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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SFH6916 VISHAY sfh6916.pdf SFH6916 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH691AT VISHAY sfh691at.pdf SFH691AT Optocouplers - analog output
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
113+0.63 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3R2200JR18 SG3R2200JR18 VISHAY VISHAY_sg.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
Length: 13mm
Diameter: 4.8mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
48+1.52 EUR
57+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3W 15R 5% VISHAY SG3W-15R Power resistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG347R00JR18 SG347R00JR18 VISHAY VISHAY_sg.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Operating temperature: -55...250°C
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Diameter: 4.8mm
Length: 13mm
Leads: axial
Resistor features: non-flammable
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
38+1.9 EUR
50+1.46 EUR
200+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-20-E3/96 SGL41-20-E3/96 VISHAY tf-sgl41-20-e3-96.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
162+0.44 EUR
250+0.38 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-40-E3/96 SGL41-40-E3/96 VISHAY bym13.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
140+0.51 EUR
185+0.39 EUR
205+0.35 EUR
250+0.34 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-60-E3/96 SGL41-60-E3/96 VISHAY bym13.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
177+0.41 EUR
186+0.39 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012CR-T1-GE3 VISHAY si1012cr.pdf SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
527+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012R-T1-GE3 VISHAY si1012rx.pdf SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
58+1.23 EUR
158+0.46 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
272+0.26 EUR
317+0.23 EUR
544+0.13 EUR
725+0.099 EUR
1000+0.089 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY si1016cx.pdf SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.7 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1022R-T1-GE3 VISHAY si1022r.pdf SI1022R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3093 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
269+0.27 EUR
286+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3 VISHAY si1032r.pdf SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
309+0.23 EUR
325+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf SI1036X-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
138+0.52 EUR
589+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
376+0.19 EUR
518+0.14 EUR
591+0.12 EUR
773+0.093 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3 VISHAY 71249.pdf SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
92+0.77 EUR
251+0.29 EUR
1000+0.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
175+0.41 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf SI1902CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
237+0.3 EUR
296+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf SI2303CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
15000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY SI2304DDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
388+0.18 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
286+0.25 EUR
311+0.23 EUR
345+0.21 EUR
374+0.19 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 VISHAY si2306bd.pdf SI2306BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
181+0.4 EUR
183+0.39 EUR
191+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY si2307cds.pdf SI2307CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
371+0.19 EUR
391+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 VISHAY SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.3 EUR
74+0.97 EUR
202+0.36 EUR
15000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY si2309cd.pdf SI2309CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 9225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
89+0.8 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
266+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3 VISHAY si2318ds.pdf SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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54+1.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1557 Stücke:
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117+0.61 EUR
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3000+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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147+0.49 EUR
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232+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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72+1 EUR
243+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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84+0.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1259 Stücke:
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80+0.9 EUR
126+0.57 EUR
151+0.47 EUR
163+0.44 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
101+0.71 EUR
150+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
148+0.49 EUR
166+0.43 EUR
258+0.28 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3283 Stücke:
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143+0.5 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1761 Stücke:
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48+1.51 EUR
129+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
281+0.25 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
110+0.65 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
253+0.28 EUR
268+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
153+0.47 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
477+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1 EUR
152+0.47 EUR
417+0.17 EUR
1500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH6916 sfh6916.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH6916 Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH691AT sfh691at.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH691AT Optocouplers - analog output
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
113+0.63 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3R2200JR18 VISHAY_sg.pdf
SG3R2200JR18
Hersteller: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
Length: 13mm
Diameter: 4.8mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
48+1.52 EUR
57+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3W 15R 5%
Hersteller: VISHAY
SG3W-15R Power resistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG347R00JR18 VISHAY_sg.pdf
SG347R00JR18
Hersteller: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Operating temperature: -55...250°C
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Diameter: 4.8mm
Length: 13mm
Leads: axial
Resistor features: non-flammable
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
38+1.9 EUR
50+1.46 EUR
200+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-20-E3/96 tf-sgl41-20-e3-96.pdf
SGL41-20-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
162+0.44 EUR
250+0.38 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-40-E3/96 bym13.pdf
SGL41-40-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
140+0.51 EUR
185+0.39 EUR
205+0.35 EUR
250+0.34 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-60-E3/96 bym13.pdf
SGL41-60-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
177+0.41 EUR
186+0.39 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
527+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
58+1.23 EUR
158+0.46 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
272+0.26 EUR
317+0.23 EUR
544+0.13 EUR
725+0.099 EUR
1000+0.089 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3 si1016cx.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.7 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1022R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3093 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
269+0.27 EUR
286+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3 si1032r.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.52 EUR
309+0.23 EUR
325+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1036X-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4844 Stücke:
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278+0.26 EUR
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591+0.12 EUR
773+0.093 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.082 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
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109+0.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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175+0.41 EUR
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3000+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1902CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
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179+0.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Si2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1898 Stücke:
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120+0.6 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
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1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
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125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1549 Stücke:
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179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
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500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI2303CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 927 Stücke:
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94+0.76 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
15000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1570 Stücke:
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Anzahl Preis
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
388+0.18 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
286+0.25 EUR
311+0.23 EUR
345+0.21 EUR
374+0.19 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 si2306bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2306BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
181+0.4 EUR
183+0.39 EUR
191+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2307CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
371+0.19 EUR
391+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.3 EUR
74+0.97 EUR
202+0.36 EUR
15000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.48 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2309CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 9225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
89+0.8 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
266+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
108+0.66 EUR
124+0.58 EUR
138+0.52 EUR
154+0.46 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
210+0.34 EUR
244+0.29 EUR
348+0.21 EUR
397+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3 si2318ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
241+0.3 EUR
254+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
141+0.51 EUR
204+0.35 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2891 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
146+0.49 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.32 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
158+0.45 EUR
168+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
186+0.38 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
175+0.41 EUR
199+0.36 EUR
250+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 9573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.49 EUR
219+0.33 EUR
232+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
126+0.57 EUR
151+0.47 EUR
163+0.44 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
72+1 EUR
101+0.71 EUR
150+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
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296+0.24 EUR
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455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
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132+0.54 EUR
477+0.15 EUR
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152+0.47 EUR
417+0.17 EUR
1500+0.1 EUR
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368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
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SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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112+0.64 EUR
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