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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIR862DP-T1-GE3 VISHAY sir862dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY sir870adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY sir870adp.pdf SIR870ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY sir870bdp.pdf SIR870BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870DP-T1-GE3 VISHAY sir870dp.pdf SIR870DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR871DP-T1-GE3 VISHAY sir871dp.pdf SIR871DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY sir872adp.pdf SIR872ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-RE3 VISHAY SIR872ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872DP-T1-GE3 VISHAY sir872dp.pdf SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 VISHAY sir873dp.pdf SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR876ADP-T1-GE3 VISHAY sir876adp.pdf SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY sir876bdp.pdf SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR878BDP-T1-RE3 VISHAY sir878bdp.pdf SIR878BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880ADP-T1-GE3 VISHAY sir880adp.pdf SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880DP-T1-GE3 VISHAY sir880dp.pdf SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR882ADP-T1-GE3 VISHAY sir882adp.pdf SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR882BDP-T1-RE3 VISHAY sir882bdp.pdf SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR882DP-T1-GE3 VISHAY sir882dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY sira00dp.pdf SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY sira01dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -150A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 112nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Power dissipation: 40W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA02DP-T1-GE3 VISHAY sira02dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA04DP-T1-GE3 VISHAY sira04dp.pdf SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
113+0.63 EUR
120+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY sira10bdp.pdf SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf SIRA10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA12BDP-T1-GE3 VISHAY sira12bdp.pdf SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA12DP-T1-GE3 VISHAY SIRA12DP.pdf SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14BDP-T1-GE3 VISHAY sira14bdp.pdf SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
286+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY sira18bdp.pdf SIRA18BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18DP-T1-GE3 VISHAY sira18dp.pdf SIRA18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA20BDP-T1-GE3 VISHAY sira20bdp.pdf SIRA20BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA24DP-T1-GE3 VISHAY sira24dp.pdf SIRA24DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA28BDP-T1-GE3 SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
169+0.42 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY sira32dp.pdf SIRA32DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA36DP-T1-GE3 VISHAY sira36dp.pdf SIRA36DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50ADP-T1-RE3 VISHAY sira50adp.pdf SIRA50ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA50DP-T1-RE3 VISHAY sira50dp.pdf SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52DP-T1-GE3 VISHAY sira52dp.pdf SIRA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA54DP-T1-GE3 VISHAY SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58ADP-T1-RE3 VISHAY sira58adp.pdf SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA58DP-T1-GE3 VISHAY sira58dp.pdf SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA60DP-T1-GE3 VISHAY sira60dp.pdf SIRA60DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY sira62dp.pdf SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA64DP-T1-GE3 VISHAY sira64dp.pdf SIRA64DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA72DP-T1-GE3 VISHAY sira72dp.pdf SIRA72DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA74DP-T1-GE3 VISHAY doc?77640 SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3 VISHAY sira80dp.pdf SIRA80DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84DP-T1-GE3 VISHAY sira84dp.pdf SIRA84DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88BDP-T1-GE3 VISHAY sira88bdp.pdf SIRA88BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA88DP-T1-GE3 VISHAY sira88dp.pdf SIRA88DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-RE3 VISHAY sira90dp.pdf SIRA90DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA96DP-T1-GE3 VISHAY sira96dp.pdf SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY sirb40dp.pdf SIRB40DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR862DP-T1-GE3 sir862dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-RE3 sir870adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR870ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR870BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870DP-T1-GE3 sir870dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR870DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR871DP-T1-GE3 sir871dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR871DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-GE3 sir872adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR872ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
SIR872ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872DP-T1-GE3 sir872dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR876BDP-T1-RE3 sir876bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR878BDP-T1-RE3 sir878bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR878BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880ADP-T1-GE3 sir880adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR880DP-T1-GE3 sir880dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR882ADP-T1-GE3 sir882adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR882BDP-T1-RE3 sir882bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR882DP-T1-GE3 sir882dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA00DP-T1-GE3 sira00dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -150A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 112nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Power dissipation: 40W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA02DP-T1-GE3 sira02dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIRA28BDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
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SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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