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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.91 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
171+0.42 EUR
181+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.91 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
52+1.39 EUR
59+1.22 EUR
81+0.89 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.38 EUR
105+0.68 EUR
111+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.1 EUR
207+0.35 EUR
219+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.87 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
106+0.68 EUR
123+0.58 EUR
152+0.47 EUR
178+0.4 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.85 EUR
24+3.1 EUR
27+2.73 EUR
32+2.29 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 VISHAY siha24n80ae.pdf SIHA24N80AE-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.62 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
41+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
75+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.38 EUR
17+4.35 EUR
19+3.88 EUR
25+3.3 EUR
50+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
105+0.69 EUR
116+0.62 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.9 EUR
300+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
114+0.63 EUR
126+0.57 EUR
143+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
20+3.76 EUR
22+3.36 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.68 EUR
10+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY SIHG73N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.66 EUR
7+11.87 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.06 EUR
17+4.38 EUR
18+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
37+1.94 EUR
44+1.64 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.39 EUR
15+4.86 EUR
25+4.29 EUR
100+3.85 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
21+3.52 EUR
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32409DNP-T1-GE4 VISHAY sip32408_9.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
178+0.4 EUR
198+0.36 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
283+0.25 EUR
315+0.23 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
102+0.7 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf SIRA10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
205+0.35 EUR
218+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
269+0.27 EUR
285+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
57+1.27 EUR
65+1.12 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
100+1.04 EUR
250+0.92 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.03 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
92+0.79 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5096 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
148+0.49 EUR
156+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3 VISHAY siss05dn.pdf SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
140+0.51 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
307+0.23 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL03-GS08 VISHAY sl02.pdf SL03-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 21279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.48 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.52 EUR
163+0.44 EUR
449+0.16 EUR
15000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.91 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
171+0.42 EUR
181+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.91 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
52+1.39 EUR
59+1.22 EUR
81+0.89 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.38 EUR
105+0.68 EUR
111+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.1 EUR
207+0.35 EUR
219+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.87 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
106+0.68 EUR
123+0.58 EUR
152+0.47 EUR
178+0.4 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.85 EUR
24+3.1 EUR
27+2.73 EUR
32+2.29 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHA24N80AE-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
41+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
SIHD2N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
75+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.38 EUR
17+4.35 EUR
19+3.88 EUR
25+3.3 EUR
50+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
105+0.69 EUR
116+0.62 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.9 EUR
300+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
114+0.63 EUR
126+0.57 EUR
143+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
20+3.76 EUR
22+3.36 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.68 EUR
10+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E.pdf
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.66 EUR
7+11.87 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.06 EUR
17+4.38 EUR
18+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
37+1.94 EUR
44+1.64 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.39 EUR
15+4.86 EUR
25+4.29 EUR
100+3.85 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
21+3.52 EUR
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32409DNP-T1-GE4 sip32408_9.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 44mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Case: TDFN4
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Kind of output: P-Channel
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
178+0.4 EUR
198+0.36 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
283+0.25 EUR
315+0.23 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Integrated circuit features: output discharge
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
102+0.7 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
205+0.35 EUR
218+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
269+0.27 EUR
285+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
131+0.55 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
57+1.27 EUR
65+1.12 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
100+1.04 EUR
250+0.92 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.03 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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92+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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95+0.76 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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36+2.03 EUR
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81+0.89 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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69+1.05 EUR
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156+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3 siss05dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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44+1.64 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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63+1.14 EUR
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168+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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127+0.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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41+1.77 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
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140+0.51 EUR
538+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL02-GS08 sl02.pdf
Hersteller: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
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307+0.23 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL03-GS08 sl02.pdf
Hersteller: VISHAY
SL03-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 21279 Stücke:
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Anzahl Preis
151+0.48 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
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