir464dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR466DP-T1-GE3 VISHAY sir466dp.pdf SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR470DP-T1-GE3 VISHAY sir470dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 66.6W
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR474DP-T1-GE3 VISHAY sir474dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 29.8W
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 VISHAY sir500dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Drain current: 350.8A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 104.1W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY sir5102dp.pdf SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR510DP-T1-RE3 VISHAY sir510dp.pdf SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR516DP-T1-RE3 VISHAY sir516dp.pdf SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3 VISHAY sir5708dp.pdf SIR5708DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR104ADP-T1-RE3 sir104adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR104DP-T1-RE3 sir104dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR104LDP-T1-RE3 sir104ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR106ADP-T1-RE3 sir106adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR108DP-T1-RE3 sir108dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 45A; Idm: 80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 65.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR112DP-T1-RE3 sir112dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.65mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR120DP-T1-RE3 sir120dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR120DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR1309DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR150DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR158DP-T1-RE3 sir158dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 138nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 65.8W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SIR166DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR170DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR172ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR180ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR180DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR182DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 65.7W
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 93.6A; Idm: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 93.6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 65.7W
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SIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 26.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR440DP-T1-GE3 sir440dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4602LDP-T1-RE3 sir4602ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR4604LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4606DP-T1-GE3 sir4606dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR4608DP-T1-GE3 sir4608dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR460DP-T1-GE3 sir460dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR464DP-T1-GE3 sir464dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR470DP-T1-GE3 sir470dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 66.6W
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR474DP-T1-GE3 sir474dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 29.8W
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Drain current: 350.8A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 104.1W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR516DP-T1-RE3 sir516dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR5708DP-T1-RE3 sir5708dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR5708DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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