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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SG3R2200JR18 SG3R2200JR18 VISHAY VISHAY_sg.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
Length: 13mm
Diameter: 4.8mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
48+1.52 EUR
57+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG347R00JR18 SG347R00JR18 VISHAY VISHAY_sg.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Mounting: THT
Operating temperature: -55...250°C
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Diameter: 4.8mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Length: 13mm
Leads: axial
Resistor features: non-flammable
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
42+1.72 EUR
55+1.32 EUR
200+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-20-E3/96 SGL41-20-E3/96 VISHAY tf-sgl41-20-e3-96.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
162+0.44 EUR
250+0.38 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-40-E3/96 SGL41-40-E3/96 VISHAY bym13.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
140+0.51 EUR
185+0.39 EUR
205+0.35 EUR
250+0.34 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-60-E3/96 SGL41-60-E3/96 VISHAY bym13.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
177+0.41 EUR
186+0.39 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012CR-T1-GE3 VISHAY si1012cr.pdf SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
527+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012R-T1-GE3 VISHAY si1012rx.pdf SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
58+1.23 EUR
158+0.46 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
272+0.26 EUR
317+0.23 EUR
544+0.13 EUR
725+0.099 EUR
1000+0.089 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY si1016cx.pdf SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.7 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1022R-T1-GE3
+1
 		SI1022R-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
161+0.45 EUR
188+0.38 EUR
204+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3 VISHAY si1032r.pdf SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
309+0.23 EUR
327+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
183+0.39 EUR
206+0.35 EUR
345+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
376+0.19 EUR
518+0.14 EUR
591+0.12 EUR
773+0.093 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3 VISHAY 71249.pdf SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
91+0.79 EUR
250+0.29 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
272+0.26 EUR
307+0.23 EUR
439+0.16 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf SI1902CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY si2302cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
237+0.3 EUR
296+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
142+0.5 EUR
188+0.38 EUR
214+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
388+0.18 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
286+0.25 EUR
311+0.23 EUR
345+0.21 EUR
374+0.19 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 VISHAY SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.3 EUR
74+0.97 EUR
202+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
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SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
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183+0.39 EUR
208+0.34 EUR
500+0.25 EUR
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1500+0.2 EUR
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SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
266+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
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SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
108+0.66 EUR
124+0.58 EUR
138+0.52 EUR
154+0.46 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
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SI2318DS-T1-GE3 VISHAY si2318ds.pdf SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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162+0.44 EUR
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SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cd.pdf SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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88+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 88
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SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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391+0.19 EUR
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SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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54+1.32 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
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SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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77+0.93 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
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SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
186+0.38 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
175+0.41 EUR
199+0.36 EUR
250+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
126+0.57 EUR
151+0.47 EUR
163+0.44 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
101+0.71 EUR
150+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
148+0.49 EUR
166+0.43 EUR
258+0.28 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.51 EUR
129+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
281+0.25 EUR
298+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
110+0.65 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
126+0.57 EUR
159+0.45 EUR
175+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
261+0.27 EUR
374+0.19 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
481+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
305+0.23 EUR
439+0.16 EUR
511+0.14 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
165+0.43 EUR
222+0.32 EUR
252+0.28 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.69 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
92+0.78 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3R2200JR18 VISHAY_sg.pdf
SG3R2200JR18
Hersteller: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
Length: 13mm
Diameter: 4.8mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
48+1.52 EUR
57+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG347R00JR18 VISHAY_sg.pdf
SG347R00JR18
Hersteller: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; 100V; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Mounting: THT
Operating temperature: -55...250°C
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Diameter: 4.8mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Length: 13mm
Leads: axial
Resistor features: non-flammable
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
42+1.72 EUR
55+1.32 EUR
200+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-20-E3/96 tf-sgl41-20-e3-96.pdf
SGL41-20-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
135+0.53 EUR
162+0.44 EUR
250+0.38 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-40-E3/96 bym13.pdf
SGL41-40-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
140+0.51 EUR
185+0.39 EUR
205+0.35 EUR
250+0.34 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-60-E3/96 bym13.pdf
SGL41-60-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
177+0.41 EUR
186+0.39 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
527+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
58+1.23 EUR
158+0.46 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
272+0.26 EUR
317+0.23 EUR
544+0.13 EUR
725+0.099 EUR
1000+0.089 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3 si1016cx.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.7 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1022R-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73
SI1022R-T1-GE3
+1
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
161+0.45 EUR
188+0.38 EUR
204+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3 si1032r.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.52 EUR
309+0.23 EUR
327+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
183+0.39 EUR
206+0.35 EUR
345+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
376+0.19 EUR
518+0.14 EUR
591+0.12 EUR
773+0.093 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3 71249.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
91+0.79 EUR
250+0.29 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
272+0.26 EUR
307+0.23 EUR
439+0.16 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1902CDL-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
313+0.23 EUR
334+0.21 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
174+0.41 EUR
200+0.36 EUR
275+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
218+0.33 EUR
242+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
211+0.34 EUR
237+0.3 EUR
296+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
142+0.5 EUR
188+0.38 EUR
214+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
388+0.18 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
286+0.25 EUR
311+0.23 EUR
345+0.21 EUR
374+0.19 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
SI2308BDS-T1-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.3 EUR
74+0.97 EUR
202+0.36 EUR
15000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
108+0.66 EUR
297+0.24 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
140+0.51 EUR
183+0.39 EUR
208+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
266+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3.pdf
SI2315BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.19W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
108+0.66 EUR
124+0.58 EUR
138+0.52 EUR
154+0.46 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3 si2318ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2318DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
146+0.49 EUR
391+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.32 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 63mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
186+0.38 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
130+0.55 EUR
175+0.41 EUR
199+0.36 EUR
250+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
126+0.57 EUR
151+0.47 EUR
163+0.44 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
101+0.71 EUR
150+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
148+0.49 EUR
166+0.43 EUR
258+0.28 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2336DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 si2337ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2337DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.51 EUR
129+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.71 EUR
281+0.25 EUR
298+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
110+0.65 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -5.9A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
126+0.57 EUR
159+0.45 EUR
175+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
261+0.27 EUR
374+0.19 EUR
435+0.16 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
481+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
305+0.23 EUR
439+0.16 EUR
511+0.14 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
165+0.43 EUR
222+0.32 EUR
252+0.28 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2369DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.69 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
92+0.78 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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