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SIR570DP-T1-RE3 VISHAY sir570dp.pdf SIR570DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR574DP-T1-RE3 VISHAY sir574dp.pdf SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR576DP-T1-RE3 VISHAY sir576dp.pdf SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR578DP-T1-RE3 VISHAY sir578dp.pdf SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY sir5802dp.pdf SIR5802DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR608DP-T1-RE3 VISHAY sir608dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR610DP-T1-RE3 VISHAY sir610dp.pdf SIR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiR616DP-T1-GE3 VISHAY sir616dp.pdf SIR616DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiR618DP-T1-GE3 VISHAY sir618dp.pdf SIR618DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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SiR624DP-T1-GE3 VISHAY sir624dp.pdf SIR624DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR626ADP-T1-RE3 VISHAY sir626adp.pdf SIR626ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiR626DP-T1-RE3 VISHAY sir626dp.pdf SIR626DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 186A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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SiR632DP-T1-RE3 VISHAY sir632dp.pdf SIR632DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf SIR638DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR662DP-T1-GE3 VISHAY sir662dp.pdf SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR664DP-T1-GE3 VISHAY sir664dp.pdf SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf SIR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR670DP-T1-GE3 VISHAY sir670dp.pdf SIR670DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY sir680adp.pdf SIR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY sir680ldp.pdf SIR680LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR681DP-T1-RE3 VISHAY sir681dp.pdf SIR681DP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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SIR688DP-T1-GE3 VISHAY sir688dp.pdf SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiR690DP-T1-GE3 VISHAY sir690dp.pdf SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR690DP-T1-RE3 VISHAY sir690dp.pdf SIR690DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiR692DP-T1-RE3 VISHAY sir692dp.pdf SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiR696DP-T1-GE3 VISHAY sir696dp.pdf SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR698DP-T1-GE3 VISHAY sir698dp.pdf SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR770DP-T1-GE3 VISHAY sir770dp.pdf SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIR800ADP-T1-GE3 VISHAY sir800adp.pdf SIR800ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY sir800adp.pdf SIR800ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR800DP-T1-GE3 VISHAY sir800dp.pdf SIR800DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR800DP-T1-RE3 VISHAY doc?65738 SIR800DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR804DP-T1-GE3 VISHAY sir804dp.pdf SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR820DP-T1-GE3 VISHAY sir460bdp.pdf SIR820DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf SIR826ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY sir826bdp.pdf SIR826BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR826DP-T1-GE3 VISHAY sir826dp.pdf SIR826DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR836DP-T1-GE3 VISHAY sir836dp.pdf SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY sir846adp.pdf SIR846ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR846BDP-T1-RE3 VISHAY sir846bdp.pdf SIR846BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR846DP-T1-GE3 VISHAY sir846dp.pdf SIR846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR862DP-T1-GE3 VISHAY sir862dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY sir870adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SIR570DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR5802DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3 sir580dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR580DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR582DP-T1-RE3 sir582dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR584DP-T1-RE3 sir584dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR606BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR606DP-T1-GE3 sir606dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR606DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR608DP-T1-RE3 sir608dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR616DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
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SIR618DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR622DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
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SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
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SIR624DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR624DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR626ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR626DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 186A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
43+1.67 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
250+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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SIR638ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
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SIR638DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR638DP-T1-RE3 sir638dp.pdf
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SIR638DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR640ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR662DP-T1-GE3 sir662dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR664DP-T1-GE3 sir664dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3 sir668adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR668DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR670DP-T1-GE3 sir670dp.pdf
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SIR670DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR680ADP-T1-RE3 sir680adp.pdf
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SIR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiR680DP-T1-RE3 sir680dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR680DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680LDP-T1-RE3 sir680ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR680LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR681DP-T1-RE3 sir681dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR681DP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR688DP-T1-GE3 sir688dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiR690DP-T1-GE3 sir690dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR690DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR692DP-T1-RE3 sir692dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR800ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR800ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR800DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-RE3 doc?65738
Hersteller: VISHAY
SIR800DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR818DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR820DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR826ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR826BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826DP-T1-GE3 sir826dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR826DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR846ADP-T1-GE3 sir846adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR846ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR846BDP-T1-RE3 sir846bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR846BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR846DP-T1-GE3 sir846dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR862DP-T1-GE3 sir862dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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